Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Схема переносананолет InAs на подложку Si/SiO2.
Наноленты, готовые к переносу.
Изображения АСМ однослойных и двухслойных массивов нанолент.
Трензистор в разрезе.
Характеристики транзистора. S - исток, G - затвор, D - сток.

Ленты InAs для нанотранзисторов

Ключевые слова:  FET, наноленты, наноэлектроника, полевой транзистор

Опубликовал(а):  Трусов Л. А.

24 ноября 2010

Поговаривают, что в последние годы кремниевые технологии потихоньку подходят к пределам своих возможностей. А нам так хочется, чтобы электронные устройства становились всё меньше, быстрее и экономичнее. Одним из выходов из сложившейся ситуации является внедрение других полупроводниковых материалов, например, соединений A3B5, в уже отработанные кремниевые технологии. Однако вырастить качественные слои сложного состава на подложке из кремния не так-то просто.

Большая группа исследователей (16 человек) из США и Тайваня разработала эффективный метод переноса наноразмерных лент из арсенида индия на кремниевые подложки. Схема технологии изображены на рисунке 1. Сперва методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaSb/AlGaSb выращивается монокристаллическая плёнка InAs. Из неё литографически нарезаются ленты, после чего подложка под ними избирательно подтравливается, как показано на рисунке 2. Далее при помощи эластомера полидиметилсилоксана ленты переносятся на подложку Si/SiO2. Длина лент составляет 10 мкм, ширина – 300 нм и высота – 18 нм. По такой методике можно переносить ленточки из разнообразных материалов, а также выкладывать из них многослойные структуры (рис. 3).

Чтобы такие замечательные наноленточки не пропали даром, ученые сделали из них полевой транзистор. Для этого ленточки чуть-чуть окислили для получения слоя InAsOx толщиной 1 нм и напылили 8 нм слой ZrO2 в качестве диэлектрика затвора (рис. 4). Характеристики устройства приведены на рисунке 5. Величины силы тока во включенном и выключенном состоянии транзистора отличаются в 104 раз.

Таким образом, было придумано, как интегрировать наноленточки InAs в полупроводниковое устройство. Авторы не видят принципиальных сложностей масштабирования технологии и предлагают для этого выращивать ленты A3B5 прямо на 12-дюймовых пластинах и непосредственно переносить на пластины Si/SiO2. Подробности можно узнать в статье «Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for high-performance nanoscale transistors» (DOI: 10.1038/nature09541) и обширном вспомогательном материале к ней.


Источник: Nature



Комментарии
Юный максималист, 25 ноября 2010 15:26 
Лев, тебя читать одно удовольствие :)
А как они сделали так, чтобы ленты отлипли пот
полимера и прилипли к SiO2?
Трусов Л. А., 25 ноября 2010 16:03 
этот момент как-то от меня ускользнул. сами они пишут следующее:
InAs NRs were transferred by pressing (10–200 N/cm2, ~10 sec) the PDMS slab on a Si/SiO2 receiver substrate in ambient laboratory condition (e.g. room temperature and air environment). Before the transfer of InAs NRs, the receiver substrate was cleaned by acetone, IPA, and DI water. The PDMS slab was gently removed from the Si/SiO2 substrate, leaving behind the InAs NRs.
Юный максималист, 28 ноября 2010 00:12 
А могли они полимер как-нибудь растворить или
дать ему улететь?
Вот они бы ещё комплементарную пару собрали - цены бы им небыло! Интересно как себя ведут полоски p-InAs.

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Нанодом
Нанодом

Наносистемы: физика, химия, математика (2024, Т. 15, № 1)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume15/15-1
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2023, Т. 14, № 5)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume14/14-5
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2023, Т. 14, № 4)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume14/14-4
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2023 году
коллектив авторов
30 мая - 01 июня пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.