Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Схемы стандартного и нового транзисторов.
Увеличенное изображение тестовой кремниевой пластины сделанной с использованием новой технологии.

Intel и IBM разрабатывают новое поколение микросхем

Ключевые слова:  IBM, Intel, периодика, транзистор

Опубликовал(а):  Зайцев Дмитрий Дмитриевич

07 февраля 2007

Intel и IBM объявили о том, что они будут использовать совершенно новые материалы для того чтобы сделать более быстрые и миниатюрные транзисторы для следующего поколения микросхем.

Обычные изготавливаемые из кремния транзисторы представляют собой простые переключатели, которые дают в качестве электронных данных нуль или единицу. Чем выше скорость переключения – тем выше эффективность микросхемы. Создание более миниатюрных, дешевых, быстрых транзисторов с минимальными энергозатратами помогало промышленности следовать предсказанию соучредителя компании Intel Гордона Мура о том, что количество транзисторов в микросхемах будет удваиваться примерно каждые два года.

Микропроцессоры сейчас состоят из миллионов транзисторов, соединенных вместе специальным образом медными проводами. Но использование текущих кремниевых технологий больше не дает возможности выполнять «Закон Мура».

В транзисторах ток протекает между двумя пунктами назначения, называемыми «исток» и «сток». Протекающий ток контролируется напряжением на третьем контакте – «затворе» (см. рисунок). Для эффективного переключения транзистора «затвор» должен быть изолирован от «истока» и «стока» тонкой прослойкой оксида кремния, являющегося, как известно, диэлектриком. С уменьшением размера транзистора прослойка из оксида кремния уменьшилась практически до нескольких атомных слоев. Это позволяет электронам туннелировать через изолирующий слой, что приводит к протеканию тока через диэлектрик, следствием чего является нагрев и плохая работа микросхем.

Производители микросхем попытались заменить изолятор материалом со значительно большей диэлектрической константой, чем у оксида кремния – оксидом гафния. Исследователи научились наносить очень тонкую пленку оксида гафния и смешивать его с оксидом или нитридом кремния на молекулярном уровне, для того чтобы улучшить изолирующие свойства. Однако нанесение проводящего кремния поверх оксида гафния проблематично. Для этого требуется высокая температура, что приводит к повреждению изолирующего слоя и, как следствие, к значительному уменьшению скорости переключения, которая становится сравнимой со скоростью переключения стандартных кремниевых транзисторов.

Объединив усилия, Intel и IBM разработали новый материал затвора, который можно нанести на диэлектрик при более мягких условиях. Материал включает в себя нитриды титана и гафния, рутений, вольфрам, оксид рутения и ряд силицидов металлов.

Гордон Мур считает, что использование новых материалов приведет к самым большим изменениям в технологии производства транзисторов со времени разработки транзисторов с поликремневым затвором в 60-х годах прошлого века.

Новая технология позволит изготовить микросхемы, в которых характеристическая величина, равная половине расстояния между каждым элементом памяти составит 45 нм. В современных устройствах эта величина составляет 65 нм. Intel рассчитывает, что производство новых микросхем начнется в этом году.



Источник: Nanowerk




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Нанопаутина
Нанопаутина

NAUKA 0+ Фестиваль науки в Москве
8-10 октября в Москве проходит Фестиваль науки NAUKA 0+. В этом году фестиваль соберёт учёных со всех шести континентов нашей планеты, лучших исследователей из России, лауреатов государственных премий, молодых учёных, и, конечно, лауреатов Нобелевской премии.

Названы лауреаты Нобелевской премии по химии
Нобелевскую премию по химии за 2021 год присудили Бенджамину Листу и Дэвиду Макмиллану за разработку методов асимметричного органокатализа

Названы лауреаты Нобелевской премии по физике
Нобелевскую премию по физике за 2021 год присудили трем ученым — Сюкуро Манабе, Клаусу Хассельману и Джорджио Паризи.

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2021
Коллектив авторов
Защиты выпускных квалификационных работ (квалификация – бакалавр материаловедения) по направлению 04.03.02 - «химия, физика и механика материалов» на Факультете наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова состоятся 8, 9, 10 и 11 июня 2021 г. Начало защит в 11.00. Защиты пройдут с использованием дистанционных образовательных технологий.

Академик Е.Н. Каблов: «Для освоения космоса нужны новые материалы»
Янина Хужина
В этом году весь мир отмечает 60-летие первого полета человека в космос. Успех миссии Юрия Гагарина стал возможен благодаря слаженной работе многих людей: физиков, математиков, конструкторов, инженеров-проектировщиков и, конечно, материаловедов. «Научная Россия» обсудила с академиком РАН Евгением Кабловым основные вехи в развитии космического и авиационного материаловедения.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2021 году
коллектив авторов
25 - 28 мая пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.