Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Глухов Иван Сергеевич
Глухов Иван Сергеевич

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Abbyy

Глушков Дмитрий Викторович
Глушков Дмитрий Викторович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Перевалово

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Переваловсая Сош

Глушков Фёдор Васильевич
Глушков Фёдор Васильевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Марий Эл, Йошкар-ола

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №15 Г. Йошкар-олы

Глушкова Дарья Анатольевна
Глушкова Дарья Анатольевна

Количество полных лет: 23

Текщее местоположение: Россия, ХМАО - Югра, Сургут

Статус: Школьник (5 класс)

Моу Гимназия №2

Глушкова Нина Александровна
Глушкова Нина Александровна

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Белгород

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Бгту Им.в.г.шухова

Гнатовский Евгений Русланович
Гнатовский Евгений Русланович

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Иркутская область, Иркутск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "лицей №1", Г. Иркутск

Гнездилов Сергей Андреевич
Гнездилов Сергей Андреевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Калининградская, Гусев

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №5, Г. Гусев

Говор Виталий Сергеевич
Говор Виталий Сергеевич

Количество полных лет: 25

Текщее местоположение: Россия, Санкт-петербург

Статус: Школьник (7 класс)

Гимназия №196

Гоголев Александр Андреевич
Гоголев Александр Андреевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Гоу Лицей 1501

Гоголева Ольга Владимировна
Гоголева Ольга Владимировна

Количество полных лет: 40

Текщее местоположение: Россия, Республика Саха (Якутия), Якутск

Статус: Молодой ученый (кандидат наук или без степени)

Институт Проблем Нефти И Газа Со Ран

Годовникова Александра Алексеевна
Годовникова Александра Алексеевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Старый Оскол

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "сош №26 С Углубленным Изучением Отдельных Предметов"

Годунова Екатерина Александровна
Годунова Екатерина Александровна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Смоленская, Рославль

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №10, Г. Рославль

Гожев Михаил Николаевич
Гожев Михаил Николаевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Лицей "вторая Школа"

Гойло Максим Игоревич
Гойло Максим Игоревич

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Орловская обл, Мценск

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Мф Гоувпо Огту

Голендухина Вера Владимировна
Голендухина Вера Владимировна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Свердловская, Нижний Тагил

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Политехническая Гимназия №82

Голиков Гордей Владимирович
Голиков Гордей Владимирович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Приморский край, Арсеньев

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №1, Г. Арсеньев

Голиков Егор Михайдович
Голиков Егор Михайдович

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Ярково

Статус: Школьник (9 класс)

Моуясош №2

Голованов Антон Владимирович
Голованов Антон Владимирович

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Московская, Долгопрудный

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Мфти

Головин Григорий Владимирович
Головин Григорий Владимирович

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Мгу

Головин Иван Сергеевич
Головин Иван Сергеевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Самарская, Село Красносельское

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Самарская Областная Физико Математическая Школа-интернат

 
Кремниевый одноэлектронный транзистор
Кремниевый одноэлектронный транзистор

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.