Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Попов Денис Александрович
Попов Денис Александрович

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Республика Алтай, С.дмитриевка

Статус: Школьник (9 класс)

Моу "дмитриевская Сош"

Попов Дмитрий Николаевич
Попов Дмитрий Николаевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Воронежская, Борисоглебск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу "борисоглебская Гимназия №1", Г. Борисоглебск

Попов Илья Андреевич
Попов Илья Андреевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Волгоградская, Волжский

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №30 Имени Медведева С.р.

Попов Максим Сергеевич
Попов Максим Сергеевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Нижегородская, П.селекция

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош П.селекция

Попов Семён Алексеевич
Попов Семён Алексеевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, САХА (ЯКУТИЯ), Село Беченча, Ленского Района.

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош Им.е.мыреева

Попов Сергей Андреевич
Попов Сергей Андреевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Республика Саха (Якутия), Село Намцы

Статус: Школьник (9 класс)

Намская Улусная Гимназия Имени Н.с. Охлопкова

Попова Алёна Аркадьевна
Попова Алёна Аркадьевна

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, Республика Саха (Якутия), Село Намцы

Статус: Школьник (8 класс)

Моу "намская Средняя Общеобразовательная Политехническая Школа №1 Им. И.с.гаврильева"

Попова Анастасия Ивановна
Попова Анастасия Ивановна

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (8 класс)

Гимназия №1542

Попова Анна Александровна
Попова Анна Александровна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Ставропольский край, Буденновск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №2, Г. Буденновск

Попова Елена Олеговна
Попова Елена Олеговна

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Перевалово

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Переваловская Сош

Попова Елена Сергеевна
Попова Елена Сергеевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Оренбургская область, Орск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Гимназия №1, Г. Орск

Попова Мария Андреевна
Попова Мария Андреевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Надым

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №2, Г. Надым

Попова Татьяна Сергеевна
Попова Татьяна Сергеевна

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, Оренбургская область, Оренбург

Статус: Школьник (8 класс)

Европейский Лицей (юнеско)

Попова Юлия Юрьевна
Попова Юлия Юрьевна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Тамбовская обл., Р.п Токаревка

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Токаревская Сош №2

Попугаев Александр Сергеевич
Попугаев Александр Сергеевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Республика Алтай, Горно-алтайск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Республиканский Классический Лицей

Популо Анастасия Андреевна
Популо Анастасия Андреевна

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Самарская, Тольятти

Статус: Школьник (8 класс)

Лицей №51

Попутников Илья Владимирович
Попутников Илья Владимирович

Количество полных лет: 25

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (7 класс)

№935

Поройкова Ксения Александровна
Поройкова Ксения Александровна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Гоу Лицей №1303

Портнов Дмитрий Игоревич
Портнов Дмитрий Игоревич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Железнодорожный

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Гимназия №11

Портнов Евгений Николаевич
Портнов Евгений Николаевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Ростовская область, Х. Клюев

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Клюевская Сош 19

 
Поверхность наночастиц CeO2
Поверхность наночастиц CeO2

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.