Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Заритовская Екатерина Анатольевна
Заритовская Екатерина Анатольевна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Алтайский край, Новоалтайск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Школа 10

Зарубин Алексей Андреевич
Зарубин Алексей Андреевич

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, ХМАО, Сургут

Статус: Школьник (8 класс)

Моу "лицей №1", Г. Сургут

Зарубина София Александровна
Зарубина София Александровна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Свердловская, Екатеринбург

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Гимназия № 9

Зарудний Ярослав Викторович
Зарудний Ярослав Викторович

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Волгоградская область, Волгоград

Статус: Бакалавр

Волгоградский Технический Университет

Засимов Илья Сергеевич
Засимов Илья Сергеевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Московствая область, Троицк

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "гимназия Им. Н.в. Пушкова"

Затикян Жанна Вартановна
Затикян Жанна Вартановна

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Белгород

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Бгту Им.в.г.шухова

Затона Дмитрий Дмитриевич
Затона Дмитрий Дмитриевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Краснодарский край, Ст. Ленинградская

Статус: Школьник (9 класс)

Моу Сош №2, Ст. Ленинградская

Захаревская Евгения Григорьевна
Захаревская Евгения Григорьевна

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Екатеринбург

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Ургу Им. А.м.горького

Захаров Валерий Александрович
Захаров Валерий Александрович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, ЕАО, Облучье

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №3, Г. Облучье

Захаров Валерий Евгеньевич
Захаров Валерий Евгеньевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Тобольск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №5, Г. Тобольск

Захаров Виталий Александрович
Захаров Виталий Александрович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Смолеснкая, Смоленск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моусош №39

Захаров Владислав Игоревич
Захаров Владислав Игоревич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Тульская область, Новомосковск

Статус: Школьник (9 класс)

Моу Сош №4 Г.новомосковск Тульской Обл.

Захаров Дмитрий Егорович
Захаров Дмитрий Егорович

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Республика Саха (Якутия), Якутск

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Якутский Государственный Университет Им. М.к. Аммосова

Захаров Михаил Сергеевич
Захаров Михаил Сергеевич

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Свердловская, Екатеринбург

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Ургу Им. А.м.горького

Захаров Николай Андреевич
Захаров Николай Андреевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Свердловская область, Екатеринбург

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Лицей №130

Захарова Айыына Дмитриевна
Захарова Айыына Дмитриевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Республика саха (якутия), Село Намцы

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Нсопш-1

Захарова Анна Алексеевна
Захарова Анна Алексеевна

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Татарстан, Казань

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Казанский Государственный Университет

Захарова Евгения Валерьевна
Захарова Евгения Валерьевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Центр Образования 1439

Захарова Елена Юрьевна
Захарова Елена Юрьевна

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Москва, Москва

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Химический Факультет, Мгу Им. М.в. Ломоносова

Захарова Мария Игоревна
Захарова Мария Игоревна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Пос. Винзили

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "винзилинская Сош №1"

 
Двойняшки
Двойняшки

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.