Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
(a) Изображение со сканирующего электронного микроскопа кремниевых нанопроводов, выращенных при использовании золота в качестве катализатора (шкала: 10 микрон);

(b) металлические контакты с нанесенными in-sity SiNW (шкала: 10 микрон);

(c) Типичное SiNW ONO устройство (шкала: 1 микрон)

Curt A. Richter, Leader of the Nanoelectronic Device Metrology Project in NIST

Гибридное устройство для хранения памяти на основе нанопроводов показывает свой потенциал

Ключевые слова:  нанотехнология, периодика, транзистор, хранение памяти

Опубликовал(а):  Пименова Анна Сергеевна

14 июня 2007

Нанопровода и другие наноматериалы, как было показано, являются многообещающими объектами в области создания новых поколений электронных устройств. Из-за присущих им свойств, которые определяются только их размером, множество исследователей стремятся найти способы заменить ими существующую технологию, основанную на применении полевых МОП-транзисторов. Группа ученых из США (NIST, George Mason University) и Южной Кореи (Kwangwoon University) разработала гибридное запоминающее устройство, в котором применяются как общепринятые методики, так и используются свойства кремниевых нанопроводов. Гибридная структура, представленная данными устройствами, подразумевает, что они более надежные по сравнению с иными устройствами и их должно быть легче внедрять в современные компоненты.

Гибридное устройство, которое собрала группа исследователей, представляет собой энергонезависимое запоминающее устройство, напоминающее флэш-накопитель, которое сохраняет информацию в памяти даже в выключенном состоянии. В этом новом устройстве исследователи совместили кремниевые нанопровода с высококачественным типом энергонезависимой памяти, известным как SONOS-транзистор (Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor). Авторы говорят, что эта методика “обеспечила бы плавный переход для внедрения кремниевых нанопроводов в жизнеспособные запоминающие устройства с хорошо известной SONOS-структурой”. В дополнении к обнаруженным преимуществам более легкого внедрения, производство этих материалов было также сделано с использованием грамотной методики самосовмещения, которая снизила бы затраты на производство и конечную стоимость устройства по сравнению с комплексным методом, необходимым для производства обычных флэш-карт памяти.

Гибридное устройство работает довольно просто. Нанопровода выращиваются на субстрате Оксид-Нитрид-Оксид. Когда прикладывается положительное напряжение, электроны проникают в субстрат; когда прикладывается отрицательное напряжение, электроны возвращаются обратно в провода. В отсутствии напряжения с устройства может быть считана информация, и положение электронов будет представлять “1” или “0”. Авторы указывают, что данное устройство обладает рядом особенностей, делающих его привлекательным кандидатом для устройств с энергонезависимой памятью: способность проще записывать/считывать/удалять информацию, и что более важно, наличие широкого окна памяти, которое определяется диапазоном прикладываемого напряжения. Широкое окно памяти означает, что устройство будет обладать высокой сопротивляемостью к внешним скачкам напряжения.

Данная работа была опубликована в недавнем номере журнала Nanotechnology. В статье авторы говорят, что гибридные устройства также демонстрируют свои преимущества по сравнению с другими устройствами памяти на основе нанопроводов. В дополнении к простоте внедрения, которую особо подчеркивают авторы, разработанные устройства, как было показано, стабильны при более высоких температурах, чем их аналоги. Единственное, о чем не было сказано и что, возможно, неизвестно в настоящее время, - это какие значения плотности памяти могут быть достигнуты с помощью данной технологии.

Нанопровода привлекательны тем, что с их можно применять в очень маленьких по размеру приборах, но работа, представленная здесь, касается малого числа SiNW ONO (Silicon Nanowire Oxide-Nitride-Oxide) устройств, а не миллионов их, как обычно используется для производства чипа для коммерческого применения. И все же, если новое устройство может быть достойным соперником существующей плотности памяти, уменьшение стоимости производства могло бы стать несомненным преимуществом.


Источник: Ars Technica




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

C Новым Годом!
C Новым Годом!

Наносистемы: физика, химия, математика (2022, Т. 13, № 4)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume13/13-4
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Не только производные: как рассчитать кривизну пластины. Фуллерен и антибиотик. О непостоянстве ширины запрещенной зоны в ван-дерваальсовом магнитном топологическом изоляторе. Девятая Всероссийская конференция с международным участием “Топливные элементы и энергоустановки на их основе”

Поступай без экзаменов в совместную магистратуру "ИИ в биотех системах" ИТМО, Татнефть и АГНИ
Университет ИТМО, компания Татнефть и Альметьевский государственный нефтяной институт запускают совместную программу магистратуры "Искусственный интеллект в биотехнологических системах". Программа направлена на биологов, биотехнологов и химиков, готовых оттачивать навыки программирования и применять data-driven подход для решения фронтирных научных задач и создания реальных продуктов для вывода на рынок.

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2022 году
коллектив авторов
24 - 27 мая пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Пятилетка Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!": что было и что может быть в будущем
Е.А.Гудилин , А.А.Семенова
Уже более 15 лет живет и развивается Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в будущее!". За всю историю Олимпиады было предложено много инновационных решений, охват олимпиадой составил более 50 000 участников по всей Российской Федерации и странам ближнего зарубежья. В статье приводятся статистические данные по Олимпиаде и возможные пути ее дальнейшего развития.

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.