Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
(a) Изображение со сканирующего электронного микроскопа кремниевых нанопроводов, выращенных при использовании золота в качестве катализатора (шкала: 10 микрон);

(b) металлические контакты с нанесенными in-sity SiNW (шкала: 10 микрон);

(c) Типичное SiNW ONO устройство (шкала: 1 микрон)

Curt A. Richter, Leader of the Nanoelectronic Device Metrology Project in NIST

Гибридное устройство для хранения памяти на основе нанопроводов показывает свой потенциал

Ключевые слова:  нанотехнология, периодика, транзистор, хранение памяти

Опубликовал(а):  Пименова Анна Сергеевна

14 июня 2007

Нанопровода и другие наноматериалы, как было показано, являются многообещающими объектами в области создания новых поколений электронных устройств. Из-за присущих им свойств, которые определяются только их размером, множество исследователей стремятся найти способы заменить ими существующую технологию, основанную на применении полевых МОП-транзисторов. Группа ученых из США (NIST, George Mason University) и Южной Кореи (Kwangwoon University) разработала гибридное запоминающее устройство, в котором применяются как общепринятые методики, так и используются свойства кремниевых нанопроводов. Гибридная структура, представленная данными устройствами, подразумевает, что они более надежные по сравнению с иными устройствами и их должно быть легче внедрять в современные компоненты.

Гибридное устройство, которое собрала группа исследователей, представляет собой энергонезависимое запоминающее устройство, напоминающее флэш-накопитель, которое сохраняет информацию в памяти даже в выключенном состоянии. В этом новом устройстве исследователи совместили кремниевые нанопровода с высококачественным типом энергонезависимой памяти, известным как SONOS-транзистор (Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor). Авторы говорят, что эта методика “обеспечила бы плавный переход для внедрения кремниевых нанопроводов в жизнеспособные запоминающие устройства с хорошо известной SONOS-структурой”. В дополнении к обнаруженным преимуществам более легкого внедрения, производство этих материалов было также сделано с использованием грамотной методики самосовмещения, которая снизила бы затраты на производство и конечную стоимость устройства по сравнению с комплексным методом, необходимым для производства обычных флэш-карт памяти.

Гибридное устройство работает довольно просто. Нанопровода выращиваются на субстрате Оксид-Нитрид-Оксид. Когда прикладывается положительное напряжение, электроны проникают в субстрат; когда прикладывается отрицательное напряжение, электроны возвращаются обратно в провода. В отсутствии напряжения с устройства может быть считана информация, и положение электронов будет представлять “1” или “0”. Авторы указывают, что данное устройство обладает рядом особенностей, делающих его привлекательным кандидатом для устройств с энергонезависимой памятью: способность проще записывать/считывать/удалять информацию, и что более важно, наличие широкого окна памяти, которое определяется диапазоном прикладываемого напряжения. Широкое окно памяти означает, что устройство будет обладать высокой сопротивляемостью к внешним скачкам напряжения.

Данная работа была опубликована в недавнем номере журнала Nanotechnology. В статье авторы говорят, что гибридные устройства также демонстрируют свои преимущества по сравнению с другими устройствами памяти на основе нанопроводов. В дополнении к простоте внедрения, которую особо подчеркивают авторы, разработанные устройства, как было показано, стабильны при более высоких температурах, чем их аналоги. Единственное, о чем не было сказано и что, возможно, неизвестно в настоящее время, - это какие значения плотности памяти могут быть достигнуты с помощью данной технологии.

Нанопровода привлекательны тем, что с их можно применять в очень маленьких по размеру приборах, но работа, представленная здесь, касается малого числа SiNW ONO (Silicon Nanowire Oxide-Nitride-Oxide) устройств, а не миллионов их, как обычно используется для производства чипа для коммерческого применения. И все же, если новое устройство может быть достойным соперником существующей плотности памяти, уменьшение стоимости производства могло бы стать несомненным преимуществом.


Источник: Ars Technica




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Наноновогоднее 2014
Наноновогоднее 2014

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Акустическая волна как смазка – звук гасит трение. Новый фуллерит из неклассического C32. Правила устойчивости для азота. Уроки природы. Глаз дрозофилы показал, как синтезировать многофункциональные нанопокрытия. Переключение долинной поляризации с помощью электрического поля.

Отборочный этап конкурса детских инженерных команд «Кванториада 2020»
С 20 ноября по 24 декабря проводится международный конкурс детских инженерных команд «Кванториада 2020».

Технологическое образование школьников для новой технологической эпохи
Самарский филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы (РАНХиГС) вместе с Фондом инфраструктурных и образовательных программ (ФИОП) провели 2–3 ноября 2020 году Международную научно-практическую конференцию «Технологическое образование школьников для новой технологической эпохи».

Новый материал для выращивания стволовых клеток
Коллектив авторов
Исследователи из Института регенеративной медицины Медицинского научно-образовательного центра МГУ разработали новый способ получения каркаса для стволовых клеток, который можно будет имплантировать пациенту для наращивания у него недостающих тканей и даже органов.

Новая база данных поможет в поиске антивирусных и противоопухолевых препаратов
Коллектив авторов
Исследователи Московского государственного университета создали базу данных веществ, подавляющих белковый синтез — потенциальных лекарств для борьбы с раком и вирусными инфекциями.

Курс экспресс - подготовки к теоретическому туру XV наноолимпиады
коллектив авторов
В кратком экспресс - курсе подготовки к успешному прохождению заочного отборочного теоретического тура XV Всероссийской Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" собраны самые необходимые материалы для наиболее активных и мотивированных участников.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.