Одноэлектронная ловушка - наноструктура на основе однородной цепочки сверхмалых туннельных переходов, характеризующаяся способностью удержания на острове хранения избыточного заряда в несколько электронов. Изменение состояния ловушки регистрировались одноэлектронным транзистором. При рабочей температуре Т=35мК время хранения зарядового состояния составило свыше 8-ми часов.
JETP, 84 (1), 190-196 (1997). ЖЭТФ, 111 (1), 344-357 (1997).
Фотография одноэлектронной ловушки
1996 г. лаборатория криоэлектроники МГУ
Цепочка туннельных переходов и остров хранения формируют управляемый потенциальный барьер, удерживающий добавленный на остров хранения электрон и препятствующий входу следующего электрона. Управление высотой барьера осуществляется изменением потенциала острова хранения с помощью емкостного затвора. При плавном изменении напряжения на затворе электроны входят на остров хранения строго один за другим. После входа единичного электрона на остров его потенциал изменяется, восстанавливая барьер для входа следующего электрона. При изменении напряжения в обратную сторону, происходит управляемое выталкивание добавленных электронов с острова также строго по одному. Уменьшая потенциальный барьер ловушки, возможно помещать на остров хранения некоторое количество добавочных электронов и, восстановив барьер до необходимой высоты, хранить их там. Таким образом логическая "1" в такой ячейке памяти будет кодироваться присутствием одного или нескольких добавочных электронов на острове хранения, а "0" - их отсутствием.
Технология изготовления основана на теневом методе, суть которого заключается в напылении материалов структур на подложку в едином вакуумном цикле (“in situ”) через маску, “подвешенную” над подложкой на поддерживающем ее слое резиста. При этом чередуется напыление материалов под различными углами к поверхности образца и окисление напыленных слоев. Туннельные контакты образуются в местах наложения слоев друг на друга. В качестве маски используется так называемая трехслойная “жесткая” маска, где собственно маскирующим слоем является тонкая пленка Ge. Формирование изображения производится путем проведения электронно-лучевой литографии по слою электронного резиста ПММА, предварительно нанесенному на слой Ge, с последующим переносом изображения в низлежащие слои методом анизотропного реактивного ионного травления.
Изобретательно и тонко. В двух словах: и красиво и познавательно!
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
РИА Новости: Школьники из СНГ заняли 9 призовых мест на конкурсе Intel ISEF Представители СНГ заняли девять призовых мест (всего 500) в финале крупнейшего в мире ежегодного конкурса научно-технического творчества школьников Intel International Science and Engineering Fair (ISEF), который состоялся в пятницу 18 мая в Питтсбурге (США); первые места достались представителям США.
Взгляд изнутри: Plastic Logic
Смирнов Евгений Алексеевич В понедельник, 14 мая, в московском офисе РОСНАНО прошёл первый из трёх (Москва, Дрезден, Кембридж) TechOpenDay компании PlasticLogic. Авторский взгляд Евгения Смирнова на то, что же было показано публике.
Шаг в Космос
Набиуллин А.Р. Полёт фантазии, слегка обременённой знаниями.
Это специальный опрос для учителей и представителей школ, которых мы просим оценить значимость предлагаемых материалов, мероприятий и перспективы их дальнейшего совершенствования на пути эффективного взаимодействия школ и ВУЗов. В опросе могут также участвовать школьники, студенты и аспиранты, особенно со своими критическими замечаниями в комментариях.
Проектная деятельность школьников становится все более популярной, фактически превращается в "обязаловку" для школ и их воспитанников. При этом, что это такое и как с этим быть, знают не очень многие. Этот небольшой опрос ставит себе целью оценить, как сейчас понимаются вопросы проектной деятельности всеми потенциальными участниками этого непростого процесса.
Непопулярный опрос о давно наболевшей проблеме... а также небольшое обсуждение, к чему это все может привести и как с проблемой бороться... если еще можно бороться. Как всегда, обещаем, что если что - то интересное выйдет, попробуем использовать стагнирующий "Нанометр" для борьбы за светлое будущее, конечно же, и с Вашей помощью тоже...
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
