Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Схема переносананолет InAs на подложку Si/SiO2.
Наноленты, готовые к переносу.
Изображения АСМ однослойных и двухслойных массивов нанолент.
Трензистор в разрезе.
Характеристики транзистора. S - исток, G - затвор, D - сток.

Ленты InAs для нанотранзисторов

Ключевые слова:  FET, наноленты, наноэлектроника, полевой транзистор

Опубликовал(а):  Трусов Л. А.

24 ноября 2010

Поговаривают, что в последние годы кремниевые технологии потихоньку подходят к пределам своих возможностей. А нам так хочется, чтобы электронные устройства становились всё меньше, быстрее и экономичнее. Одним из выходов из сложившейся ситуации является внедрение других полупроводниковых материалов, например, соединений A3B5, в уже отработанные кремниевые технологии. Однако вырастить качественные слои сложного состава на подложке из кремния не так-то просто.

Большая группа исследователей (16 человек) из США и Тайваня разработала эффективный метод переноса наноразмерных лент из арсенида индия на кремниевые подложки. Схема технологии изображены на рисунке 1. Сперва методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaSb/AlGaSb выращивается монокристаллическая плёнка InAs. Из неё литографически нарезаются ленты, после чего подложка под ними избирательно подтравливается, как показано на рисунке 2. Далее при помощи эластомера полидиметилсилоксана ленты переносятся на подложку Si/SiO2. Длина лент составляет 10 мкм, ширина – 300 нм и высота – 18 нм. По такой методике можно переносить ленточки из разнообразных материалов, а также выкладывать из них многослойные структуры (рис. 3).

Чтобы такие замечательные наноленточки не пропали даром, ученые сделали из них полевой транзистор. Для этого ленточки чуть-чуть окислили для получения слоя InAsOx толщиной 1 нм и напылили 8 нм слой ZrO2 в качестве диэлектрика затвора (рис. 4). Характеристики устройства приведены на рисунке 5. Величины силы тока во включенном и выключенном состоянии транзистора отличаются в 104 раз.

Таким образом, было придумано, как интегрировать наноленточки InAs в полупроводниковое устройство. Авторы не видят принципиальных сложностей масштабирования технологии и предлагают для этого выращивать ленты A3B5 прямо на 12-дюймовых пластинах и непосредственно переносить на пластины Si/SiO2. Подробности можно узнать в статье «Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for high-performance nanoscale transistors» (DOI: 10.1038/nature09541) и обширном вспомогательном материале к ней.


Источник: Nature



Комментарии
Юный максималист, 25 ноября 2010 15:26 
Лев, тебя читать одно удовольствие :)
А как они сделали так, чтобы ленты отлипли пот
полимера и прилипли к SiO2?
Трусов Л. А., 25 ноября 2010 16:03 
этот момент как-то от меня ускользнул. сами они пишут следующее:
InAs NRs were transferred by pressing (10–200 N/cm2, ~10 sec) the PDMS slab on a Si/SiO2 receiver substrate in ambient laboratory condition (e.g. room temperature and air environment). Before the transfer of InAs NRs, the receiver substrate was cleaned by acetone, IPA, and DI water. The PDMS slab was gently removed from the Si/SiO2 substrate, leaving behind the InAs NRs.
Юный максималист, 28 ноября 2010 00:12 
А могли они полимер как-нибудь растворить или
дать ему улететь?
Вот они бы ещё комплементарную пару собрали - цены бы им небыло! Интересно как себя ведут полоски p-InAs.

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Самая маленькая в мире валентинка от IBM
Самая маленькая в мире валентинка от IBM

Конкурс логотипа ФНМ МГУ
Факультет наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова объявляет творческий конкурс логотипа (эмблемы) ФНМ, работы принимаются с 21 августа до 15 сентября 2019 года. Участники - все, кто имеет или когда бы то ни было имел отношение к ФНМ МГУ: студенты, аспиранты, преподаватели, сотрудники, выпускники, а также все творческие люди из большой университетской семьи.

Продолжается прием статей в 11-й выпуск Межвузовского сборника научных трудов «Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов»
Продолжается прием статей в 11-й выпуск Межвузовского сборника научных трудов «Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов»

Участие НТ-МДТ Cпектрум Инструментс в конференции “ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D КРИСТАЛЛ”
Участие НТ-МДТ Cпектрум Инструментс в конференции “ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D КРИСТАЛЛ” 5-9 августа 2019 года в Новосибирске

3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве
И.В.Яминский
Материалы лекции проф. МГУ, д.ф.-м.н., генерального директора Центра Перспективных технологий И.В.Яминского "3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве". 3D принтер, сканирующий зондовый микроскоп и фрезерный станок. Что общего между ними? Как конструировать их своими руками? Небольшой экскурс в практические нанотехнологии. Поучительная история о создании сканирующего туннельного микроскопа. От идеи до нобелевской премии за 5 лет. Взгляд в микромир – от атомов и молекул до живых клеток. Как взвесить массу одного атома? Вирусы и бактерии – наши друзья или враги? Медицинские приложения нанотехнологий – нанобиосенсоры для обнаружения биологических агентов.

Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники
В.А.Кецко
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. В сообщении даны материалы лекции д.х.н., в.н.с. ИОНХ РАН В.А.Кецко "Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники".

Лекции и семинары от ФНМ МГУ на Нанограде
Е.А.Гудилин
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. Ниже даны материалы лекций и семинаров представителя ФНМ МГУ проф., д.х.н. Е.А.Гудилина.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.