Сверхрешетка представляет собой периодическую структуру тонких чередующихся слоев различных полупроводников. Такие структуры применяют в полупроводниковых электронных и светоизлучающих приборах. Важным примером является использование сверхрешеток в полупроводниковых лазерах на основе GaAs/AlGaAs. За разработку принципов создания и использования таких структур, называемых также гетероструктурами, российскому ученому Ж.И.Алферову была вручена Нобелевская премия
Рассмотрим сверхрешетку толщиной h=350 нм, состоящую из N=10 чередующихся пар слоев, на которую падает луч света под углом α=300. Интенсивность света, вышедшего из сверхрешетки, уменьшилась в 3 раза.
Найти толщины слоев (3 балла) и расстояние по горизотали, на которое относительно точки входа сместится луч после прохождения сверхрешетки (3 балла). Коэффициенты поглощения света kGaAs=6×104 см-1, kAlGaAs=2×104 см-1 , показатели преломления света nGaAs=3,3 и nAlGaAs=3.