Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рисунок 1 - Молекулярная структура используемого резиста.
Рисунок 2 - Принцип формирования рельефа на поверхности материала.
Рисунок 3 - Линии пикселей равной глубины, как функции приложенной температуры и силы. Пунктирными линиями экстраполирована нулевая глубина резиста. Два режима разделены критическим значением температуры 330 С. При температурах ниже пороговой резист деформируется механически,при температурах выше пороговой происходит разрыв водородных связей и удаление атомов.
Рисунок 4 - Результат формирования изображения. Глубина каждого пикселя составила около 8 нм. Линейные размеры 29 нм.
Рисунок 5 - D) Сформированный рельеф из последовательности параллельных линий, расположенных на расстоянии 40 нм друг от друга. В левом нижнем углу расстояние между линиями 20 нм. Линейный размер пикселя составил 10 нм. Температура острия кантилевера в процессе удаления атомов 500 С+/- 30 С. Приложенная сила составила 100 нН +/- 10 нН. Е) Расстояние в 60 нм между линиями и в 30 нм между линиями, расположенными в правом нижнем углу образца. На графике

Реферативный обзор статьи «Nanoscale Three-Dimensional Patterning of Molecular Resists by Scanning Probes» (продолжение новости "Самая маленькая трехмерная карта мира от IBM")

Ключевые слова:  литография, материаловедение, наноразмерные структуры, периодика

Автор(ы): Anuja De Silva, Armin W. Knoll , Bernd Gotsmann, David Pires, Heiko Wolf, James L. Hedrick, Jane Frommer, Michel Despont, Urs Duerig, Клюев П.Г.

Опубликовал(а):  Клюев Павел Геннадиевич

05 мая 2010

В данной публикации представлено реферативное содержание статьи «Nanoscale Three - Dimensional Patterning of Molecular Resists by Scanning Probes» авторов David Pires,1 James L. Hedrick,2 Anuja De Silva,3 Jane Frommer,2 Bernd Gotsmann,1 Heiko Wolf,1 Michel Despont,1 Urs Duerig,1 Armin W. Knoll1* (1IBM Research–Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland. 2IBM Research–Almaden, 650 Harry Road, San Jose, CA 95120, USA. 3IBM Research–Watson, T.J.Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, USA, *To whom correspondence should be addressed. E-mail: ark@zurich.ibm.com)

Фото- и электронно-лучевая литография являются довольно популярными методами формирования рисунка на тонкой пленке материалов микроэлектроники. Однако эти методы обладают существенным недостатком – оставить незасвеченной область, непосредственно скрытую шаблоном, мешает дифракция. Рисунок как бы расплывается, проникая в прилегающие области. В данной статье предлагается использовать метод «сканирующей литографии». Его суть в следующем: под тепловым действием сканирующего зонда с поверхности материала испаряются атомы вещества. В качестве резиста, вещества, на котором планируется создать рисунок, выбран органический материал с водородными связями.

Водородные связи представляют собой специфический вид химической связи, Энергия КОТОРОЙ гораздо меньше энергии ковалентной связи, поэтому ОНА легко поддается разрушению. Энергия водородной связи составляет от 8 до 40 кДж/моль в зависимости от ЭЛЕКТРООТРИЦАТЕЛЬНОГО элемента, СОЕДИНЕННОГО С АТОМОМ ВОДОРОДА.

Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) использует явление туннельного эффекта для получения изображения поверхности материала. Острие зонда в СЗМ находится достаточно близко к поверхности материала, это дает возможность манипулировать поверхностным слоем атомов резиста. За достаточно короткие промежутки времени взаимодействия зонда с резистом (порядка 5.5 мкс) разрушить прочные ковалентные связи не удается, а водородные легко поддаются разрыву.

На рисунке 1 представлено молекулярное строение используемого в качестве резиста материала. Принцип нанесения рельефа поверхности резиста показан на рисунке 2. Рисунок, который необходимо получить на поверхности, внесен в память компьютера, управляющего работой зонда. В состоянии покоя кантилевер находится на расстоянии 300 нм от поверхности. В рабочем положении на кантилевер подается напряжение накала Vh, а на образец материала резиста подается напряжение Vf, регулирующее силу взаимодействия кантилевера и обрабатываемого резиста. Глубина полученного пикселя зависит от температуры Theater острия кантилевера и силы взаимодействия (напряжений Vh и Vf). Фактической значение температуры резиста, а точнее разности температуры резиста и температуры комнатной, равно: Tresist-Troom=0.4…0.5*(Theater-Troom). На графике зависимости глубины полученного пикселя от температуры и силы существует экстремальная точка температуры 330 С. При температурах ниже этого значения кривые ведут себя как при горячем тиснении материала. При температурах выше 330 С, вещество разупрочняется и за короткое время взаимодействия (5.5 мкс) молекулы получают достаточно энергии для разрыва водородных связей, см. рисунок 3. Диффундируя в область острия с более высокой температурой, они «выводятся» в открытое пространство, при этом не задерживаясь в самом кантилевере.

На рисунке 4 показаны результаты работы. На образце из 3.6 × 104 пикселей, линейный размер которых 29 нм, сформировали эмблему компании IBM. Глубина линий составила 8+/-1нм. Глубина каждого пикселя одинакова, независимо от того, в каком месте образца он был сформирован, находились ли с ним рядом другие пиксели или нет. В процессе создания картинки изъяли 0.2 мкм3 объема материала, что в 1000 раз больше объема самого острия кантилевера. Тем не менее, на острие не было обнаружено атомов удаляемого материала. Процесс предполагает, что молекулы проходят без разрыва ковалентных связей и не вступая в реакцию, а значит, не загрязняя острие кантилевера.


В статье использованы материалы: Nanoscale Three-Dimensional Patterning of Molecular Resists by Scanning Probes


Средний балл: 10.0 (голосов 1)

 


Комментарии
Обращение автора. Не совсем ясно из текста статьи, как и куда собственно переносится рисунок в дальнейшем. Указывается, что требуются большие масштабы, в самом же начале рельеф формируется на материал-резисте. Затем упоминается ионное реактивное травление. Глубина рельефа первоначального образца не превышает 8 нм. В статье-оригинале же указывается, что сам рельеф проецируется на подложку из polystyrene-r-benzocyclobutene и его "окончательная " глубина уже 70 нм. Также упоминается 3 нм толщины маска оксида кремния. Просьба к посетителям сайта помочь разобраться в этом вопросе! Ссылка на статью-оригинал прилагается: Зайти на сайт sciencemag.org и в поиске ввести название статьи-оригинала. Требуется логин и пароль для скачивания. Спасибо!
Пожалуйста, кто заинтересовался данной статьей, давайте
разберемся вместе, что же на самом деле происходило в
эксперименте. Мне не понятно содержание заключительной части,
смысл которой я кратко изложил в предущем коммнтарии.
Ссылку на статью-оригинал можно получить путем ввода
названия статьи на сайте sciencemag.org или могу
прислать копию на эл.ящик. Пишите! Давайте быть
активными!

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

"Спагетти" из триблок-сополимера
"Спагетти" из триблок-сополимера

IX Международная конференция «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества»
3-7 октября 2022 г. состоится IX Международная конференция "Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества" имени чл.-корр. РАН Бурханова Г.С., которая является международным научным форумом, охватывающим: фундаментальные основы разработки материалов функционального назначения, в том числе металлических, особо чистых, керамических, полимерных и композиционных; технологические основы создания наноматериалов; проблемы анализа, аттестации функциональных наноматериалов и их применение.

XIX Российская ежегодная конференция молодых научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов»
XIX Российская ежегодная конференция молодых научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов» пройдет 18 - 21 октября 2022 года в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН), г. Москва, в очно-дистанционном формате.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Флуоресцентный шёлк можно получить,подкармливая шелковичных червей углеродными точками. Вопрос выживания кота Шрёдингера. Решение фундаментального вопроса об основном состоянии нитрида бора. Обнаружен новый источник затухания спиновых волн в пленках ферритов гранатов.

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2022 году
коллектив авторов
24 - 27 мая пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Пятилетка Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!": что было и что может быть в будущем
Е.А.Гудилин , А.А.Семенова
Уже более 15 лет живет и развивается Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в будущее!". За всю историю Олимпиады было предложено много инновационных решений, охват олимпиадой составил более 50 000 участников по всей Российской Федерации и странам ближнего зарубежья. В статье приводятся статистические данные по Олимпиаде и возможные пути ее дальнейшего развития.

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.