Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Теймурханлы Энвер Эльдар
Теймурханлы Энвер Эльдар

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Азербайджан, Баку

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Бакинский Филиал Мгу

Текнеджян Анастасия Владимировна
Текнеджян Анастасия Владимировна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Белгород

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу-сош №7

Текоева Наталья Вячеславовна
Текоева Наталья Вячеславовна

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, Калининградская область, Калининград

Статус: Школьник (8 класс)

Моу Шили

Телих Андрей Викторович
Телих Андрей Викторович

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Украина, Донецкая, Харцызск

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Донецкий Национальный Университет

Тельпуховский Иван Игоревич
Тельпуховский Иван Игоревич

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (9 класс)

Цо №57 "пятьдесят Седьмая Школа"

Темникова Анна Андреевна
Темникова Анна Андреевна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Московская обл., С. Шеметово

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Сергиево-посадская Гимназия Им. И.б.ольбинского

Тепишкин Павел Павлович
Тепишкин Павел Павлович

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, ХМАО, Мегион

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №3, Г. Мегион

Теплов Алексей Михайлович
Теплов Алексей Михайлович

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Украина, Крым, Севастополь

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Филиал Мгу В Г.севастополе

Терашкевич Сергей Сергеевич
Терашкевич Сергей Сергеевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент младших курсов (1-3)

Химический Факультет, Мгу Им. М.в. Ломоносова

Терехов Александр Геннадьевич
Терехов Александр Геннадьевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Башкортостан, Салават

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №12, Г. Салават

Терехов Алексей Михайлович
Терехов Алексей Михайлович

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Тамбовская, С. Стаево

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Стаевская Сош

Терехова Анна Сергеевна
Терехова Анна Сергеевна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Марий Эл, Йошкар-ола

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Сош №5

Терешенко Наталия Игоревна
Терешенко Наталия Игоревна

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Новосибирск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Гимнзия № 4

Терешин Марк Витальевич
Терешин Марк Витальевич

Количество полных лет: 24

Текщее местоположение: Россия, Кемеровская, П.ясногорский

Статус: Школьник (7 класс)

Моу Гимназия №17 Г.кемерово

Терешко Илья Михайлович
Терешко Илья Михайлович

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Республика Карелия, Петрозаводск

Статус: Школьник (9 класс)

Лицей №1

Тернова Галина Анатольевна
Тернова Галина Анатольевна

Количество полных лет: 49

Текщее местоположение: Россия, Республика Саха(Якутия), Алдан

Статус: Учитель или преподаватель

Моу Сош №9, Г. Алдан

Терсков Алексей Александрович
Терсков Алексей Александрович

Количество полных лет: 30

Текщее местоположение: Россия, Ростовская, Шахты

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №35, Г. Шахты

Тертычный Иван Сергеевич
Тертычный Иван Сергеевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Московская, Менделеево

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Лицей 1557

Тесленко Александра Алиевна
Тесленко Александра Алиевна

Количество полных лет: 22

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (до 4 класса)

Гоу Сош №525

Теслин Александр Сергеевич
Теслин Александр Сергеевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Красноярский край, Назарово

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Сош №9, Г. Назарово

 
Влияние воздействия наносекундных электромагнитных импульсов на поверхность сульфидных минералов
Влияние воздействия наносекундных электромагнитных импульсов на поверхность сульфидных минералов

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.