Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
(a) Изображение со сканирующего электронного микроскопа кремниевых нанопроводов, выращенных при использовании золота в качестве катализатора (шкала: 10 микрон);

(b) металлические контакты с нанесенными in-sity SiNW (шкала: 10 микрон);

(c) Типичное SiNW ONO устройство (шкала: 1 микрон)

Curt A. Richter, Leader of the Nanoelectronic Device Metrology Project in NIST

Гибридное устройство для хранения памяти на основе нанопроводов показывает свой потенциал

Ключевые слова:  нанотехнология, периодика, транзистор, хранение памяти

Опубликовал(а):  Пименова Анна Сергеевна

14 июня 2007

Нанопровода и другие наноматериалы, как было показано, являются многообещающими объектами в области создания новых поколений электронных устройств. Из-за присущих им свойств, которые определяются только их размером, множество исследователей стремятся найти способы заменить ими существующую технологию, основанную на применении полевых МОП-транзисторов. Группа ученых из США (NIST, George Mason University) и Южной Кореи (Kwangwoon University) разработала гибридное запоминающее устройство, в котором применяются как общепринятые методики, так и используются свойства кремниевых нанопроводов. Гибридная структура, представленная данными устройствами, подразумевает, что они более надежные по сравнению с иными устройствами и их должно быть легче внедрять в современные компоненты.

Гибридное устройство, которое собрала группа исследователей, представляет собой энергонезависимое запоминающее устройство, напоминающее флэш-накопитель, которое сохраняет информацию в памяти даже в выключенном состоянии. В этом новом устройстве исследователи совместили кремниевые нанопровода с высококачественным типом энергонезависимой памяти, известным как SONOS-транзистор (Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor). Авторы говорят, что эта методика “обеспечила бы плавный переход для внедрения кремниевых нанопроводов в жизнеспособные запоминающие устройства с хорошо известной SONOS-структурой”. В дополнении к обнаруженным преимуществам более легкого внедрения, производство этих материалов было также сделано с использованием грамотной методики самосовмещения, которая снизила бы затраты на производство и конечную стоимость устройства по сравнению с комплексным методом, необходимым для производства обычных флэш-карт памяти.

Гибридное устройство работает довольно просто. Нанопровода выращиваются на субстрате Оксид-Нитрид-Оксид. Когда прикладывается положительное напряжение, электроны проникают в субстрат; когда прикладывается отрицательное напряжение, электроны возвращаются обратно в провода. В отсутствии напряжения с устройства может быть считана информация, и положение электронов будет представлять “1” или “0”. Авторы указывают, что данное устройство обладает рядом особенностей, делающих его привлекательным кандидатом для устройств с энергонезависимой памятью: способность проще записывать/считывать/удалять информацию, и что более важно, наличие широкого окна памяти, которое определяется диапазоном прикладываемого напряжения. Широкое окно памяти означает, что устройство будет обладать высокой сопротивляемостью к внешним скачкам напряжения.

Данная работа была опубликована в недавнем номере журнала Nanotechnology. В статье авторы говорят, что гибридные устройства также демонстрируют свои преимущества по сравнению с другими устройствами памяти на основе нанопроводов. В дополнении к простоте внедрения, которую особо подчеркивают авторы, разработанные устройства, как было показано, стабильны при более высоких температурах, чем их аналоги. Единственное, о чем не было сказано и что, возможно, неизвестно в настоящее время, - это какие значения плотности памяти могут быть достигнуты с помощью данной технологии.

Нанопровода привлекательны тем, что с их можно применять в очень маленьких по размеру приборах, но работа, представленная здесь, касается малого числа SiNW ONO (Silicon Nanowire Oxide-Nitride-Oxide) устройств, а не миллионов их, как обычно используется для производства чипа для коммерческого применения. И все же, если новое устройство может быть достойным соперником существующей плотности памяти, уменьшение стоимости производства могло бы стать несомненным преимуществом.


Источник: Ars Technica




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Алкан на графите
Алкан на графите

Научно-популярный лекторий РНФ на Международном молодежном научном форуме «Ломоносов-2019»
С 9 по 11 апреля российские ученые рассказывают о своих научных исследованиях, которые выполняются по грантам Российского научного фонда. Лекции проходят в рамках Лектория РНФ во время проведения Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2019».

Фестивали «От Винта!» и NAUKA 0+ представили инновационные проекты на выставке Hannover Messe 2019
Ганновер (Германия) 5 апреля 2019 года. – Объединённая экспозиция Фестиваля детского и молодежного научно-технического творчества “От Винта!” и Всероссийского фестиваля NAUKA 0+ была представлена на крупнейшей выставке промышленных технологий Hannover Messe 2019 в Германии в составе стенда Российской Федерации, организованного Российским экспортным центром при поддержке Министерства промышленности и торговли РФ.

Стань магистрантом в области светодиодных технологий без экзаменов
От бакалавриата к магистратуре без вступительных экзаменов уже сейчас? С портфолио возможно все! Участвуйте в конкурсе «Науке нужен ты!» и получайте бюджетный билет в первую в России магистерскую программу в области светодиодных технологий и оптоэлектроники Университета ИТМО!

Интервью с Константином Козловым - абсолютным победителем XIII Наноолимпиады
А.А.Семенова
Школьник 11 класса Константин Козлов (г. Москва) стал абсолютным победителем Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" 2018/2019 по комплексу предметов "физика, химия, математика, биология". О своих впечатлениях, увлечениях и немного о планах на будущее Константин поделился с нами в интервью.

Микроэлементарно, Ватсон: как микроэлементы действуют на организм
Алексей Тиньков
Как на нас воздействуют кадмий, ртуть, цинк, медь и другие элементы таблицы Менделеева рассказал сотрудник кафедры медицинской элементологии РУДН Алексей Тиньков в интервью Indicator.Ru

Зимняя научная конференция студентов 4 курса ФНМ МГУ 22-23 января 2019 г.
Сафронова Т.В.
Настоящий сборник содержит тезисы докладов зимней научной студенческой конференции студентов 4-го курса ФНМ

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.