Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Барко Алексей Владимирович
Барко Алексей Владимирович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Казахстан, Павлодар

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Лицей При Пгу Для Одаренных Детей

Барков Фёдор Владимирович
Барков Фёдор Владимирович

Количество полных лет: 36

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Молодой ученый (кандидат наук или без степени)

Мэи(ту)

Бармаков Сергей Сергеевич
Бармаков Сергей Сергеевич

Количество полных лет: 24

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (6 класс)

Гоу Цо №1446

Бармин Максим Александрович
Бармин Максим Александрович

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Пермский край, Березники

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "лицей №1", Г. Березники

Баронов Владимир Игоревич
Баронов Владимир Игоревич

Количество полных лет: 36

Текщее местоположение: Россия, Вологодская, Вологда

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Вологодская Государственная Молочнохозяйственная Академия Имени Н.в. Верещагина

Барский Данила Андреевич
Барский Данила Андреевич

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Новосибирская область, Новосибирск

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Новосибирский Государственный Университет

Барсуков Денис Валерьевич
Барсуков Денис Валерьевич

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Химический Факультет, Мгу Им. М.в. Ломоносова

Барсукова Карина Тошмахмадовна
Барсукова Карина Тошмахмадовна

Количество полных лет: 21

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (до 4 класса)

Гоу Сош № 525

Барсукова Софья Владимировна
Барсукова Софья Владимировна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Алтайский край, Камень-на-оби

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №2 С Уиоп

Бархатов Кирилл Владимирович
Бархатов Кирилл Владимирович

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Московская, Москва

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Фнм Мгу

Бархатова Татьяна Анатольевна
Бархатова Татьяна Анатольевна

Количество полных лет: 57

Текщее местоположение: Россия, Красноярский край, Красноярск

Статус: Учитель или преподаватель

Моу Сош № 76

Барчукова Ольга Олеговна
Барчукова Ольга Олеговна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Ростовская, Ростов-на-дону

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Донской Государственный Технический Университет

Барыкина Елена Ивановна
Барыкина Елена Ивановна

Количество полных лет: 38

Текщее местоположение: Россия, Ульяновская, Ульяновск

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Ульяновский Государственный Технический Университет

Барышев Игорь Николаевич
Барышев Игорь Николаевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Москва, Москва

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Механико-математический Факультет, Мгу Им. М.в. Ломоносова

Барышева Людмила Александровна
Барышева Людмила Александровна

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (8 класс)

№756

Басалова Валентина Андреевна
Басалова Валентина Андреевна

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Санкт-петербург

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Гоу Сош №521

Басанов Сергей Владимирович
Басанов Сергей Владимирович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, РСО-Алания, П. Бекан

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош С. Карджин

Басков Артем Юрьевич
Басков Артем Юрьевич

Количество полных лет: 23

Текщее местоположение: Россия, Ярославская , Рыбинск

Статус: Школьник (5 класс)

Гимназия №8

Баталин Георгий Александрович
Баталин Георгий Александрович

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Татарстан, Казань

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Казанский Государственный Университет

Батенина Ирина Викторовна
Батенина Ирина Викторовна

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Московская, Бекасово

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Мисис

 
Стенка сегнетоэлектрического домена триглицинсульфата
Стенка сегнетоэлектрического домена триглицинсульфата

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.