Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Схема, иллюстрирующая создания транзистора из силицена
Возможно, в будущем, именно из силицена будут изготавливаться транзисторы
Микрофотография пласта силицена, полученная с помощью СЭМ

Сверхбыстрый силиценовый транзистор продемонстрировал себя в действии

Ключевые слова:  Графен, Силицен, Транзистор

Опубликовал(а):  Доронин Федор Александрович

09 февраля 2015

Двухмерных материалов физики создали уже немало, однако мало кто из этих пластов толщиной в один атом также широко известен как "чудо-материал" графен. Соты из углерода могут стать основой высокотехнологичных пуленепробиваемых покрытий будущего.

В 2010 году материаловеды получили аналог графена силицен. Этот материал представляет собой структурный аналог графена, только вместо углеродных сот у него соты из атомов кремния. Толщина материала также равна всего одному атому.

Силицен обладает выдающимися электрическими свойствами, однако это также означает, что работать с ним крайне непросто. В 2015 году учёные нашли способ конструировать из силицена транзисторы.

Ведущий автор нового исследования Деджи Акинванд (Deji Akinwande), компьютерный инженер из Техасского университета в Остине, разработал новую методику работы с силиценом, чтобы иметь возможность изготовить из него настоящий транзистор. В своей статье, опубликованной в журнале Nature Nanotechnology, автор отмечает, что силиценовые транзисторы способны переключаться с рекордной скоростью.

"Преимущество силицена перед тем же графеном в моей сфере исследований заключается в том, что инженеры и так привыкли использовать кремний и работать с ним. Если мы докажем его работоспособность, то силиценовые транзисторы сразу же смогут быть внедрены в полупроводниковую промышленность", — поясняет Акинванд.

Поясним, что дело тут не только в привычке. Транзисторы на основе кремния могут быть быстрее внедрены в производство по той простой причине, что переход от кремния к силицену технически будет осуществить гораздо проще.

Теоретические расчёты, произведённые за несколько лет до данного исследования, показали, что электрические свойства силицена должны не уступать свойствам самого графена. То есть электроны, путешествующие сквозь графеновую или силиценовую схему в любом направлении, должны почти не встречать на своём пути никаких препятствий. Отсутствие сопротивления обеспечит сверхбыструю работу электронных схем, предположили учёные.

Однако, в отличие от графена, силицен не встречается в природе. Для его получения химики выращивают материал в лаборатории на листе серебра. Углерод к тому же более стабилен в двухмерном пласте, тогда как атомы кремния деформируют структуру. На сегодняшний день лишь немногим материаловедам удалось получить силицен в лаборатории (в 2010-м и 2012-м годах).

Но даже получение материала ещё не означает, что его можно использовать по своему усмотрению. Нестабильность силицена заставляет делать для него защитное покрытие.

Акинванд и его коллеги вырастили силицен на тонкой плёнке из серебра и покрыли его оксидом алюминия. После получения этого "бутерброда", всю конструкцию перевернули и поместили на пластину из диоксида кремния (серебряной стороной вверх).

Затем серебряный слой обработали таким образом, чтобы сделать из него электрические контакты для силиценового транзистора. После завершения работы над устройством исследователи заключили, что оно может стабильно работать в условиях вакуума.

На данный момент изготовления силицена и конструирование из него транзисторов по методу Акинванда нецелесообразно. Технология получения материала является сложной и дорогостоящей, и потому её нельзя назвать коммерчески выгодной.

Однако эта работа демонстрирует возможности полевого транзистора на основе силицена, работающего при комнатной температуре. В статье журнала Nature Nanotechnology учёные описывают измеренные свойства полученного устройства.

Силицен, скорее всего, не заменит обычный кремний в компьютерных транзисторах в будущем, но он точно добавит функциональности чипам на его основе, делают вывод эксперты.


Источник: Вести.Наука




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Тонер
Тонер

Светодиодные технологии и оптоэлектроника: магистратура на стыке образования и индустрии
Открыт набор на первую в России индустриальную программу «Светодиодные технологии и оптоэлектроника» Университета ИТМО

Международная онлайн-дискуссия «Квант будущего»
Фонд Росконгресс, Госкорпорация «Росатом», Российский квантовый центр и научно-популярное издание N+1 завершают серию международных онлайн-дискуссий «Квант будущего», где лидеры индустрии и ведущие мировые ученые обсуждают, как квантовые технологии уже изменили наш мир, и с какими вызовами помогут справиться в будущем.
Заключительная дискуссия «Квантовая революция: профессии будущего и трансформация образования» состоится 8 июля в 17:00 по московскому времени.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Супергибридный материал для хранения водорода. Двумерная соль. Существование виртуальных мультиферроиков подтверждено. Чёрные бабочки. Служение науке и немного поэзии.

Академия - университетам
Е.А.Гудилин, Ю.Г.Горбунова, С.Н.Калмыков
Российская Академия Наук и Московский университет во время пандемии реализовали пилотную часть проекта "Академия – университетам: химия и науки о материалах в эпоху пандемии". За летний период планируется провести работу по подключению к проекту новых ВУЗов, институтов РАН, профессоров РАН, а также по взаимодействию с новыми уникальными лекторами для развития структурированного сетевого образовательного проекта "Академия - университетам".

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2020
Коллектив авторов
Защиты выпускных квалификационных работ (квалификация – бакалавр материаловедения) по направлению 04.03.02 - «химия, физика и механика материалов» на Факультете наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова состоятся 16, 17, 18 и 19 июня 2020 г.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2020 году
коллектив авторов
2 - 5 июня пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.