Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Порываев Артем Сергеевич
Порываев Артем Сергеевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Курганская, Курган

Статус: Школьник (9 класс)

Моу "лицей №12"

Порядина Дина Руслановна
Порядина Дина Руслановна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Ростовская, Шахты

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №30, Г. Шахты

Посадова Елена Максимовна
Посадова Елена Максимовна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Тверская, Тверь

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Твгу

Посеряева Екатерина Николаевна
Посеряева Екатерина Николаевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Школа №1203

Поспелова Диана Владимировна
Поспелова Диана Владимировна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Пермский край, С. Кыласово

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу "кыласовская Сош"

Постников Владимир Владимирович
Постников Владимир Владимирович

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Сша, Нью-Йорк, Бингхамтон

Статус: Школьник (9 класс)

Binghamton High School

Постников Павел Владимирович
Постников Павел Владимирович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Тамбовская область, Тамбов

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Тогоу Пли Тгту

Постникова Татьяна Викторовна
Постникова Татьяна Викторовна

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Москва, Москва

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Мгту Им. Н.э.баумана

Постовалова Екатерина Андреевна
Постовалова Екатерина Андреевна

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Гимназия №710

Потапкина Анна Олеговна
Потапкина Анна Олеговна

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Московская, Люберцы

Статус: Служащий

Биологический Факультет, Мгу Им.м.в. Ломоносова

Потапов Аверкий Иванович
Потапов Аверкий Иванович

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Республика (Саха)Якутия, С.чурапча

Статус: Школьник (9 класс)

Чурапчинская Улусная Гимназия

Потапов Антон Павлович
Потапов Антон Павлович

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, ХМАО-Югра, Нягань

Статус: Школьник (9 класс)

Моу Сош №2, Г. Нягань

Потапова Дарья Игоревна
Потапова Дарья Игоревна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, р.Карелия, Муезерский

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Муезерская Сош

Потапова Татьяна Юрьевна
Потапова Татьяна Юрьевна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Санкт-петербург

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Гоу Фмл №239, Г. Санкт-петербург

Потапович Наталия Станиславовна
Потапович Наталия Станиславовна

Количество полных лет: 40

Текщее местоположение: Россия, Санкт-Петербург, Санкт-петербург

Статус: Молодой ученый (кандидат наук или без степени)

Фти Им.а.ф.иоффе Ран

Потоцкий Александр Витальевич
Потоцкий Александр Витальевич

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Беларусь, Минск

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Белорусский Государственный Университет

Потугина Алина Александровна
Потугина Алина Александровна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Красноярский край, Красноярск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Гимназия №7

Похильченко Ольга Николаевна
Похильченко Ольга Николаевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Гоу Сош С Углубленным Изучением Биологии И Химии № 1344

Поцелуев Алексей Андреевич
Поцелуев Алексей Андреевич

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, Владимирская, Муром

Статус: Школьник (9 класс)

Моу Сош №1, Г. Муром

Почкалов Михаил Сергеевич
Почкалов Михаил Сергеевич

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Белгород

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Бгту Им.в.г.шухова

 
Давид и Голиаф
Давид и Голиаф

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.