Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
USP 20020074542, June 20, 2002, [2.55]
В патенте USP 20070063219 в 2007 году описан интегрированный тепловой блок формирования изображений для обнаружения, объединяющий пассивный канал радиации LWIR или MWIR сцены, и активной радиации SWIR лазерного источника.
Блок формирования изображений включает двумерную фокальную матрицу (2D-FPA) составленную собранием вольтово чувствительных фотодатчиков
Каждый вольтово чувствительный фотодатчик объединяется в матрице из квантовых колодцев (точек) (QWIP) вместе с гетероструктурным биполярным фототранзистором (HBPT), таким образом, формируя элемент пиксела в 2D-FPA.
USP 20050258415, November 24, 2005, [2.56]
По патенту USP 20070215860 в 2007 году описывается инфракрасный фотодатчик, который является способным к эффективному обнаружению единственного фотона по обширному диапазону длин волны от нескольких мкм до нескольких сотен мкм
Электрическая область ионизации квантовой точки в результате обнаружения электрона является причиной изменения в проводимости контакта. Ионизированное состояние, продолжающееся достаточно долго, интегрирует изменения в потоке исходящем из источника к стоку, что становится величиной, которая может быть обнаружена, и приводит к чувствительности, обеспечивающей возможность обнаружения единичного инфракрасного фотона.
Рисунок 1 - Иллюстрация технологий построения и считывания двух диапазонной QWIP матрицы по патенту Gunapala; Sarath D. Choi; Kwong Kit Bandara; Sumith V., Dual band QWIP focal plane array, USP 6,967,345, November 22, 2005
Рисунок 1 - Иллюстрация технологий построения и считывания двух диапазонной QWIP матрицы по патенту Gunapala; Sarath D. Choi; Kwong Kit Bandara; Sumith V., Dual band QWIP focal plane array, USP 6,967,345, November 22, 2005
Рисунок 2 - Профили полосы двойного кванта QWIP модулятора, полученные путем их размещения в соседних колодцах показан на верхней части Рисунка 2 (a). Уровни энергии обозначены сплошными линиями, и твердые точки обозначают намеченное местоположение их совмещения. Схемное решение интегрированного устройства за счет создания двух смещений, ииллюстрируется в нижней части Рисунка 2 (b).
Рис.3. Фрагменты интегральных матричных фотоприемных модулей на основе МСКЯ GaAs/AlGaAs с In столбами разработки Института Физики Полупроводников СО РАН [31]
Рис.4. Вид 4 цветной QWIP матрицы размещеннй в дюаре.
Рис.5. Структура 4х цветной QWIP матрицы

Квантовые точки и квантовые колодцы – нанотехнологии

Ключевые слова:  квантование, квантовые колодцы, квантовые точки, периодика

Автор(ы): Г.С. Мельников

Опубликовал(а):  Гудилин Евгений Алексеевич

18 февраля 2009

ФГУП НПК «ВНЦ ГОИ им С.И.Вавилова»

В этой статье, на примерах наиболее передовых исследований в области совершенствования последних разработок микроэлектроники я сделаю попытку показать справедливость нашего представления об истинных направлениях развития нанотехнологий.

НАНОТЕХНОЛОГИЯ - технология синтеза композитных материалов, наноразмерных (пространственных и пространственно-временных) структур, взаимодействующих с электромагнитными и гравитационными полями на уровнях ниже дифракционного предела.

Для доказательства обратимся к обоснованиям и истории развития нового направления технологий, основанных на квантово размерных эффектах (КРЭ) и 3D синтезированных квантово размерных структурах (КРС) [1]. Названные структуры изучаются новой отраслью химической науки – супрамолекулярной химией (химия за пределами молекулы).Предметами ее исследований являются межмолекулярные взаимодействия, особые взаимодействия между фрагментами супермолекулярных (очень больших) структур, природа связи в ансамблях наночастиц и т.п. Квантовые структуры могут быть получены посредством следующих технологических процессов:

  • нанопроизводством на сканирующих зондовых установках
  • коллоидными химическими средствами
  • управляемым затвердеванием в процессе эпитаксиального роста
  • флуктуацией размерами в условных формирования квантовых колодцев

Физики уже накопили большой опыт в разработке приборов, действие которых основано на квантовомеханических принципах. Укладывая атомы с точностью до одного-двух слоев, можно создавать искусственные кристаллы, молекулы и атомы с заданными свойствами. Такие полупроводниковые структуры имеют размеры порядка нескольких нанометров. Можно выделить несколько основных типов микроструктур: квантовые ямы, нити, точки, сверхрешётки.

Член корреспондент РАН Я.Е.Покровский (ИРЭ РАН) так характеризует квантово размерные структуры (конденсированные среды) [10]: при рассмотрении электронных процессов в конденсированных средах наиболее существенна квантовая размерность электронной системы. Критерием здесь является соотношение между де-бройлевской длиной волны электрона L и размерами исследуемого объекта D. Если L<d="" (2d),="" при="" l="">D в двух направлениях объект становится одномерным (1D), а плотность состояний - разрывной функцией энергии. Наконец, при L>D во всех трех направлениях система становится нуль-мерной (0D) c дискретным электронным спектром. Размерность системы может изменяться в зависимости от температуры, магнитного поля и т. д.

Простейшая квантовая структура, в которой движение электрона ограничено в одном направлении, - это тонкая пленка или просто достаточно тонкий слой полупроводника. Именно на тонких пленках полуметалла висмута и полупроводника InSb впервые наблюдались эффекты размерного квантования [2, 1].

В настоящее время квантовые эффекты наблюдают на гетероструктурах (контакты между п/п с различной шириной запрещенной зоны) [3...7]. На таком контакте края энергетических зон испытывают скачки, ограничивающие движение носителей и играющие роль стенок квантовой ямы или квантовые точки.

Квантовые ямы [26]

Квантовые ямы создают, помещая тонкий слой полупроводника с узкой запрещенной зоной между двумя слоями материала с более широкой запрещенной зоной. В результате электрон оказывается запертым в одном направлении, что и приводит к квантованию энергии поперечного движения. В то же время в двух других направлениях движение электронов будет свободным, поэтому можно сказать, что электронный газ в квантовой яме становится двумерным. Таким же образом можно приготовить и структуру, содержащую квантовый барьер, для чего следует поместить тонкий слой полупроводника с широкой запрещенной зоной между двумя полупроводниками с узкой запрещенной зоной. Далее, по порядку:

Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити) [27]

В такой структуре два направления (y и z) очень малы, следовательно, энергетический спектр в каждом направлении можно описать формулой En = (hn/a)2/8m, где a – толщина пленки в данном направлении, т.к. в этом направлении образуется потенциальная яма. В оставшемся направлении (x) электроны могу передвигаться свободно. Образованную потенциальную яму надо считать бесконечно глубокой, следовательно, En должны быть малы по сравнению с действительной глубиной ямы Ф. Данное условие приводит к толщине нити порядка нанометров. Полная энергия носителей в квантово-размерной нити, аналогично тонким пленкам, носит смешанный дискретно-непрерывный спектр: E = Enm + px 2/2m, где px – компонента импульса в направлении нити (x).

Структуры с нуль-мерным электронным газом (квантовые точки) [28]

В такой структуре все направления (x,y и z) очень малы, следовательно, энергетический спектр в каждом направлении можно описать формулой En = (hn/a) 2/8m, где a – толщина пленки в данном направлении, т.к. в этом направлении образуется потенциальная яма. При синтезе потенциальных ям методом управляемого затвердевания пленки материала А выращенного на субстрате созданном из материала В можно производить острова А, т. к . разница между атомными размерами А и В достаточно велика. Примеры А/В пар включают InAs|GaAs и InP|GaInP. Если остановить металлоорганическое химическое выпаривание или молекулярно-лучевой эпитоксический рост сразу перед объединением островов, можно получить удивительно универсальный набор точек материала А. Образованную потенциальную яму надо считать бесконечно глубокой, следовательно, En должны быть малы по сравнению с действительной глубиной ямы Ф. Данное условие приводит к размеру точки порядка нанометров. Полная энергия носителей квантовой точки также носит смешанный дискретно-непрерывный спектр: E = Enml. Такие структуры особенно интересны тем, что их свойства аналогичны свойствам дискретного атома, поэтому их иногда называют искусственными атомами.

В базовой работе [1] ещё в 1968г предсказывалось: Размерное квантование может также приводить к заметному увеличению ширины запрещенной зоны в полупроводниках и к переходу полуметалла в диэлектрик, к появлению резонансного поглощения света в пленках, к осцилляционной зависимости сопротивления пленки от продольного электрического поля и т. д.

Кроме того, более 10 лет назад на основе численного решения нестационарного уравнения Шреденгера в [8] показана возможность исследования генерации гармоник в туннельно-связанных квантовых ямах. При этом, резонансный туннельный диод - это первое реальное устройство с квантовой ямой и барьерами. Он был создан Лео Эсаки и Чангом в 1974 году. Идея прибора была предложена раньше. Это сделал Л. Иогансен в 1963 году[1, 32].

Квантово размерные структуры на основе гетеро структур (ГС) In0.2Ga0.8As/GaAs характеризуются числом квантовых ям (ЧКЯ), толщиной квантовой ямы (ТКЯ), толщиной барьерного слоя (ТБС) и толщиной покрывающего слоя (ТПС) [1,9]. В 90-е годы ХХ века появились тепловизионные приборы на QWIP-матрицах с высокой технологичностью, воспроизводимостью, однородностью параметров по элементам с форматом 256х256, 320х240, 320х256, 640х512 и др. Чувствительность довольно высока: у лучших приборов NETD даже ниже 10 мК, типовых – 20 мК, средних – 35 мК. QWIP-матрицы обладают способностью управления спектральной чувствительностью и возможностью перейти в будущем от гибридных структур фокальных матриц к монолитным [11…17].

Расширение области чувствительности этих фокальных фотоприемных матриц, первоначально названных QD оптоэлектронными приборами (наноструктуры с так называемыми квантовыми точками - quantum dots) [8], получившими в последствии название QWIP матрицы, - матрицы ИК-фотоприемников с множественными квантовыми ямами (структура AlGaAs/GaAs), осушествлялось постепенно (см. патенты [19…22]). О принципах расчета области чувствительности таких матриц можно составить представление по публикацям [11,12], а эволюция технологической отработки чувствительных элементов видна из приведенных в Таблице 1 графиков (со ссылками на патенты [19…22]).

Отработка матриц ведется по пути расширения диапазона чувствительности ее элементов и совершенствования параметров чувствительности по ряду технологических направлений, о которых можно составить представление по публикациям [13…18]. Cоздание комплексированных систем расширенного диапазона ИК и терагерцового видения сталкивается с проблемной задачей совмещения изображений двух поддиапазонов, дифракционные пределы которых отличаются на порядок. В статье с соавторами [29] и в докладе [30] приводятся алгоритм, и описывается принцип построения комплексированных систем, в которых за счет разделения потоков излучения ИК и субмиллиметрового диапазонов чувствительности удается реализовать получение совмещенных изображений, формируемых в двух областях чувствительности матричного квантового приемника излучения, с реализацией режима сверх разрешения в дальнем субмиллиметровом диапазоне.

О возможности построения матричных фотоприемников, чувствительных как в ИК, так и в терагерцовом диапазонах спектра электромагнитных колебаний (ЭМК) писали как зарубежные, так и Российские исследователи в 1990…97 г.г. [6…8, 10]. Первоначально наибольший интерес вызывали сверхрешетки - многослойные периодические гетероструктуры с чередующимися слоями полупроводников толщиной 1 - 10 нм. Наиболее простой и совершенной структурой здесь остаются сверхрешетки GaAs/AlGaAs, хотя создание сверхрешеток на основе других комбинаций полупроводников А3В5, А2В6 и напряженных слоев Ge-Si достаточно хорошо освоено. В таких структурах потенциал с периодом сверхрешетки d приводит к размерному квантованию электронного спектра и возникновению узких мини зон в электронной и дырочной зонах, соответственно. Фотоприемники на основе квантово-размерных эффектов (КРЭ), по сравнению с другими аналогичными устройствами, обладают таким уникальным свойством, как возможность варьирования области их спектральной чувствительности путем изменения ширины квантовой ямы (которая определяется толщиной слоя узкозонного полупроводника и выступает в качестве параметра размерности) и ее глубины, зависящей от величины разрыва краев зоны проводимости широкозонного и узкозонного п/п материалов.

Это свойство открывает возможность в рамках единого процесса на основе двух пар п/п материалов с различной шириной запрещенной зоны получать монолитные матрицы фоточувствительных элементов (ФЧЭ) по крайней мере с двумя различными окнами (областями спектральной чувствительности). При этом выбор пар материалов не имеет принципиального значения. Принцип формирования мультиспектральных приемников на основе структур с квантовыми ямами (КЯ) можно понять из приведенного рисунка 1, заимствованного из работы [7].

Важным направлением отработки таких технологий при создании гетероэпитаксиальных структур является отработка принципов создания квантовых точек и квантовых колодцев с управляемым наноразмерным синтезом самих точек в общей структуре решеточной конструкции. Флуктуации размеров в квантовых ямах нарушает периодичность в двух расширенных направлениях, таким образом создаются образования точек с отличными друг от друга спектральными свойствами. Управление формой и размером достаточно сложно, но затраты оправдываются т.к. этим достигаются чрезвычайно точные спектроскопические черты. Методом МЛЭ, самым низкотемпературным из существующих методов эпитаксии, на основе гетеропары GaAs-AlAs удается получить резкие границы гетеропереходов, локализацию легирующей примеси в заданных активных слоях, почти идеальное согласование параметров решеток и, как следствие, относительно высокое структурное совершенство эпитаксиальных слоев КРС, иллюстрация приведена на Рисунке 2.

Фотопроводимость в КРС определяется переходами носителей заряда (электронов и дырок, находящихся на дне КЯ) в возбужденное состояние (когда они находятся над верхом ямы, над барьером) с последующим их дрейфом во внешнем электрическом поле. При таком возбуждении поглощается фотон падающего излучения. Коэффициент поглощения в КРС для относительно глубоких квантовых ям может в 100 раз превосходить поглощение, наблюдаемое в примесных полупроводниках. Наличие потенциальных барьеров в КРС препятствует протеканию сквозного темнового тока и позволяет варьировать концентрацию легирующей примеси в широких пределах, достигая значений, соответствующих металлической проводимости.

Характерно, что для квантовых приемников, какими являются QWIP матрицы, обычные принципы взаимодействия падающего излучения с чувствительными элементами кардинально отличаются от хорошо известных тепловых приемников излучения. Взаимодействие излучения происходит не на волновом принципе, а на принципе взаимодействия с фотонами (вплоть до единичных). Квант излучения выбивает из экситона квантовой ямы электроны, которые далее транспортируются по полосам проводимости на схемы считывания. По этой причине для повышения фоточувствительности матрицы излучение принимается не по нормали падения, а оно заводится через подложку. Технологически добиваются решения такой задачи путем нанесения призменных дифракционных решеток по разделяющим линиям между квантовыми колодцами.

В России исследования по созданию матричных приемников излучения на КРС в последние годы и годы прошедшего десятилетия проводятся интенсивно [10…12]. Более того, имеются даже коммерческие предложения по интегральным матричным фотоприемным модулям на основе МСКЯ GaAs/AlGaAs с In столбами разработки Института Физики Полупроводников СО РАН. Размер матрицы 320х256 элементов. Фрагменты матриц представлены на Рис. 3. Однако настоящего промышленного выхода добились западные и межконтинентальные фирмы и корпорации. Наибольших успехов достигла корпорация FLIR System. В настоящее время производственные мощности компании FLIR Systems сосредоточены на четырех предприятиях -- в США они располагаются в Портлэнде, Бостоне и Санта-Барбаре, плюс завод в Стокгольме (Швеция). В 2003 году в состав FLIR Systems вошла компания Indigo Systems -- ведущий разработчик и поставщик широкого спектра компонентов систем тепловидения, включая охлаждаемые и неохлаждаемые детекторы, базовые компоненты камер и готовые камеры.

По каталогам Indigo Corporation можно проследить уровень достигнутых нанотехнологий в области производства QWIP структур. В публикации [33] и на рисунках 4 и 5 приведены данные по 4х цветной QWIP матрице формата 640x512 и 640x128 элементов.

Список использованных источников:

  1. Тавгер Б.А., Демиховский В. Я. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках.- Успехи физ.наук, т.96, с.61-86, 1968.
  2. В.Я.Демиховский, «Квантовые ямы, нити, точки. Что это такое?», соросовский образовательный журнал, №5, 1997, С. 80-86.

  3. В.В.Капаев, А.В. Тюрин, Генерация гармоник в квантово-размерных структурах в сильном электро-магнитном поле, Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3.

  4. М.Херман, «Полупроводниковые сверхрешетки». / Пер. с англ. М.: Мир, 1989.

  5. А.Я.Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков, «Физика низкоразмерных систем». СПб., 2001.

  6. В.П.Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин, «Основы наноэлектроники». : Учебное пособие

  7. Гордиенко А.Н. Технология квантово-размерных структур, СПбГПУ

  8. Sa'ar; Amir; Shappir; Joseph, Voltage tunable integrated infrared imager, USP 20070063219 March 22, 2007
  9. Булыгина Е.В и др. Наноразмерные структуры:классификация, формирование и исследование, Конспект лекций.

  10. Я.Е.Покровский, Физика конденсированных сред, РФФИ

  11. Акиншина Г.В. Расчет интервала технологического допуска для гетероструктур ИК-фотоприемников. Россия, Ставрополь, Ставропольский государственный университет. Материалы I Международной научно-технической конференции "Инфотелекоммуникационные технологии в науке, производстве и образовании"
  12. Акиншина, Галина Владимировна Математическое моделирование структур с множественными квантовыми ямами непрямоугольного асимметричного профиля для формирования ИК-фотоприемников с заданными свойствами : Дис. ... канд. техн. наук : 05.13.18 Ставрополь, 2006
  13. Певцев Е., Чернокнижин В. Матричные ИК-приемники для малогабаритных тепловизионных камер.//Электронные компоненты. 2001, № 1, с. 32 – 36, 2001, № 2, с. 30 – 34, 2001, № 3, с. 12 – 20.
  14. В.Н. Овсюк и др, Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск: Наука, 2001, 376с.
  15. А. Коломыйцев, Д. Карнеев На подступах к объекту. Секреты охранного тепловидения – I , 23.05.2008,
  16. Дмитриев Е., Фотоприемники для работы в мультиспектральных оптоэлектронных системах. Проблемы создания, журнал "Электроника: Наука, Технология, Бизнес" , Выпуск № 8/2005
  17. Кравченко А.Ф.,Овсюк В.Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности, 2000, ИЗД-ВО Сибирского отделения Российской академии наук , Ихтик
  18. Nano-Optoelectronics Concept, Physics and Devices, edited by M. Grundmann (Springer-Vering, Berlin, 2002)
  19. Nishino Hiroshi. Photodetector, Patent JP2002320148, 2002-10-31 (Priority number: JP20010126282 20010424)
  20. Gunapala, Sarath D. ; et al. Multi-quantum-well detector for low-background applications USP 20020074542, June 20, 2002
  21. Perera, A.G. Unil ; et al. Heterojunction far infrared photodetector. USP 20050258415, November 24, 2005
  22. Priority JP20010126282 20010424
  23. Здоровейщев А. В., Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек inas/gaas, выращенных газофазной эпитаксией, Нижний Новгород, 2006 г., автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук,
  24. Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроникиФОТОНИКА 2008
  25. Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б., Малджы А.А., Мармалюк А.А. Влияние знакопеременных деформаций на образование дислокаций несоответствия в многослойных гетероструктурах InGaAs/GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии, Секция «Физика низкоразмерных систем (квантово-размерные гетероструктуры и наноструктуры)», Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии. VII Международная конференция. Кисловодск – Ставрополь: СевКавГТУ, 2007 – 510 с
  26. В.И. Зубков. Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 3
  27. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина., Физика твердого тела, 2004г., т.46,вып 5
  28. Квантовые точки, Нанометр
  29. Г. С. Мельников, В. М. Самков, Ю. И. Солдатов, Н. А. Клишо, Э. Д. Панков , В. В. Коротаев., Реализация режима сверхразрешения при комплексировании тера­Герцового и ИК-диапазонов на qwip-матрицах // Изв. вузов. Приборо­строение. 2008. Т. 51, № 9. С. 47—54.
  30. Г.С.Мельников, Н.А.Клишо, В.М.Самков, Ю.И.Солдатов, Э.Д.Панков, В.В.Коротаев. Метод реализации режима сверх разрешения на двух диапазонных QWIP матрицах., Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники Фотоника-2008
  31. Интегральные матричные фотоприемные модули на основе МСКЯ GaAs/AlGaAs, ИФПСОРАН
  32. Л.В Иогансен ЖТФ 32, 4, 406 (1962); 33, 11, 1323 (1963);
  33. Roy Szweda, QWIPs – Multi-spectral mine clearance and medical, Indigo Corpjration



Средний балл: 9.5 (голосов 4)

 


Комментарии
Владимир Владимирович, Коллеги!
Хотя и с задержкой, но обещанное всегда стараюсь выполнить.
С уважением,
Геннадий Семенович
Владимир Владимирович, 18 февраля 2009 17:24 
Геннадий Семенович,
Многогранно, разнопланово и истиноутверждающе!
(Опечаток - прорва!)
Владимир Владимирович!
Спасибо за оценку. С опечатками вечная история, как их ни вытравляешь, они снова обнаруживаются. А в данном случае наложилось мое опрометчивое обещание в короткий срок сделать обзор. Если удастся обнаруженные опечатки собрать на пол-листа, буду признателен за замечания.
Геннадий Семенович
Екатерина Гутемовна!
СПАМ бывает разный - невинный и безобразный.
Всё это мы уже проходили...
«Сейчас нанотехнологии приобрели огромную популярность не только в научной среде"
Но и в среде разработчиков игры на движке Сорса
Владимир Владимирович!
И в дополнение к Посту
отсылаю Вас к Поисковику nigma с поисковым словом Сорса. (Для анализа достаточно первых пяти ссылок + ссылка 19)
Право анализа оставляю за Вами, уважаемый Владимир Владимирович
НАНОТЕХНОЛОГИЯ - технология синтеза композитных материалов, наноразмерных (пространственных и пространственно-временных) структур, взаимодействующих с электромагнитными и гравитационными полями на уровнях ниже дифракционного предела.
Павел Александрович!

Не поленился и тщательно выверил Ваше цитирование (обычно в этом портале мы цитирование, (Ctrl C), выделяем курсивом) с оригиналом из начала статьи. В роди бы ни каких ошибок и изменений нет. Не просматривается в Вашем посте Ваше собственное мнение. Согласны Вы с этим определение НАНОТЕХНОЛОГИИ или нет? Или Вы ещё раз решили его визуализировать?
C уважением,
Геннадий Семёнович
Здравствуйте, очень понравился Ваш обзор, нашел у Вас несколько интересных книг по теме.
От себя хотелось бы посоветовать еще книги
для тех кто интересуется этой проблемой
K. K. Choi «The physics of Quantum Well Infrared Photodetectors », 1997
H. Schneider, H.C.Lui «Quantum Well Infared Photodetectors»,2007

А также заметил у Вас опечатки в фамилиях авторов в 13 источнике, правильный вариант: Певцов и Чернокожин.
Павел Аллексеевич!
Спасибо за отзыв и замеченные опечатки, но Владимир Владимирович ещё и прорву их обнаружил.
Сименов Иван Петрович, 11 августа 2012 16:19 
Главное, господа, это не опечатки, а сам материал по себе. Спасибо за материал. Весьма познавательно.

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Призмы
Призмы

Интервью с участниками, авторами задач и организаторами XIII Олимпиады
Предлагаем ознакомиться с подборкой видеороликов - миниинтервью, взятых в течение очного тура XIII Всероссийской Интернет-олимпиады по нанотехнологиям "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" (25 - 30 марта 2019 года).

Неделя Олега Лосева
Портал RSCI.RU и инициаторы проведения "Недель Олега Лосева" приглашают все вузы и факультеты физико-технологического и радиоэлектронного профиля к участию в первой Неделе Олега Лосева в Рунете, посвященной Олегу Владимировичу Лосеву - признанному пионеру полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.

Магистратура Московского университета по химической технологии
Химический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова объявляет о приеме в магистратуру "Химическая технология" для подготовки специалистов в области полимерных композиционных материалов, углеродных материалов, защитных покрытий.

Интервью с Константином Козловым - абсолютным победителем XIII Наноолимпиады
Семенова Анна Александровна
Школьник 11 класса Константин Козлов (г. Москва) стал абсолютным победителем Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" 2018/2019 по комплексу предметов "физика, химия, математика, биология". О своих впечатлениях, увлечениях и немного о планах на будущее Константин поделился с нами в интервью.

Микроэлементарно, Ватсон: как микроэлементы действуют на организм
Алексей Тиньков
Как на нас воздействуют кадмий, ртуть, цинк, медь и другие элементы таблицы Менделеева рассказал сотрудник кафедры медицинской элементологии РУДН Алексей Тиньков в интервью Indicator.Ru

Зимняя научная конференция студентов 4 курса ФНМ МГУ 22-23 января 2019 г.
Сафронова Т.В.
Настоящий сборник содержит тезисы докладов зимней научной студенческой конференции студентов 4-го курса ФНМ

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.