Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рис.1. Полевой транзистор на основе наностержня графена. (a) Схематическое изображение полевого транзистора на SiO2 толщиной 10 нм с Pd на S/D. P++ Si использовался в качестве G (затвора). АФМ-изображения полученных транзисторов: (b) с узкой полоской графена и (c) с широкой. Размерная шкала 100 нм.
Рис.2. Поведение двух полученных типов транзисторов: (a,b)с узкой полосой графена и (c,d) с широкой полосой. (a, c) Характеристики передачи, (b,d) выходная характеристика.
Рис.3. Трёхканальный полевой транзистор. (a) АФМ-изображение данного устройства (стрелки указывают на рабочие части транзистора), длины (снизу вверх): 110, 216 и 470 нм. (b) Выходная характеристика (кружочки – экспериментальные данные, линии – расчёт) для самого длинного сегмента. (с) Оценка паразитного сопротивления путём экстраполяции графика зависимости сопротивления в «открытом» состоянии от длины слоя графена.
Рис.4. (a) Зависимость подвижности носителей заряда от длины слоя графена. (b) Сравнение свойств графенового транзистора и транзистора на основе УНТ.

Полевые транзисторы на основе графена

Ключевые слова:  Intel, графен, наноструктура, полевой транзистор

Опубликовал(а):  Смирнов Евгений Алексеевич

18 июня 2008

Создание транзисторов и других элементов микросхем на основе графена является одной из самых основных задач на пути построения микроэлектроники нового поколения. На данный момент существует два кандидата на роль материала для новых некремниевых транзисторов: графен и углеродные нанотрубки. Пока ещё не решена проблема промышленного получения монослоёв углерода или УНТ с заданными параметрами, однако исследования в области построения вычислительных устройств на основе этих материалов уже ведутся.

Группа американских учёных создала и исследовала поведение полевого транзистора на основе узкой полоски графена. Ширина запрещённой зоны в монослое углерода зависит от ширины этого слоя, поэтому для создания устройств, способных работать при комнатной температуре, необходимо уменьшить ширину слоя графена до суб-10 нм состояния (рис.1).

Получив такого рода транзистор, учёные изучили его поведение и сравнили с транзистором на основе УНТ и с широкой полоской графена (рис.2). Оказалось, что слой углерода шириной около 60 нм ведёт себя фактически как металл, тогда как транзистор с узкой полоской графена работает примерно так же, как и обычный кремниевый транзистор.

Далее учёные измеряли подвижность и длину свободного пробега носителей заряда в данном транзисторе (рис.3). Было проведено также моделирование выходных характеристик подобного рода транзисторов. Оказалось, что паразитное сопротивление в таком устройстве составляет около 60 кОм, а подвижность носителей заряда меняется достаточно сильно при небольшом изменении ширины слоя графена (рис.4). Сравнение же с УНТ (рис.4) показало, что данный тип полевых транзисторов обладает схожими характеристиками и способен в будущем составить конкуренцию транзисторам на углеродных нанотрубках.

Авторы работы надеются, что успешные исследования в области построения такого рода устройств, а также понимание роли граней графеного слоя и применение high-k материалов позволят создать новое поколение полевых транзисторов с отличными характеристиками.




Комментарии
Бурнин Андрей The Ugly Bird, 23 июня 2008 19:47 
Вот интересно, поведение транзисторов с различной шириной полосы графена совершенно разное. Было бы логичным попробовать промежуточные размеры, что бы посмотреть на переход между этими двумя типами.
а там смысл в том, что ширина запрещённой зоны обратно пропорциональна ширине, т.е. они брали заведомо полупроводник с достаточной Eg для построение транзистора при комнатной температуре...вроде так...

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Кристаллография - детям. Снежинки к Новому году.
Кристаллография - детям. Снежинки к Новому году.

Продление приема заявок в акселератор «Химпром startup challenge 2018»
Фонд «Сколково» и ПАО «Химпром» объявили о продлении срока приема заявок до 15 октября 2018 года в совместную акселерационную программу, которая проходит при поддержке Московского Государственного Университета имени М. В. Ломоносова.

Премии Правительства Москвы молодым ученым
Стартовал прием заявок на получение премии правительства Москвы молодым ученым.
Участвовать в конкурсе смогут авторы научных исследований в области естественных, технических и гуманитарных наук. Премия также присуждается за разработку и внедрение новых технологий, приборов и материалов. Принять участие в конкурсе смогут молодые ученые не старше 36 лет и доктора наук от 36 до 40 лет.

Конкурс научной иллюстрации «Cнимай науку для Википедии»
Цель конкурса «Cнимай науку для Википедии» - популяризации науки и иллюстрирование статей энциклопедии Википедия, посвящённых науке.
Конкурс проводится совместно с телеканалом «Наука», прием работ до 30 сентября 2018 года включительно.

Эксперт: Ингредиенты готовы к началу реакции
Вера Колерова
Малотоннажная химия по-прежнему не в фаворе у бизнеса и власти. Первый не идет в этот сектор из-за больших вложений и долгих сроков окупаемости. А правительство приняло всего лишь дорожную карту развития этой подотрасли. Но предпосылки для ее подъема все-таки есть. Важно не упустить момент ...

Оптическая жизнь дисульфидных нанотрубок
А.Ю.Поляков, Е.А.Гудилин
Недавно полученные экспериментальные результаты позволяют рассматривать нанотрубки дисульфида вольфрама в качестве основы для новых фотонных устройств, элементов оптических схем. Кроме того, знания о нетривиальных оптических особенностях данных наноструктур позволят по-новому взглянуть на свойства композитов плазмонных наночастиц золота и серебра с дисульфидными нанотрубками.

Наноматериалы в ядерных технологиях
Тананаев И.Г.
Сегодня активное развитие ядерных технологий – мировая тенденция, связанная с обеспечением устойчивого развития мирового сообщества. Решение энергетических проблем путем строительства новых атомных станций, формирование персонифицированной высокотехнологической медицины за счет внедрения ядерной медицины, освоение Арктики и космического пространства – основы ядерных технологий, не говоря об обеспечении государственной безопасности и удержания паритета ядерных вооружений.

Инновационные системы: достижения и проблемы
Олег Фиговский, Валерий Гумаров

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!

Проектная работа

Сегодня становится все более популярной так называемая проектная работа школьников, однако на этот счет есть очень разные мнения. Мы были бы признательны, если бы Вы высказали кратко свое мнение по этому поводу путем голосования. Заранее благодарны!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.