Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
всего заявок: 5442, показываются: 5118

 
Банников Станислав Андреевич
Банников Станислав Андреевич

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Украина, Днепропетровская, Днепропетровск

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Днепропетровский Национальный Университет

Банникова Наталья Николаевна
Банникова Наталья Николаевна

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Украина, Днепропетровская область, Днепропетровск

Статус: Аспирант, соискатель ученой степени

Днепропетровский Национальный Университет Им. Олеся Гончара

Баннова Марина Владимировна
Баннова Марина Владимировна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Заводоуковск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу Заводоуковская Сош № 1

Банных Артем Анатольевич
Банных Артем Анатольевич

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Химический Факультет, Мгу Им. М.в. Ломоносова

Банщикова Ирина Сергеевна
Банщикова Ирина Сергеевна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Ставропольский край, Ставрополь

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Лицей-интернат Севкавгту

Баранов Алексей Вячеславович
Баранов Алексей Вячеславович

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Московская область, Ногинск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Ноу"ногинская Гимназия"

Баранов Алексей Евгеньевич
Баранов Алексей Евгеньевич

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Санкт-петербург

Статус: Магистрант

Афту Ран

Баранов Илья Александрович
Баранов Илья Александрович

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Самарская область, Сызрань

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Оу Сош №6, Г. Сызрань

Баранова Ксения Евгеньевна
Баранова Ксения Евгеньевна

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Гоу Лицей 1303

Баранова Ольга Вадимовна
Баранова Ольга Вадимовна

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Магистрант

Фнм Мгу

Барановский Павел Васильевич
Барановский Павел Васильевич

Количество полных лет: 28

Текщее местоположение: Россия, Мурманская, Мурманск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Мурманский Политехнический Лицей

Барановский Роман Леонидович
Барановский Роман Леонидович

Количество полных лет: 26

Текщее местоположение: Россия, Кемеровская, Новокузнецк

Статус: Школьник (9 класс)

Моу "еланская Средняя Общеобразовательная Школа

Баранцев Валерий Николаевич
Баранцев Валерий Николаевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Белгородская, Бирюч

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "сош Г. Бирюча"

Барахтенко Дмитрий Вениаминович
Барахтенко Дмитрий Вениаминович

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Ивановская обл., Иваново

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Ивановский Государственный Университет

Барашков Денис Андреевич
Барашков Денис Андреевич

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Ярославская, Тутаев

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №7 Имени Ф.ф.ушакова

Бардина Татьяна Сергеевна
Бардина Татьяна Сергеевна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, республика Татарстан,Альметьевский район, Село Верхний Акташ

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Верхне-акташская Сош

Бардук Ольга Николаевна
Бардук Ольга Николаевна

Количество полных лет: 29

Текщее местоположение: Россия, Республика Коми, Сыктывкар

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Сунц Мгу

Баринов Александр Сергеевич
Баринов Александр Сергеевич

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Ульяновск

Статус: Школьник (10 класс или предвыпускной)

Моу "ульяновский Городской Лицей При Улгту"

Барканов Дмитрий Вячеславович
Барканов Дмитрий Вячеславович

Количество полных лет: 34

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Студент старших курсов (4-5.5, специалист)

Мисис

Барке Дмитрий Михайлович
Барке Дмитрий Михайлович

Количество полных лет: 27

Текщее местоположение: Россия, Волгоградская, Волгоград

Статус: Школьник (9 класс)

Моу "лицей №10", Г. Волгоград

 
Искуственный нанолабиринт
Искуственный нанолабиринт

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ» (Интересные научные события 2020 года от Американского физического общества (APS): Новый век сверхпроводимости. Магические углы в графене. Новые рекорды LIGO и Virgo: сверхмассивные и асимметричные слияния черных дыр. Свет от темной материи в эксперименте Xenon. Чего не хватает для создания квантового интернета? Коперниканский переворот в нейронных сетях. Червякомешалка. Вселенский метроном и предел точности атомных часов. Благородные металлы и графен против токсичных газов. Мультиферроик с ферродолинным упорядочением. Борные сенсоры азотосодержащих загрязнителей.

Наносистемы: физика, химия, математика (2020, Т. 11, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume11/11-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

С Новым годом!
Дорогие друзья и коллеги!
Поздравляем с наступающим 2021 годом!
Желаем всем хорошего настроения и здоровья, удачи во всем и новых достижений!

Спинтроника и iPod
В.В.Уточникова
В 1988 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг независимо друг от друга обнаружили, что электросопротивление композитов, составленных из чередующихся слоев магнитного и немагнитного металла может невероятно сильно меняться при приложении магнитного поля. В течение десятилетия это, казалось бы, эзотерическое наблюдение революционным образом изменило электронную промышленность, позволяя накапливать на жестких дисках все возрастающий объем информации.

ДНК правит компьютером
Бидыло Тимофей Иванович
Наиболее вероятно, что главным революционным отличием процессоров будущего станут объемная (3D) архитектура и наноразмер составляющих, что позволит головокружительно увеличить количество элементов. Сегодня кремниевые технологии приближаются к своему технологическому пределу, и ученые ищут адекватную замену кремниевой логике. Клеточные автоматы, спиновые транзисторы, элементы логики на молекулах, транзисторы на нанотрубках, ДНК-вычисления…

Будущее техники отразилось в идеальном нанозеркале
Кушнир Сергей Евгеньевич
Свыше 99,9% падающего излучения отражает новое зеркало, построенное физиками США. А ведь толщина его составляет всего-то 0,23 микрометра. Специалисты говорят, что новинка способна улучшить параметры многих компьютерных устройств, где применяется лазерная оптика.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.