Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Схема переносананолет InAs на подложку Si/SiO2.
Наноленты, готовые к переносу.
Изображения АСМ однослойных и двухслойных массивов нанолент.
Трензистор в разрезе.
Характеристики транзистора. S - исток, G - затвор, D - сток.

Ленты InAs для нанотранзисторов

Ключевые слова:  FET, наноленты, наноэлектроника, полевой транзистор

Опубликовал(а):  Трусов Л. А.

24 ноября 2010

Поговаривают, что в последние годы кремниевые технологии потихоньку подходят к пределам своих возможностей. А нам так хочется, чтобы электронные устройства становились всё меньше, быстрее и экономичнее. Одним из выходов из сложившейся ситуации является внедрение других полупроводниковых материалов, например, соединений A3B5, в уже отработанные кремниевые технологии. Однако вырастить качественные слои сложного состава на подложке из кремния не так-то просто.

Большая группа исследователей (16 человек) из США и Тайваня разработала эффективный метод переноса наноразмерных лент из арсенида индия на кремниевые подложки. Схема технологии изображены на рисунке 1. Сперва методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaSb/AlGaSb выращивается монокристаллическая плёнка InAs. Из неё литографически нарезаются ленты, после чего подложка под ними избирательно подтравливается, как показано на рисунке 2. Далее при помощи эластомера полидиметилсилоксана ленты переносятся на подложку Si/SiO2. Длина лент составляет 10 мкм, ширина – 300 нм и высота – 18 нм. По такой методике можно переносить ленточки из разнообразных материалов, а также выкладывать из них многослойные структуры (рис. 3).

Чтобы такие замечательные наноленточки не пропали даром, ученые сделали из них полевой транзистор. Для этого ленточки чуть-чуть окислили для получения слоя InAsOx толщиной 1 нм и напылили 8 нм слой ZrO2 в качестве диэлектрика затвора (рис. 4). Характеристики устройства приведены на рисунке 5. Величины силы тока во включенном и выключенном состоянии транзистора отличаются в 104 раз.

Таким образом, было придумано, как интегрировать наноленточки InAs в полупроводниковое устройство. Авторы не видят принципиальных сложностей масштабирования технологии и предлагают для этого выращивать ленты A3B5 прямо на 12-дюймовых пластинах и непосредственно переносить на пластины Si/SiO2. Подробности можно узнать в статье «Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for high-performance nanoscale transistors» (DOI: 10.1038/nature09541) и обширном вспомогательном материале к ней.


Источник: Nature



Комментарии
Юный максималист, 25 ноября 2010 15:26 
Лев, тебя читать одно удовольствие :)
А как они сделали так, чтобы ленты отлипли пот
полимера и прилипли к SiO2?
Трусов Л. А., 25 ноября 2010 16:03 
этот момент как-то от меня ускользнул. сами они пишут следующее:
InAs NRs were transferred by pressing (10–200 N/cm2, ~10 sec) the PDMS slab on a Si/SiO2 receiver substrate in ambient laboratory condition (e.g. room temperature and air environment). Before the transfer of InAs NRs, the receiver substrate was cleaned by acetone, IPA, and DI water. The PDMS slab was gently removed from the Si/SiO2 substrate, leaving behind the InAs NRs.
Юный максималист, 28 ноября 2010 00:12 
А могли они полимер как-нибудь растворить или
дать ему улететь?
Вот они бы ещё комплементарную пару собрали - цены бы им небыло! Интересно как себя ведут полоски p-InAs.

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Пушистый дрожж
Пушистый дрожж

Крабовый панцирь побеждает грязную нефть
Химики МГУ разработали уникальную люминесцентную методику определения маркеров «грязной нефти» (дибензотиофенов) с использованием селективной сорбции в оптически прозрачных материалах на основе сшитых гелей хитозана.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Броуновское движение скирмионов.Растягиваем графен правильно. Красное вино, кофе и чай помогают создавать материалы для гибкой носимой электроники. Металлическая природа кремния и углерода.

К 2023 году российские химики могут занять 4-е место в мире
Эксперты отметили рост числа научных публикаций отечественных ученых и сообщили, что к 2023 году российские химики могут занять 4-е место в мире по публикационной активности.
27 – 29 ноября в рамках юбилейных мероприятий Химического факультета МГУ и торжественной церемонии закрытия Международного года Периодической таблицы химических элементов эксперты подвели итоги 2019 г.

Константин Жижин, член-корреспондент РАН: «Бор безграничен»
Наталия Лескова
Беседа с К.Ю. Жижиным, заместителем директора Института общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова по научной работе, главным научным сотрудником лаборатории химии легких элементов и кластеров.

Мембраны правят миром
Коллектив авторов, Гудилин Е.А.
Ученые МГУ за счет детального изучения структурных и морфологических характеристик материалов на основе оксида графена и 2D-карбидов титана, а также моделирования их свойств, улучшили методы создания мембран для широкого круга практических применений.

Лекция про Дмитрия Ивановича и Наномир на Фестивале науки
Е.А.Гудилин и др., Фестиваль науки
В дни Фестиваля науки «NAUKA 0+» на Химическом факультете МГУ ведущие ученые познакомили слушателей с самыми современными достижениями химии. Ниже приводится небольшой фоторепортаж 1 дня и расписание лекций.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.