Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Дмитриев Александр Олегович
Дмитриев Александр Олегович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Московская, Королёв

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Лнип

Дмитриев Антон Александрович
Дмитриев Антон Александрович

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Украина, Киевская, Киев

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

185 Специализированная Физ-мат Школа

Дмитриев Виктор Геннадьевич
Дмитриев Виктор Геннадьевич

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Калужская область, Калуга

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Мгту Им. Н.э. Баумана

Дмитриенко Артем Олегович
Дмитриенко Артем Олегович

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Московская обл., Люберцы

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Химический Факультет, Мгу Им. М.в. Ломоносова

Дмитрюк Владимир Андреевич
Дмитрюк Владимир Андреевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Ростовская область, Красный Сулин

Статус: Школьник (9 класс)

Моу Сош № 8

Добринский Михаил Васильевич
Добринский Михаил Васильевич

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Белгород

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Бгту Им.в.г.шухова

Доброхотова Екатерина Валерьевна
Доброхотова Екатерина Валерьевна

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Московская, Черноголовка

Статус: Бакалавр

Рудн

Доброцветов Дмитрий Михайлович
Доброцветов Дмитрий Михайлович

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Мифи

Добрынин Дмитрий Сергеевич
Добрынин Дмитрий Сергеевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Тюменская обл., С. Онохино

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Онохинская Сош

Довголенко Елена Александровна
Довголенко Елена Александровна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Ставропольский край, Пятигорск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №8

Довженко Тарас Александрович
Довженко Тарас Александрович

Количество полных лет: 37

Текщее местоположение: Франция, Тулуза

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Беларуский Государственный Университет, Физический Факультет

Довжиков Сергей Николаевич
Довжиков Сергей Николаевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Республика Коми, Ухта

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "ухтинский Технический Лицей Им. Г.в. Рассохина"

Додонова Мария Николаевна
Додонова Мария Николаевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, республика Мордовия, Саранск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №34, Г. Саранск

Дождёва Анастасия Александровна
Дождёва Анастасия Александровна

Количество полных лет: 24

Текщее местоположение: Россия, ХМАО, Мегион

Статус: Школьник (5 класс)

Моу Сош №4, Г. Мегион

Докукин Сергей Александрович
Докукин Сергей Александрович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Московская, Пересвет

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Физико-математический Лицей

Докучаев Аркадий Андреевич
Докучаев Аркадий Андреевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Иркутская область, Иркутск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Лицей-интернат №1, Г. Иркутск

Долгалев Иван Александрович
Долгалев Иван Александрович

Количество полных лет: 21

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (до 4 класса)

Гоу Сош №525

Долганов Матвей Александрович
Долганов Матвей Александрович

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Мгу

Долгих Дмитрий Евгеньевич
Долгих Дмитрий Евгеньевич

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Тамбовская, Тамбов

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Тамбовский Государственный Университет Имени Г.р.державина

Долгих Игорь Игоревич
Долгих Игорь Игоревич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Воронежская, Воронеж

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №8

 
ДНК на графите модифицированном октадециламином
ДНК на графите модифицированном октадециламином

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.