Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Участники по статусу

Аспирант, соискатель ученой степени

всего заявок: 236, показываются: 202


Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 далее
 
Ананьев Максим Васильевич
Ананьев Максим Васильевич

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Свердловская область, Екатеринбург

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Институт Высокотемпературной Электрохимии Уро Ран

Анищик Владимир Сергеевич
Анищик Владимир Сергеевич

Количество полных лет: 37

Текщее местоположение: Россия, Новосибирская, Новосибирск

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Ивмимг Со Ран

Артюхов Сергей Алексеевич
Артюхов Сергей Алексеевич

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Московская, Кашира

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Ргту "мати Им.к.э.циолковского"

Архарова Наталья Андреевна
Архарова Наталья Андреевна

Количество полных лет: 36

Текщее местоположение: Россия, Московская, Фрязино

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Институт Кристаллографии Им. А.в.шубникова

Архипова Анастасия Анатольевна
Архипова Анастасия Анатольевна

Количество полных лет: 37

Текщее местоположение: Казахстан, Алматы

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Нииэтф

Асриев Павел Геннадьевич
Асриев Павел Геннадьевич

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Воронежская, Воронеж

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Воронежский Государственный Педагогический Университет

Астанин Василий Владимирович
Астанин Василий Владимирович

Количество полных лет: 37

Текщее местоположение: Россия, Башкортостан, Уфа

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Ипсм Ран

Ахмедов Искандар Гильманович
Ахмедов Искандар Гильманович

Количество полных лет: 42

Текщее местоположение: Узбекистан, Ташкентская обл/, Ташкент

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Институт Общей И Неорганическох Химии Анруз

Бадалян Сирануйш Мушеговна
Бадалян Сирануйш Мушеговна

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Ионх Ран Им. Н.с. Курнакова

Базарова Дашима Жамбаловна
Базарова Дашима Жамбаловна

Количество полных лет: 37

Текщее местоположение: Россия, Республика Бурятия, Улан-удэ

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Бурятский Государственный Университет

Банников Станислав Андреевич
Банников Станислав Андреевич

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Украина, Днепропетровская, Днепропетровск

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Днепропетровский Национальный Университет

Банникова Наталья Николаевна
Банникова Наталья Николаевна

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Украина, Днепропетровская область, Днепропетровск

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Днепропетровский Национальный Университет Им. Олеся Гончара

Баронов Владимир Игоревич
Баронов Владимир Игоревич

Количество полных лет: 36

Текщее местоположение: Россия, Вологодская, Вологда

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Вологодская Государственная Молочнохозяйственная Академия Имени Н.в. Верещагина

Барыкина Елена Ивановна
Барыкина Елена Ивановна

Количество полных лет: 37

Текщее местоположение: Россия, Ульяновская, Ульяновск

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Ульяновский Государственный Технический Университет

Бекаревич Роман Васильевич
Бекаревич Роман Васильевич

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Беларусь, Гомель

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Гомельский Государственный Университет Имени Франциска Скорины

Белугин Борис Владимирович
Белугин Борис Владимирович

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Институт Физиологии Растений Им. К.а. Тимирязева

Блайдо Елена Викторовна
Блайдо Елена Викторовна

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Белгородская обл., Белгород

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Бгту Им.в.г.шухова

Бурковский Роман Георгиевич
Бурковский Роман Георгиевич

Количество полных лет: 36

Текщее местоположение: Россия, Санкт-петербург

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Санкт-петербургский Государственный Политехнический Университет

Бурова Лидия Игоревна
Бурова Лидия Игоревна

Количество полных лет: 38

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Фнм Мгу

Бухало Анна Борисовна
Бухало Анна Борисовна

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Белгород

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Бгту Им. В.г.шухова

 
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 далее
Бутон розы
Бутон розы

Светодиодные технологии и оптоэлектроника: магистратура на стыке образования и индустрии
Открыт набор на первую в России индустриальную программу «Светодиодные технологии и оптоэлектроника» Университета ИТМО

Международная онлайн-дискуссия «Квант будущего»
Фонд Росконгресс, Госкорпорация «Росатом», Российский квантовый центр и научно-популярное издание N+1 завершают серию международных онлайн-дискуссий «Квант будущего», где лидеры индустрии и ведущие мировые ученые обсуждают, как квантовые технологии уже изменили наш мир, и с какими вызовами помогут справиться в будущем.
Заключительная дискуссия «Квантовая революция: профессии будущего и трансформация образования» состоится 8 июля в 17:00 по московскому времени.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Супергибридный материал для хранения водорода. Двумерная соль. Существование виртуальных мультиферроиков подтверждено. Чёрные бабочки. Служение науке и немного поэзии.

Академия - университетам
Е.А.Гудилин, Ю.Г.Горбунова, С.Н.Калмыков
Российская Академия Наук и Московский университет во время пандемии реализовали пилотную часть проекта "Академия – университетам: химия и науки о материалах в эпоху пандемии". За летний период планируется провести работу по подключению к проекту новых ВУЗов, институтов РАН, профессоров РАН, а также по взаимодействию с новыми уникальными лекторами для развития структурированного сетевого образовательного проекта "Академия - университетам".

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2020
Коллектив авторов
Защиты выпускных квалификационных работ (квалификация – бакалавр материаловедения) по направлению 04.03.02 - «химия, физика и механика материалов» на Факультете наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова состоятся 16, 17, 18 и 19 июня 2020 г.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2020 году
коллектив авторов
2 - 5 июня пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.