Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
(a) Изображение со сканирующего электронного микроскопа кремниевых нанопроводов, выращенных при использовании золота в качестве катализатора (шкала: 10 микрон);

(b) металлические контакты с нанесенными in-sity SiNW (шкала: 10 микрон);

(c) Типичное SiNW ONO устройство (шкала: 1 микрон)

Curt A. Richter, Leader of the Nanoelectronic Device Metrology Project in NIST

Гибридное устройство для хранения памяти на основе нанопроводов показывает свой потенциал

Ключевые слова:  нанотехнология, периодика, транзистор, хранение памяти

Опубликовал(а):  Пименова Анна Сергеевна

14 июня 2007

Нанопровода и другие наноматериалы, как было показано, являются многообещающими объектами в области создания новых поколений электронных устройств. Из-за присущих им свойств, которые определяются только их размером, множество исследователей стремятся найти способы заменить ими существующую технологию, основанную на применении полевых МОП-транзисторов. Группа ученых из США (NIST, George Mason University) и Южной Кореи (Kwangwoon University) разработала гибридное запоминающее устройство, в котором применяются как общепринятые методики, так и используются свойства кремниевых нанопроводов. Гибридная структура, представленная данными устройствами, подразумевает, что они более надежные по сравнению с иными устройствами и их должно быть легче внедрять в современные компоненты.

Гибридное устройство, которое собрала группа исследователей, представляет собой энергонезависимое запоминающее устройство, напоминающее флэш-накопитель, которое сохраняет информацию в памяти даже в выключенном состоянии. В этом новом устройстве исследователи совместили кремниевые нанопровода с высококачественным типом энергонезависимой памяти, известным как SONOS-транзистор (Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor). Авторы говорят, что эта методика “обеспечила бы плавный переход для внедрения кремниевых нанопроводов в жизнеспособные запоминающие устройства с хорошо известной SONOS-структурой”. В дополнении к обнаруженным преимуществам более легкого внедрения, производство этих материалов было также сделано с использованием грамотной методики самосовмещения, которая снизила бы затраты на производство и конечную стоимость устройства по сравнению с комплексным методом, необходимым для производства обычных флэш-карт памяти.

Гибридное устройство работает довольно просто. Нанопровода выращиваются на субстрате Оксид-Нитрид-Оксид. Когда прикладывается положительное напряжение, электроны проникают в субстрат; когда прикладывается отрицательное напряжение, электроны возвращаются обратно в провода. В отсутствии напряжения с устройства может быть считана информация, и положение электронов будет представлять “1” или “0”. Авторы указывают, что данное устройство обладает рядом особенностей, делающих его привлекательным кандидатом для устройств с энергонезависимой памятью: способность проще записывать/считывать/удалять информацию, и что более важно, наличие широкого окна памяти, которое определяется диапазоном прикладываемого напряжения. Широкое окно памяти означает, что устройство будет обладать высокой сопротивляемостью к внешним скачкам напряжения.

Данная работа была опубликована в недавнем номере журнала Nanotechnology. В статье авторы говорят, что гибридные устройства также демонстрируют свои преимущества по сравнению с другими устройствами памяти на основе нанопроводов. В дополнении к простоте внедрения, которую особо подчеркивают авторы, разработанные устройства, как было показано, стабильны при более высоких температурах, чем их аналоги. Единственное, о чем не было сказано и что, возможно, неизвестно в настоящее время, - это какие значения плотности памяти могут быть достигнуты с помощью данной технологии.

Нанопровода привлекательны тем, что с их можно применять в очень маленьких по размеру приборах, но работа, представленная здесь, касается малого числа SiNW ONO (Silicon Nanowire Oxide-Nitride-Oxide) устройств, а не миллионов их, как обычно используется для производства чипа для коммерческого применения. И все же, если новое устройство может быть достойным соперником существующей плотности памяти, уменьшение стоимости производства могло бы стать несомненным преимуществом.


Источник: Ars Technica




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Золотая ветвь
Золотая ветвь

На XXI Менделеевском съезде награждены выдающиеся ученые-химики
11 сентября 2019 года в Санкт-Петербурге на XXI Менделеевском съезде по общей и прикладной химии объявлены победители премии выдающимся российским ученым в области химии. Премия учреждена Российским химическим обществом им. Д.И.Менделеева совместно с компанией Elsevier с целью продвижения и популяризации науки, поощрения выдающихся ученых в области химии и наук о материалах.

Россия подала в ЮНЕСКО заявку на учреждение премии имени Менделеева для молодых ученых
Россия подала в ЮНЕСКО заявку на учреждение премии имени Менделеева для молодых ученых. Об этом премьер-министр РФ Дмитрий Медведев сообщил, открывая встречу с нобелевскими лауреатами, руководителями химических обществ, представителями международных и российских научных организаций.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Синтез “перламутровых” нанокомпозитов с помощью бактерий. Оптомагнитный нейрон.Устойчивость азотных нанотрубок. Электронные характеристики допированных фуллереновых димеров.

Люди, создающие новые материалы: от поколения X до поколения Z
Е.В.Сидорова
Самые диковинные экспонаты научной выставки, организованной в Москве в честь Международного года Периодической таблицы химических элементов в феврале 2019 г., можно было рассмотреть только "вооруженным глазом»: Таблица Д.И.Менделеева размером 5.0 × 8.7 мкм и нанопортрет первооткрывателя периодического закона великолепно демонстрировали возможности динамической АСМ-литографии на сканирующем зондовом микроскопе. Миниатюрные произведения представили юные участники творческих конкурсов XII Всероссийкой олимпиады по нанотехнологиям, когда-то задуманной академиком Ю.Д.Третьяковым — основателем факультета наук о материалах (ФНМ) Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова. О том, как подобное взаимодействие со школьниками и студентами помогает сохранить своеобразие факультета и почему невозможно воплощать идею междисциплинарного естественнонаучного образования, относясь к обучению как к конвейеру, редактору журнала «Природа» рассказал заместитель декана ФНМ член-корреспондент РАН Е.А.Гудилин.

Как наночастицы применяются в медицине?
А. Звягин
В чем преимущества наночастиц? Как они помогают ученым в борьбе с раком? Биоинженер Андрей Звягин о наночастицах в химиотерапии, имиджинговых системах и борьбе с раком кожи.

Медицинская керамика: какими будут имплантаты будущего?
В.С. Комлев, Д. Распутина
Почему керамические изделия применяются в хирургии? Какие технологии используются для создания имплантатов? Материаловед Владимир Комлев о том, почему керамика используется в медицине, как на ее основе создаются имплантаты и какие перспективы у биоинженерии

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.