Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Савченко Алина Юрьевна
Савченко Алина Юрьевна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Амурская, Муравьёвка

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Муравьёвская Сош

Савченко Дмитрий Игоревич
Савченко Дмитрий Игоревич

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Украина, Крым, Севастополь

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Филиал Мгу В Г.севастополе

Савченков Павел Сергеевич
Савченков Павел Сергеевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Смоленская, Демидов

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №2 Г. Демидов

Саган Антон Игоревич
Саган Антон Игоревич

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Украина, крым, Севастополь

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Филиал Мгу В Г.севастополе

Сагдатшин Риаз Саматович
Сагдатшин Риаз Саматович

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Республика Татарстан, Набережные Челны

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Гбоу Впо "набережночелнинский Государственный Торгово-технологический Институт"

Сагитова Алсу Вакифовна
Сагитова Алсу Вакифовна

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Татарстан, Казань

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Казанский Государственный Университет

Садкевич Александр Михайлович
Садкевич Александр Михайлович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Смоленская обл, Село Новодугино

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Новодугинская Средняя Школа

Садовников Алексей Александрович
Садовников Алексей Александрович

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Химический Факультет, Мгу Им. М.в. Ломоносова

Садовникова Мария Владимировна
Садовникова Мария Владимировна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Саратовская, Балаково

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "лицей №1", Г. Балаково

Садреев Ильдар Ильшатович
Садреев Ильдар Ильшатович

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Татарстан, Казань

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Казанский Государственный Университет

Садыбеков Арман Арманович
Садыбеков Арман Арманович

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Химический Факультет, Мгу Им. М.в. Ломоносова

Сажин Александр Михайлович
Сажин Александр Михайлович

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Казахстан, Павлодарская, Аксу

Статус: Школьник (8 класс)

Сош №4, Г. Аксу

Сазикова Анастасия Витальевна
Сазикова Анастасия Витальевна

Количество полных лет: 23

Текщее местоположение: Россия, ХМАО-Югра, Сургут

Статус: Школьник (5 класс)

Моу Сош №24, Г. Сургут

Сазонова Наталья Валерьевна
Сазонова Наталья Валерьевна

Количество полных лет: 47

Текщее местоположение: Россия, Пермский край, Чернушка

Статус: Учитель или преподаватель

Фгоу Спо "чернушинский Политехнический Колледж"

Саитов Антон Владиславович
Саитов Антон Владиславович

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Астраханская, Астрахань

Статус: Магистрант

Астраханский Государственный Университет

Саитов Ильмир Гербертович
Саитов Ильмир Гербертович

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Татарстан, Набережные Челны

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "гимназия №26", Г. Набережные Челны

Сайфулина Ольга Олеговна
Сайфулина Ольга Олеговна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Сургут

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №44

Салимова Марина Александровна
Салимова Марина Александровна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Хабаровский край, Николаевск-на-амуре

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №5

Салов Антон Сереегвич
Салов Антон Сереегвич

Количество полных лет: 25

Текщее местоположение: Россия, Нижегородская обл., Заволжье

Статус: Школьник (7 класс)

Школа №19

Салопихина Ася Алексеевна
Салопихина Ася Алексеевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Ставропольский край, С.новая Деревня

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №20

 
Графен
Графен

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.