Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Схемы стандартного и нового транзисторов.
Увеличенное изображение тестовой кремниевой пластины сделанной с использованием новой технологии.

Intel и IBM разрабатывают новое поколение микросхем

Ключевые слова:  IBM, Intel, периодика, транзистор

Опубликовал(а):  Зайцев Дмитрий Дмитриевич

07 февраля 2007

Intel и IBM объявили о том, что они будут использовать совершенно новые материалы для того чтобы сделать более быстрые и миниатюрные транзисторы для следующего поколения микросхем.

Обычные изготавливаемые из кремния транзисторы представляют собой простые переключатели, которые дают в качестве электронных данных нуль или единицу. Чем выше скорость переключения – тем выше эффективность микросхемы. Создание более миниатюрных, дешевых, быстрых транзисторов с минимальными энергозатратами помогало промышленности следовать предсказанию соучредителя компании Intel Гордона Мура о том, что количество транзисторов в микросхемах будет удваиваться примерно каждые два года.

Микропроцессоры сейчас состоят из миллионов транзисторов, соединенных вместе специальным образом медными проводами. Но использование текущих кремниевых технологий больше не дает возможности выполнять «Закон Мура».

В транзисторах ток протекает между двумя пунктами назначения, называемыми «исток» и «сток». Протекающий ток контролируется напряжением на третьем контакте – «затворе» (см. рисунок). Для эффективного переключения транзистора «затвор» должен быть изолирован от «истока» и «стока» тонкой прослойкой оксида кремния, являющегося, как известно, диэлектриком. С уменьшением размера транзистора прослойка из оксида кремния уменьшилась практически до нескольких атомных слоев. Это позволяет электронам туннелировать через изолирующий слой, что приводит к протеканию тока через диэлектрик, следствием чего является нагрев и плохая работа микросхем.

Производители микросхем попытались заменить изолятор материалом со значительно большей диэлектрической константой, чем у оксида кремния – оксидом гафния. Исследователи научились наносить очень тонкую пленку оксида гафния и смешивать его с оксидом или нитридом кремния на молекулярном уровне, для того чтобы улучшить изолирующие свойства. Однако нанесение проводящего кремния поверх оксида гафния проблематично. Для этого требуется высокая температура, что приводит к повреждению изолирующего слоя и, как следствие, к значительному уменьшению скорости переключения, которая становится сравнимой со скоростью переключения стандартных кремниевых транзисторов.

Объединив усилия, Intel и IBM разработали новый материал затвора, который можно нанести на диэлектрик при более мягких условиях. Материал включает в себя нитриды титана и гафния, рутений, вольфрам, оксид рутения и ряд силицидов металлов.

Гордон Мур считает, что использование новых материалов приведет к самым большим изменениям в технологии производства транзисторов со времени разработки транзисторов с поликремневым затвором в 60-х годах прошлого века.

Новая технология позволит изготовить микросхемы, в которых характеристическая величина, равная половине расстояния между каждым элементом памяти составит 45 нм. В современных устройствах эта величина составляет 65 нм. Intel рассчитывает, что производство новых микросхем начнется в этом году.



Источник: Nanowerk




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Личная жизнь атомов под пучком
Личная жизнь атомов под пучком

Периодическую таблицу Менделеева опять улучшили: наночастицы пятивалентного плутония
Соединения шестивалентного плутония в щелочной среде могут привести к кристаллизации фазы (NH4)PuO2CO3, которая стабильна в течение нескольких месяцев и содержит пятивалентный плутоний. Получение новой фазы пятивалентного плутония фундаментально интересно и открывает новые возможности в разработке более эффективных технологий переработки радиоактивных отходов.

MAPPIC 2019. Второй день
15 октября 2019 года прошел второй день I Московской осенней международной конференции по перовскитной фотовольтаике (Moscow Autumn Perovskite Photovoltaics International Conference – MAPPIC-2019). В сообщении приведены темы докладов и небольшой фоторепортаж.

MAPPIC 2019. Первый день
14 октября 2019 года успешно открылась I Московская осенняя международная конференция по перовскитной фотовольтаике (Moscow Autumn Perovskite Photovoltaics International Conference – MAPPIC-2019). В сообщении приведены темы докладов и небольшой фоторепортаж.

Лекция про Дмитрия Ивановича и Наномир на Фестивале науки
Е.А.Гудилин и др., Фестиваль науки
В дни Фестиваля науки «NAUKA 0+» на Химическом факультете МГУ ведущие ученые познакомили слушателей с самыми современными достижениями химии. Ниже приводится небольшой фоторепортаж 1 дня и расписание лекций.

Как правильно заряжать аккумулятор?
Д. М. Иткис
Химик Даниил Иткис о том, как правильно заряжать аккумуляторы гаджетов и почему телефон выключается на холоде

Постлитийионные аккумуляторы
В. А. Кривченко
Физик Виктор Кривченко о перспективных видах аккумуляторов, фундаментальных проблемах в производстве литий-серных источников тока и преимуществах постлитийионных аккумуляторов

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.