Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рис.1. Полевой транзистор на основе наностержня графена. (a) Схематическое изображение полевого транзистора на SiO2 толщиной 10 нм с Pd на S/D. P++ Si использовался в качестве G (затвора). АФМ-изображения полученных транзисторов: (b) с узкой полоской графена и (c) с широкой. Размерная шкала 100 нм.
Рис.2. Поведение двух полученных типов транзисторов: (a,b)с узкой полосой графена и (c,d) с широкой полосой. (a, c) Характеристики передачи, (b,d) выходная характеристика.
Рис.3. Трёхканальный полевой транзистор. (a) АФМ-изображение данного устройства (стрелки указывают на рабочие части транзистора), длины (снизу вверх): 110, 216 и 470 нм. (b) Выходная характеристика (кружочки – экспериментальные данные, линии – расчёт) для самого длинного сегмента. (с) Оценка паразитного сопротивления путём экстраполяции графика зависимости сопротивления в «открытом» состоянии от длины слоя графена.
Рис.4. (a) Зависимость подвижности носителей заряда от длины слоя графена. (b) Сравнение свойств графенового транзистора и транзистора на основе УНТ.

Полевые транзисторы на основе графена

Ключевые слова:  Intel, графен, наноструктура, полевой транзистор

Опубликовал(а):  Смирнов Евгений Алексеевич

18 июня 2008

Создание транзисторов и других элементов микросхем на основе графена является одной из самых основных задач на пути построения микроэлектроники нового поколения. На данный момент существует два кандидата на роль материала для новых некремниевых транзисторов: графен и углеродные нанотрубки. Пока ещё не решена проблема промышленного получения монослоёв углерода или УНТ с заданными параметрами, однако исследования в области построения вычислительных устройств на основе этих материалов уже ведутся.

Группа американских учёных создала и исследовала поведение полевого транзистора на основе узкой полоски графена. Ширина запрещённой зоны в монослое углерода зависит от ширины этого слоя, поэтому для создания устройств, способных работать при комнатной температуре, необходимо уменьшить ширину слоя графена до суб-10 нм состояния (рис.1).

Получив такого рода транзистор, учёные изучили его поведение и сравнили с транзистором на основе УНТ и с широкой полоской графена (рис.2). Оказалось, что слой углерода шириной около 60 нм ведёт себя фактически как металл, тогда как транзистор с узкой полоской графена работает примерно так же, как и обычный кремниевый транзистор.

Далее учёные измеряли подвижность и длину свободного пробега носителей заряда в данном транзисторе (рис.3). Было проведено также моделирование выходных характеристик подобного рода транзисторов. Оказалось, что паразитное сопротивление в таком устройстве составляет около 60 кОм, а подвижность носителей заряда меняется достаточно сильно при небольшом изменении ширины слоя графена (рис.4). Сравнение же с УНТ (рис.4) показало, что данный тип полевых транзисторов обладает схожими характеристиками и способен в будущем составить конкуренцию транзисторам на углеродных нанотрубках.

Авторы работы надеются, что успешные исследования в области построения такого рода устройств, а также понимание роли граней графеного слоя и применение high-k материалов позволят создать новое поколение полевых транзисторов с отличными характеристиками.




Комментарии
Бурнин Андрей The Ugly Bird, 23 июня 2008 19:47 
Вот интересно, поведение транзисторов с различной шириной полосы графена совершенно разное. Было бы логичным попробовать промежуточные размеры, что бы посмотреть на переход между этими двумя типами.
а там смысл в том, что ширина запрещённой зоны обратно пропорциональна ширине, т.е. они брали заведомо полупроводник с достаточной Eg для построение транзистора при комнатной температуре...вроде так...

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Солнце с молоком
Солнце с молоком

Фотоконкурс по Периодической Системе Элементов имени Д.И.Менделеева
Конкурс авторских фотографий школьников, студентов, аспирантов, молодых ученых, учителей и преподавателей, содержащих интересные и необычные варианты Периодической Системы Элементов имени Д.И.Менделеева или отдельных химических элементов. Конкурс организован Российским Химическим Обществом имени Д.И.Менделеева при поддержке Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова и Фонда инфраструктурных и образовательных программ.

17 компаний стали обладателями Знака «Российская нанотехнологическая продукция»
Одним из репутационных инструментов для защиты инновационных компаний наноиндустрии является знак «Российская нанотехнологическая продукция». Торжественное вручение знака состоялось 7 декабря в рамках VI Конгресса предприятий наноиндустрии.

International photography contest denoted to the year of 150 Anniversary of the Periodic Table of Elements
Russian Chemical Society named after D.I.Mendeleev starts in the frame of XII Russian Olympiad "Nanotechnology - Breakthrough to the Future!" under the support of Faculty of Materials Science of Lomonosov Moscow State University and the Fund for Infrastructure and Educational Program the International photography contest denoted to the Year of 150 Anniversary of the Periodic Table.

Прощай, лампочка Ильича!
Д.Н.Плешков
Современные светоизлучающие устройства безальтернативно завоевывают рынок и становятся частью нашей повседневной жизни.

Композиты УНТ-ГАП – биоактивная матрица для роста костных тканей
Е.С.Климашина
Нанокомпозиты - одно из перспективных направлений развития материаловедения в интересах биологии и современной медицинской практики.

Умный дом
Н.В.Лысков
Умные дома могут составить яркую черту нашего будущего и прогресс в этом направлении связан с созданием новых поколений наноматериалов.

Система практик ФНМ МГУ
А.Б.Тарасов, А.В.Кнотько, Е.А.Гудилин

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!

Проектная работа

Сегодня становится все более популярной так называемая проектная работа школьников, однако на этот счет есть очень разные мнения. Мы были бы признательны, если бы Вы высказали кратко свое мнение по этому поводу путем голосования. Заранее благодарны!

Закон о реформировании РАН

В Совместном заявлении Совета по науке и членов Общественного совета Минобрнауки предлагается отозвать нынешний проект закона о "реформировании" РАН из Государственной думы и вернуться к его рассмотрению с соблюдением процедуры утвержденной постановлением Правительства РФ №851 от 25.08.2012, и указом Президента РФ №601 от 07.05.2012, которая была грубо нарушена. Мы предлагаем Вам высказать (анонимно) свое мнение в данном опросе, чтобы его статистические результаты были видны всем участникам опроса и общественности.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.