Четвертая международная школа-конференция по органической электронике IFSOE 2018 будет проходить с 16 по 20 сентября 2018 года в Подмосковье. Школа затрагивает практически все аспекты органической электроники и включает лекции ведущих ученых, устных и стендовые доклады участников.
Австралийские исследователи впервые изготовили один из ключевых элементов квантового компьютера из кремния. Они также показали, что два кремниевых транзистора, действующие в роли квантовых битов (или кубитов), могут выполнять сверхбыстрые расчёты.
В работе группа российских ученых из Университета ИТМО, Физического института им. П.Н. Лебедева РАН и Академического университета в Санкт-Петербурге предложила концептуально новый подход к вопросу разработки такого транзистора, сделав его прототип всего из одной кремниевой наночастицы.
Ежегодную международную энергетическую премию "Глобальная энергия" за 2015 год получат два американских ученых - Сюдзи Накамура и Джаянт Балига, в денежном выражении премия составляет 33 млн рублей.
Автор исследования Деджи Акинванд (Deji Akinwande), компьютерный инженер из Техасского университета в Остине, разработал новую методику работы с силиценом, чтобы иметь возможность изготовить из него настоящий транзистор.
Международный коллектив физиков, в число которых входят нобелевские лауреаты Андрей Гейм и Константин Новоселов, открыли новые свойства графена и создали на его основе прообраз транзистора. Результаты своих исследований ученые опубликовали в журналах Nature и Nature Physics.
Сульфид свинца сегодня широко применяется в технике в объемном состоянии. Группа ученых из американской национальной Лаборатории в Лос Аламос отличилась, создав фототранзистор на основе пленки из нанокристаллического PbS и исследовав его проводимость в зависимости от напряжения на затворе и освещения. Для объяснения наблюдаемого они воспользовались зонной теорией полупроводника.
Коллектив исследователей из Страны восходящего солнца предложил модифицированный метод струйной печати, позволяющий получать монокристаллические пленки органических полупроводников. Предложенный метод может найти применение при производстве перспективной органической полупроводниковой электроники.
Научная группа из Швейцарии предложила использовать в качестве канала проводимости монослои дисульфида молибдена. Полученные ими результаты близки к полученным для транзисторов, где в качестве канала проводимости используются графеновые полоски.
Показана возможность встраивать в банкноты электронные метки из органических тонкопленочных транзисторов. Подобная технология может поднять защиту купюр от подделывания на более высокий уровень.
Ожидается, что гибкие микросхемы в ближайшее время найдут самое широкое применение. Поэтому основные усилия научного сообщества направлены на улучшения как механических, так и электрических свойств микросхем.
Международный коллектив исследователей предложил новый метод получения графеновых полосок на подложке из карбида кремния. Предложенный ими метод позволяет получить узкие полоски графена в необходимом месте на подложке с высокой точностью.
Коллектив швейцарских ученых представил новый метод получения полевых транзисторов, где в качестве канала проводимости используется подвесная углеродная нанотрубка. Предложенная исследователями из этой альпийской страны технология лишена многих недостатков, присущих методам описанным ранее.
При помощи процессов самосборки группе исследователей из США удалось сконструировать перспективный графеновый транзистор, который может быть применен в будущем в радиочастотной электронике.
Международный коллектив исследователей предложил свой метод получения тихих и гибких транзисторов на основе кремниевых нанонитей. По уровню шума они почти сравнялись с аналогичными транзисторами на жестких подложках.
Японские учёные совместно со своими немецкими и австрийскими коллегами разработали энергонезависимую память на основе органических транзисторов и создали на её основе гибкую сенсорную панель.
Коллективом корейских ученых был предложен метод получения листов графена до 3 дюймов и переноса его на подходящую подложку. Эта методика позволяет получать как электронные устройства на привычных платах, так и на гибких подложках.
Полупроводящие углеродные нанотрубки находят все большее применение в люминесцентных дисплеях и тонкопленочных транзисторах. Особенностям последнего посвящается данное сообщение.
Учёные из США предложили новый способ производства различного рода одноэлектронных устройств. Это позволит упростить и удешевить их крупномасштабное производство.
Учёные из Стенфордского университета при поддержке компании Samsung разработали новый метод упорядочения и «самосборки» тонких плёнок из углеродных нанотрубок.
В работе, опубликованной в журнале Nature Nanotechnology, предложен альтернативный способ синтеза монослойного графена с помощью вакуумной фильтрации. Его простота и воспроизводимость гарантируют получение тонких пленок (от одного до пяти слоев) на большой площади.
Полевые транзисторы на основе углеродных нанотрубок являются очень перспективными для применения в микроустройствах, в качестве предельного, лимитированного квантовыми эффектами элемента. В частности, для баллистических транзисторов была предсказана область работы в субтерагерцовом диапазоне, что на порядок выше, чем для обычных полупроводниковых транзисторов. Экспериментально это пока не достижимо, однако частоты порядка 8-10 Ггц были получены при использовании многозатворного транзистора на основе одной углеродной нанотрубки.
Текущий, 2007 год стал дважды знаменательным для полупроводниковой промышленности. Во-первых, благодарное человечество отметило знаменательную дату – 60-ти летие открытия транзистора, положившее начало современной компьютерной техники. Во-вторых, компания Intel совершила истинный прорыв в конструировании и технологии транзисторов...
Совместные усилия учёных из Purdue University, Northwestern University и University of Southern California позволили сделать важных шаг на пути создания гибких и прозрачных электронных дисплеев. Результаты их работы были опубликованы в Nature Nanotechnology.
Исследователи из Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN / CNRS) и Department of Solid-state Physics at the French Atomic Energy Agency (CEA) преуспели в создании транзисторов из углеродных нанотрубок на кремниевой подложке («Intrinsic current gain cutoff frequency of 30 GHz with carbon nanotube transistors»).
Группа ученых из США (NIST, George Mason University) и Южной Кореи (Kwangwoon University) разработала гибридное запоминающее устройство, в котором применяются как общепринятые методики, так и используются свойства кремниевых нанопроводов.
Канадскими учеными рассмотрена возможность использования молекулы ДНК с включениями ионов кобальта Co+2 (M-DNA) в качестве канала полевого транзистора.
Ученые из Института Макса Планка (Max Planck Institute for Solid State Research) разработали комплементарную схему, состоящую из двух органических транзисторов, которая характеризуется малым энергопотреблением и использует низковольтное питание.
Корейские разработчики сообщили об успешном внедрении новой технологии производства транзисторов. Размер нового полупроводника составляет 10 нанометров, что в шесть раз меньше транзистора, используемого в современных микропроцессорах и составляет 1/12000 толщины человеческого волоса. Успех корейских ученых обусловлен использованием углеродных нанотрубок.
Компания IBM на конференции International Solid State Circuits Conference сообщила о новом достижении собственных инженеров в области создания высокопроизводительной памяти eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory). Использование новых технологий позволяет в три раза повысить емкость чипов памяти и вдвое повысить производительность DRAM-устройств.
Intel и IBM объявили о том, что они будут использовать совершенно новые материалы для того чтобы сделать более быстрые и миниатюрные транзисторы для следующего поколения микросхем.
Инженеры Массачусетского Технологического Института (МТИ) продемонстрировали технологию, которая произведёт революцию в микроэлектронике, начавшейся с i-pod'ов, лэптопов и др.
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
