Рисунок 1. а,b) Различные схемы включения полевых транзисторов и OLED. с) Структура OLED, используемого для тестирования полученных транзисторов. d) Cхема процедуры получения транзистора
Рисунок 2. Вольтамперные характеристики обратносмещенного полевого транзистора, включенного в цепь с OLED (сверху) и яркость светодиода при различных напряжениях, подаваемых на затвор (внизу)
Рисунок 3. а) Полевой транзистор с верхним затвором, напечатанный на гибкой подложке Kapton (полиимидная пленка, разработанная DuPont), и соответствующие вольт-ампертные характеристики (b,c)
Несмотря на все усилия, OLED-дисплеи по цене пока не могут сравниться с жидкокристаллическими аналогами, хотя на заре становления органических светодиодов именно потенциально низкая стоимость была одним из основных стимулов их бурного развития. В последние годы низкая стоимость производства OLED-дисплеев в основном ассоциируется с массовым прозводством по средствам струйной печати, что в частности делает возможным создание OLED-дисплеев на гибких подложках. Однако до сих пор получение полевых транзисторов (точнее их массивов - TFT) для управления светодиодами (эта технология хорошо знакома благодаря рекламным буклетам модных и дорогих мобильных телефонов под аббревиатурой AMOLED) тем же доступным методом струйной печати оставалась существенной проблемой.
Свою лепту в решение данной проблемы внес коллектив исследователей из Университета Калифорнии (Лос Анджелес) вместе со своим дочерним стартапом, который предложил использовать ОУНТ для создания канала проводимости в обратносмещенном полевом транзисторе. Полученный транзистор полностью справился с возложенными на него обязанностями по управлению светодиодом, о чем свидетельствуют вольтамперная характеристика, на которой хорошо различимы область отсечки и триодная область при различных напряжениях на затворе.
Для реализации более сложной схемы (2T1C) необходимо обратносмещенный полевой транзистор превратить в транзистор с верхним затвором, например, путем нанесения дополнительного слоя полиэтиленимина/перхлората лития. Примечательно, что авторы впервые нанесли слой изолирующего полимера на канал проводимости, покрыв его лишь частично. Это привело к появлению трех областей с различным типом проводимости, что при определенном напряжении делает возможным межзонное туннелирование (полное покрытие канала проводимости приводит лишь к n-типу проводимости).
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
