Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Участники по статусу

Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

всего заявок: 1448, показываются: 1353


Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 далее
 
Калякина Алена Сергеевна
Калякина Алена Сергеевна

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Калужская область, Обнинск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Сунц Мгу

Камнева Алексей Витальевич
Камнева Алексей Витальевич

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Москва

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Лицей №1586

Канареева Инга Денисовна
Канареева Инга Денисовна

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Украина, Крым, Севастополь

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Филиал Мгу В Г.севастополе

Канахин Андрей Владимирович
Канахин Андрей Владимирович

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Ульяновская, Ульяновск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Школа №15

Капитонов Илья Валерьевич
Капитонов Илья Валерьевич

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Тверская, Конаково

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Гимназия 5

Капустина Мария Владимировна
Капустина Мария Владимировна

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Калининградская, Калининград

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №45, Г. Калининград

Карабанова Елена Геннадьевна
Карабанова Елена Геннадьевна

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Краснодарский край, Тимашевск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Школа №11

Карамова Гузель Тафкиловна
Карамова Гузель Тафкиловна

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Марий Эл, Йошкар-ола

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Сош №27

Карасёв Никита Вадимович
Карасёв Никита Вадимович

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Тобольск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №4, Г. Тобольск

Карасёв Сергей Владимирович
Карасёв Сергей Владимирович

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Владимирская, Струнино

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №11, Г. Струнино

Каргина Мария Александровна
Каргина Мария Александровна

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Самарская, Нефтегорск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №2, Г. Нефтегорск

Кардакова Ольга Александровна
Кардакова Ольга Александровна

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Пермский край, Березники

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №27

Каримов Максим Данисович
Каримов Максим Данисович

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Саратовсая обл., Саратов

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Сокловская Школа

Каримов Ренат Римович
Каримов Ренат Римович

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Тюменская, Сургут

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "лицей №3", Г. Сургут

Каримова Дилара Рифатовна
Каримова Дилара Рифатовна

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Республика Башкортостан, Салават

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Башкирская Республиканская Гимназия-интернат 1 Имени Рами Гарипова

Карнюшкин Кирилл Сергеевич
Карнюшкин Кирилл Сергеевич

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Сахалинская область, Южно-сахалинск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "лицей №1", Г. Южно-сахалинск

Карпов Алексей Юрьевич
Карпов Алексей Юрьевич

Количество полных лет: 31

Текщее местоположение: Россия, Адыгея, Красногвардейское

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Гимназия №1, С. Красногвардейское

Карпова Мальвина Ивановна
Карпова Мальвина Ивановна

Количество полных лет: 32

Текщее местоположение: Россия, Республика Марий Эл, Морки

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "моркинская Сош №6"

Каталажнов Даниил Вячеславович
Каталажнов Даниил Вячеславович

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Хабаровский край, Комсомольск-на-амуре

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу Сош №5, Г.комсомольск-на-амуре

Кашин Олег Вячеславович
Кашин Олег Вячеславович

Количество полных лет: 33

Текщее местоположение: Россия, Иркутская, Ангарск

Статус: Абитуриент (11 класс, выпуск 2010 г.)

Моу "сош №20"

 
Страница: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 далее
Стенка сегнетоэлектрического домена триглицинсульфата
Стенка сегнетоэлектрического домена триглицинсульфата

Наносистемы: физика, химия, математика (2024, Т. 15, № 2)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume15/15-2
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2024, Т. 15, № 1)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume15/15-1
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2023, Т. 14, № 5)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume14/14-5
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2024 году
коллектив авторов
29 – 31 мая пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2023 году
коллектив авторов
30 мая - 01 июня пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.