Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Шалалыгин Денис Геннадиевич
Шалалыгин Денис Геннадиевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Ставропольский край, Село Красное

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №4, С. Красное

Шалашова Екатерина Игоревна
Шалашова Екатерина Игоревна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Казахстан, Московская, Байконур

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №10, Г. Байконур

Шамилов Даниил Тимурович
Шамилов Даниил Тимурович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Украина, Крым, Севастополь

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Филиал Мгу В Г.севастополе

Шамко Алина Александровна
Шамко Алина Александровна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Беларусь, Минская область, Минск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Сш №161

Шамров Евгений Васильевич
Шамров Евгений Васильевич

Количество полных лет: 35

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Бакалавр

Мисис

Шамшадинов Кенжетай Каразимович
Шамшадинов Кенжетай Каразимович

Количество полных лет: 36

Текщее местоположение: Казахстан, Кызылординская обл., Казалинск

Статус: Учитель или преподаватель

Гимназия №226

Шамшидин Айгерим Шамшидиновна
Шамшидин Айгерим Шамшидиновна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Казахстан, Астана

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Казахско-турецкий Лицей

Шандаков Артем Андреевич
Шандаков Артем Андреевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Белгород

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Лицей № 9

Шаньшеров Дмитрий Игоревич
Шаньшеров Дмитрий Игоревич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Пермский край, Платошино

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Платошинская Сош

Шаповаленко Светлана Владиславовна
Шаповаленко Светлана Владиславовна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Украина, Днепропетровская, Днепродзержинск

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Днепродзержинский Государственный Технический Университет

Шаповалов Николай Николаевич
Шаповалов Николай Николаевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Белгород

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Бгту Им.в.г.шухова

Шаповалова Алина Александровна
Шаповалова Алина Александровна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Удмуртская республика, Ижевск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош № 68, Г. Ижевск

Шаповалова Вероника Андреевна
Шаповалова Вероника Андреевна

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Республика Бурятия, Северобайкальск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу "гимназия №5", Г. Северобайкальск

Шапоров Иван Юрьевич
Шапоров Иван Юрьевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Карелия, Суоярви

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Суоярвская Сош

Шапошников Виктор Родионович
Шапошников Виктор Родионович

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Мгу

Шапшаров Богдан Алексеевич
Шапшаров Богдан Алексеевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Красноярский край, Железногорск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Кгоау Школа Космонавтики, Г. Железногорск

Шараборин Евгений Львович
Шараборин Евгений Львович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Республика Саха (Якутия), С.чапаево

Статус: Школьник (9 класс)

Октемский Лицей

Шарапова Наталья Евгеньевна
Шарапова Наталья Евгеньевна

Количество полных лет: 38

Текщее местоположение: Россия, Московская область, Лыткарино

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Гу Нии Эпидемиологии И Микробиологии Им. Н.ф. Гамалеи Рамн

Шарафутдинова Алина Талгатовна
Шарафутдинова Алина Талгатовна

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Ханты-Мансийский АО, Нягань

Статус: Школьник (9 класс)

Моу Сош №4, Г. Нягань

Шарипов Максот Кайратович
Шарипов Максот Кайратович

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Казахстан, Астана

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Евразийского Национального Университета Им. Л.н.гумилёва

 
Дивидюк
Дивидюк

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.