Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рис.1. (a) При квантовом фазовом переходе квантовой точки из синглетного состояния |A> в триплетное состояние |B> система проходит через так называемую квантовую критическую точку, разделяющую эти два состояния. Большие стрелки – направления спинов двух электронов в квантовой точке. Маленькие стрелки – направления спинов экранирующих электронов в электродах.
b) Микрофотография устройства, использованного авторами [1] для исследования квантового фазового перехода в молекуле C60 (изображение получено с использованием атомно-силового микроскопа).
Зависимость проводимости графена s при T = 20 K от напряжения Vg на управляющем электроде при различной концентрации nimp заряженных примесей, пропорциональной времени t осаждения атомов калия (dnimp/dt » 3×1015 м-2с-1). Величина Vgmin, при которой s для данной nimp минимальна, отвечает n = 0. Разность Vg-Vgmin пропорциональна n (отрицательные значения n соответствуют дырочной проводимости). Символы – экспериментальные данные, сплошные линии – теоретическая зависимость s = Ce(n/nimp) + sres.
Схематическое изображение зонной структуры из двух квантовых точек. Показаны энергетические уровни электронов и дырок. Напряжение, приложенное между электродом (черная полоска) и резервуаром n+-GaAs, “наклоняет” зоны и таким образом позволяет изменять зарядовые состояния квантовых точек и отстройку уровней.
Рис.1. Вид структуры сверху (а), макроскопический и мезоскопический потенциальный рельеф (b), температурные зависимости сопротивления в макроскопической структуре (c) и в мезоскопических структурах (d) и (e).
Рис. 1. Формирование оксидной маски (а).
Рис. 1. Формирование оксидной маски: полученная структура (b).
Рис.1. Относительное содержание металлов в ОСНТ разных фирм и в других возможных источниках аэрозолей (угле, нефти, континентальной коре). ОСНТ синтезированы с использованием катализаторов а) Ni-Y. б) Co-Mo.
Рис. 1. Сравнение эмиссионных вольт-амперных характеристик катодов с эмиттером из многослойных УНТ и многослойных УНТ с выращенными на них трубками меньшего диаметра.
Таблица 1.
Таблица 2.

Перст-дайджест (том.15, июнь 2008 г.)

Ключевые слова:  Перст

Опубликовал(а):  Гудилин Евгений Алексеевич

05 июля 2008

Квантовый фазовый переход в молекуле C60

Квантовым фазовым переходом (КФП) называют качественное изменение основного состояния физической системы, которое происходит при нулевой температуре за счет изменения какого-либо “контрольного” параметра. Обычно в литературе говорят о КФП в макроскопических системах (например, обсуждается КФП в ВТСП при допировании). Однако КФП может, в принципе, иметь место и в наноструктурах, например, в квантовых точках. В работе [1] французские физики продемонстрировали, как КФП происходит в “квантовой точке” из одной молекулы фуллерена C60 с двумя “избыточными” электронами. Двухэлектронные спиновые состояния |S,m> характеризуются величиной полного спина S = 0 или 1 и его проекцией m на ось квантования (m = 0 при S = 0 – синглет; m = -1, 0, 1 при S = 1 – триплет). В отсутствие магнитного поля переход из синглетного состояния в триплетное происходит при изменении потенциалов на управляющих электродах (рис. 1). Детальные исследования КФП в “искусственных” наноструктурах будут, безусловно, способствовать лучшему пониманию КФП в макроскопических твердотельных системах, таких как ВТСП и соединения с тяжелыми фермионами.

Л.Опенов

1. N.Roch et al., Nature 453, 633 (2008).

Рассеяние на заряженных примесях в графене

В литературе обсуждаются различные факторы, влияющие на зависимость электропроводимости графена s от концентрации носителей заряда n, в том числе короткодейстующий потенциал дефектов структуры, “рябь” на поверхности и т.д. Сотрудники University of Maryland и University of Central Florida (США) выполнили систематические исследования транспортных характеристик графена как функции концентрации заряженных примесей nimp, которую они изменяли путем осаждения на графен атомов калия в сверхвысоком вакууме [1]. Было показано, что зависимость s от n (см. рис.) в целом неплохо описывается теоретической формулой s = Ce(n/nimp) + sres (e – элементарный заряд, C – константа), причем величина “остаточной” проводимости sres, как и предсказывает теория, близка к smin = 4e2/h, то есть к удвоенному “кванту проводимости” 2e2/h. Интересно, что sres минимальна (и ближе всего к smin) при конечной величине nimp (а не при nimp=0). Из этого авторы [1] делают вывод, что наличие у s минимума связано не с “дираковской сингулярностью”, а с пространственной неоднородностью концентрации носителей, индуцированной примесным потенциалом.

1. J.H. Chen et al., Nature Phys. 4, 377 (2008).

Условная квантовая динамика в туннельно-связанных квантовых точках

Основу большинства схем обработки квантовой информации составляют так называемые условные (conditional) квантовые операции (например, “контролируемое НЕ” – CNOT). Так, в результате выполнения двухкубитной условной операции состояние одного из кубитов меняется в зависимости от состояния другого. В работе [1] экспериментально продемонстрирована условная квантовая динамика в системе из двух вертикальных туннельно-связанных квантовых точек InGaAs/GaAs: вероятность оптического возбуждения одной квантовой точки (то есть вероятность образования в ней экситона при поглощении кванта света) зависит от того, есть ли экситон в соседней точке. Контроль за энергетическими уровнями квантовых точек при этом осуществляется путем изменения напряжения на электроде (см. рисунок). Характерные времена таких операций не превышают пикосекунды. Заметим, однако, что их практической реализации могут помешать малые времена декогерентизации возбужденных зарядовых состояний.

1. L. Robledo et al., Science 320, 772 (2008).

Эксперимент нарушает теорию локализации

Двумерные электронные системы, образующиеся в полупроводниковых гетероструктурах, являются полигоном для экспериментальной проверки теорий сильновзаимодействующих многочастичных квантовых систем. Недавно известная группа ученых из University of Cambridge обнаружила в таких системах переход из состояния изолятора в металлическую фазу при низкой температуре (Т < 1K) [1]. Особый интерес к этой работе вызван тем, что она резко противоречит предсказаниям теории. Дело в том, что теория скейлинга (масштабирования), примененная к явлению локализации состояний электронов в случайном потенциальном рельефе, неизбежно приводит к состоянию изолятора при нулевой температуре (Т=0). Иными словами, теория запрещает существование протяженных (extended) состояний: при нулевой температуре все состояния должны быть локализованными. Поскольку проводимость в этом случае обусловлена прыжками электронов, сопровождающимися поглощением фононов, то при Т=0 эта проводимость должна быть равна нулю. Все предшествующие эксперименты успешно подтверждали эти предсказания. Действительно, при некоторой температуре наблюдался переход из металлической в диэлектрическую фазу (MIT). После этого диэлектрическая фаза сохранялась до самых низких температур, которые только можно было достичь. В представляемом эксперименте совершенно неожиданно обнаружен обратный переход из изолирующей фазы в металлическую фазу! На рис. 1а представлен вид структуры сверху, затворы 1, 2 и 3 имеют разную длину. На рис. 1b приведен потенциальный рельеф, который содержит флуктуации различного пространственного масштаба. Показано отличие макроскопических флуктуаций от мезоскопических флуктуаций. В макроскопическом потенциальном рельефе (кстати, его происхождение пока не вполне ясно) электроны заливают потенциальные ямы. При понижении температуры проводимость уменьшается до нуля. Мезоскопические флуктуации вызваны случайным потенциальным рельефом, который образуют заряженные примеси в слое AlGaAs, поставляющие электроны в квантовую яму на гетерогранице AlGaAs/GaAs. Масштаб этих флуктуаций определяется шириной спейсера. Спейсер – это нелегированная часть AlGaAs. Назначение спейсера состоит в том, чтобы отодвигать заряженные примеси от области двумерного электронного газа, обеспечивая его высокую подвижность. В данном случае изменение ширины спейсера означает изменение пространственного масштаба флуктуаций. Напряжением на затворе можно управлять концентрацией электронов в двумерной системе, а значит, силой их кулоновского взаимодействия. В мезоскопической структуре локализация может быть обусловлена механизмом Андерсона. В свое время Андерсон показал, что любые волны (световые, звуковые и волны де Бройля) локализуются в результате рассеяния на хаотически расположенных центрах. На рис. 1с показана температурная зависимость сопротивления, измеренная на макроскопическом образце размером 8мкм. Эта зависимость имеет явный активационный характер, присущий перколяционному (прыжковому) механизму протекания тока. Именно образцы такого размера раньше исследовались в экспериментах. В настоящей работе авторы изучили образцы размером 2мкм (рис. 1d) и 0.5мкм (рис. 1е). На этих образцах как раз и наблюдается переход в металлическую фазу при низкой температуре. Металлическая фаза от диэлектрической фазы отличается зависимостью сопротивления от температуры. В металлической фазе сопротивление уменьшается с уменьшением температуры, как в обычных металлах. В диэлектрической фазе сопротивление увеличивается с уменьшением температуры, как и в обычных полупроводниках и изоляторах. Естественно предположить, что несогласие теории с экспериментом обусловлено некоторыми процессами, которые теория не приняла во внимание, например, взаимодействием электронов друг с другом. Как видно, изменение сопротивления при переходе металл-диэлектрик в рассматриваемых структурах очень мало с точки зрения их практического использования в электронике.

В.Вьюрков

1. M. Baenninger et al. Phys. Rev. Lett. 100, 016805 (2008).

Врожденные дефекты кремниевых нанопроволок

Французские специалисты исследовали свойства кремниевых нанопроволок, сформированных на подложке «кремний на изоляторе» с тонким слоем кремния (8нм) [1]. Такие проволоки можно использовать в качестве канала полевого транзистора, в котором затвор огибает канал и вследствие этого эффективно управляет его током. Кроме того, нанопроволоки привлекательны для создания чувствительных сенсоров. В идеале нанопроволоки сохраняют подвижность носителей тока такую же высокую, как в объемном монокристаллическом кремнии. Однако, как показали авторы, большое влияние на свойства нанопроволок в транзисторной структуре оказывают дефекты поверхности, образующиеся в процессе оксидирования и травления кремния. На этих дефектах может накапливаться паразитный заряд. Нанопроволоки были изготовлены с помощью атомно-силового микроскопа (AFM) (рис. 1а). При пропускании тока под его острием происходило окисление (оксидирование) кремния. Этот оксид служил маской при последующем процессе травления кремния. В результате получалась структура, в которой сильнолегированные области контактов соединялись с нелегированной нанопроволокой шириной 95нм (рис. 1b). В работе изучены процессы накопления заряда на ловушках и стекание заряда с ловушек при различных напряжениях на затворе и между истоком и стоком. В качестве затвора использовалась сама кремниевая подложка. Это удобный вариант для сенсора, но далеко не лучший вариант для транзистора. Если сформировать верхний затвор, окутывающий нанопроволоку, а в качестве подзатворного изолятора использовать high-k диэлектрик, то влияние заряда ловушек значительно ослабляется.

В.Вьюрков

1. N. Rochdi et al. J. Vac. Sci. Technol. 8, 159 (2008).

Что содержат серийно выпускаемые нанотрубки

Предлагаемые к продаже одностенные углеродные нанотрубки (ОСНТ) производят с помощью разнообразных методов и, соответственно, получаемые наноматериалы содержат значительное количество примесей металлов и различных форм углерода, влияющих на их свойства и возможности применения. Как уже неоднократно отмечалось в публикациях ПерсТа, от примесей также зависит токсичность углеродных наноматериалов, однако некоторые производители не указывают их точное содержание (и даже самые честные не всегда имеют возможность это сделать). Для того, чтобы «начать исправлять сложившуюся ситуацию», авторы [1] провели доскональное исследование ОСНТ, выпускаемых всеми известными производителями США (10 фирм) в период с сентября 2005 по март 2006 гг. (табл. 1). Основная цель – определить содержание примесей, влияющих на свойства ОСНТ, и помочь производителям и потребителям минимизировать вредное влияние на человека и окружающую среду. Среди исследованных материалов были как очищенные ОСНТ (по цене от 70 до 500 $ за грамм), так и неочищенные (от 50 до 275 $), синтезированные разными способами. Фирма SouthWest NanoTechnologies Inc. (SWeNT, Inc.) кроме своей продукции - очищенных ОСНТ, - по просьбе ученых предоставила для анализа промежуточный продукт. В таблице не представлены фирмы, производящие нанотрубки для целевого использования (например, для дисплеев, полимерных композитов и др.).

Методом масс-спектрометрии с использованием квадрупольного масс-анализатора и ионизации в индуктивно-связанной плазме образцы были проанализированы на наличие примесей Al, Ag, Au, Ba, Be, Bi, By, Ca, Ce, Cd, Co, Cr, Cs, Cu, Er, Fe, Ga, Gd, Hf, Ho, Hg, Ir, La, Li, Lu, Mo, Nb, Nd, Ni, Os, Pb, Pr, Pt, Re, Rh, Ru, Sb, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Ti, Tm, U, V, W, Y, Yb и Zr.

Как и ожидалось, основные примеси связаны с применением при синтезе металлов – катализаторов, о которых сообщают фирмы-производители (от 1,3 до 4,1 % в очищенных и от 14 до 29% в неочищенных ОСНТ). Однако в некоторых образцах были обнаружены неожиданные примеси – Cr, Pb, Cu (0,02-0,3 ppt), причем в образцах SWeNT они появились только после очистки (табл. 2). Возможно, это связано с производственным оборудованием, используемым при обработке кислотами. Как видно из табл. 2, синтезированные в промышленном масштабе углеродные наноматериалы оказываются переносчиками в окружающую среду металлов, некоторые из которых, например, Со, вполне могут быть токсичными.

Интересным и важным результатом исследований является вывод о возможности по анализу аэрозолей не только обнаружить ОСНТ в окружающей среде, но и определить источник их происхождения (естественный или производство), а также проследить за их транспортировкой. Действительно, рассмотрим случай, когда при синтезе в качестве катализатора используется Ni. Отношение Ni:C в продукте достаточно высоко – более 0,20. Это на порядки величин выше, чем для других источников аэрозолей – угля (Ni:C = 2,2х10‑5), нефти (7,7х10‑5), континентальной земной коры (5,9х10‑3) (рис.1а).

Если пыль континентальной коры в пробе воздуха составляет 1 мкг/м3, а углерода в ней 1%, то отношение Ni:C=5,9х10‑3 дает 0,06 нг Ni/м3. Тогда добавление всего 0,3 нг нанотрубок на кубометр воздуха удвоит концентрацию Ni (если ОСНТ содержат 20% Ni)! Аналогично, если ОСНТ содержат 3% Со, то понадобится добавление в 1 м3 воздуха 1,3 нг ОСНТ, чтобы концентрация Со удвоилась (в коре Со:С = 3,7 х10-3).

Таким образом, появление в воздухе незначительного количества ОСНТ (на уровне одного или нескольких нг/м3) приведет к увеличению фона в несколько раз. В случае Ni отношение Ni:Y служит дополнительным индикатором, т.к. для синтезированных нанотрубок оно находится в диапазоне 2,9-4,9 и сильно отличается от отношения для других возможных источников «природных» нанотрубок (рис.1а). Отношение Со:Мо в катализаторах разных фирм заметно различается и частично перекрывается с данными для угля и нефти. Поэтому одних этих данных недостаточно, чтобы определить происхождение ОСНТ. Нужно учесть и отношение Со:С, которое для синтезированных нанотрубок намного больше, чем для возможных «природных» (рис. 1б).

С помощью различных методов, подробно описанных в [1], исследователи определили также содержание углерода непосредственно в составе нанотрубок, аморфного углерода, азота и экстрагируемых ароматических углеводородов. Диапазон общего содержания углерода в ОСНТ составляет 60-97%; величины в большинстве случае согласуются с данными производителей. Аморфный углерод присутствует иногда в очень больших количествах (для NanoAm и SWP на уровне или выше углерода в составе нанотрубок). Возможно, он образуется в процессе очистки.

Все ОСНТ, синтезированные дуговым методом, содержат от 0,14 до 0,48 % N, а полученные CVD-методом - всего 0,02-0,04 % N. Присутствие углеводородов, по мнению авторов, обусловлено, в основном, окружающей средой в процессе производства, хранения и транспортировки ОСНТ. Анализ, проведенный в [1], показывает, что благодаря уникальному содержанию примесей металлов ОСНТ имеют собственные «отпечатки пальцев», по которым их можно отследить. Например, по пропорции Со:Мо в аэрозольной пробе (рис. 1б) можно определить, какая именно фирма загрязняет окружающую среду! Точные данные о составе примесей позволят производителям оценить риски использования конкретных продуктов и внести соответствующие изменения в условия синтеза.

О.Алексеева1. D.L. Plata et al., Nanotechnology 19, 185706 (2008).

Неоднородные нанотрубки эмитируют лучше

В настоящее время во многих лабораториях мира проводятся разработки новых вакуумных приборов с холодными полевыми катодами на основе углеродных нанотрубок (УНТ). Усилия исследователей направлены на повышение плотности тока эмиссии катодов, снижение величины напряжения питания, обеспечение электрического и термического контакта нанотрубки с подложкой, повышение срока службы и т.п. Среди множества подходов, развиваемых для достижения этих целей, важное место занимают методы совершенствования структуры эмиттера на основе нанотрубки. Несмотря на многолетние исследования, ученые до сих пор не пришли к ясному пониманию того, какие именно нанотрубки лучше всего подходят в качестве эмиттера. Некоторую ясность в эту проблему удалось внести группе исследователей из Университета Майями (США) совместно со специалистами из Школы нанотехнологии в Корее. Им удалось значительно улучшить эмиссионные характеристики катода на основе УНТ, вырастив на наконечниках многослойных УНТ большого диаметра однослойные либо тонкие многослойные нанотрубки. В качестве подложки использовали пластину пористого кремния диаметром 5 см и толщиной 300 мкм с удельным сопротивлением в диапазоне от 0,008 до 0,02 Ом см и диаметром пор 15–20 нм. На подложку наносили тонкий слой железа (10 нм), используемого в качестве катализатора. Контакт частиц катализатора с нанопорами обеспечивался в результате отжига образца при 300оС в течение 12 часов. Многослойные вертикально ориентированные нанотрубки длиной 55 мкм и диаметром 15–20 нм выращивали в течение 40 минут при 700оС в потоке ацетилена. С целью выращивания на вершинах многослойных нанотрубок трубок меньшего диаметра на эти вершины с помощью теневой маски напыляли частицы Fe катализатора. Подготовленные таким образом образцы подложек с нанотрубками помещали в камеру CVD, где в течение 5 мин при температуре 900оС в потоке метана (1000 см3/мин) и этилена (5 см3/мин) вырастали однослойные и тонкие многослойные нанотрубки высотой 10 – 15 мкм и диаметром от 2 до 10 нм.

Эмиссионные характеристики изготовленных катодов измеряли в диодной конфигурации при межэлектродном расстоянии 900 мкм и давлении остаточного газа ~ 10-6 Торр. На рисунке сравниваются вольт-амперные характеристики катодов с эмиттерами из многослойных нанотрубок и многослойных УНТ с выращенными на них трубками меньшего диаметра. Как видно, использование двухступенчатых эмиттеров позволяет в десятки раз поднять ток эмиссии. Обработка эмиссионных характеристик, представленных в координатах Фаулера-Нордгейма, позволила заключить, что использование двухступенчатых эмиттеров приводит к повышению коэффициента усиления электрического поля с 8400 до 26200. Таким образом, изменение геометрии эмиттера открывает путь для повышения его рабочих характеристик.

А.В.Елецкий

1. R. Seelaboyina et al., Nanotechnology 19, 065605 (2008).

Нанокомпозиты с графеновой присадкой

Как известно, углеродные нанотрубки (УНТ) обладают чрезвычайно высокими механическими характеристиками, что открывает возможность их использования в качестве присадок к нанокомпозитам для улучшения прочностных свойств. Однако, на пути к достижению этой цели возникает проблема, связанная с необходимостью сопряжения поверхности УНТ с матрицей полимера, составляющего основу данного композита. При слабом сопряжении УНТ в составе композита ведет себя подобно волосу в пироге, что не улучшает, а может даже ухудшить механические свойства материала. Преодоление этой проблемы возможно в результате функционализации УНТ радикалами, образующими достаточно прочную химическую связь как с нанотрубкой, так и с матрицей полимера. Пока данная задача не нашла своего технического решения, исследователи из многих лабораторий пытаются найти альтернативный подход к решению проблемы сопряжения. Некоторые успехи на этом пути связаны с использованием вместо УНТ открытых недавно графенов, представляющих собой индивидуальные фрагменты графитовой плоскости. Преимущество графенов, не уступающих по своим механическим свойствам однослойным нанотрубкам, состоит в наличии на границе листа большого количества нескомпенсированных углеродных связей, которые легко присоединяются к полимерному материалу, образуя монолитный композит.

Возможность улучшения механических свойств композита в результате введения графенов продемонстрирована впервые группой исследователей из различных университетов США [1]. В качестве источника графенов авторы использовали так называемый расширенный графит, полученный из обычного кристаллического графита путем обработки серной кислотой. Кислота заполняет пространство между графитовыми слоями, что вызывает увеличение расстояния между ними. Последующая ультразвуковая обработка приводит к диспергированию графитовых слоев и образованию графенов, значительная часть которых функционализирована кислородом. Наряду с этим материалом, в полимер вводили также однослойные УНТ и частицы расширенного графита. В качестве полимерной матрицы использовали полиметилметакрилат (РММА). Исследуемые образцы представляли собой тонкие пленки композита толщиной ~ 0,1 мм.

Кристаллографические исследования указывают на повышение температуры стеклования композита на 30оС в результате добавки 0,05 % (весовых) графенов. Аналогичный эффект наблюдали при использовании в качестве полимерной матрицы полиакритлонитрила (PАN) и полиакриловой кислоты (PАА). В результате введения 1% графенов повышение температуры стеклования составило 46оС в случае PAN и 20оС в случае РАА. При использовании в качестве присадки однослойных УНТ наблюдаются аналогичные эффекты, однако, как показывают измерения, в этом случае гораздо труднее достигается однородное заполнение полимера нанотрубками.

Исследования показывают, что присадка графенов не только повышает температуру стеклования композитов, но также заметно улучшает их механические характеристики. Так, модуль упругости композита на основе РММА повышается на 33% в результате введения в полимер 0,01% функционализированных графенов. Этот результат во много раз превышает оценочную величину, полученную в результате усреднения прочностных характеристик полимера и присадки. Тем самым введение графенов приводит к формированию новой структуры, свойства которой значительно отличаются от свойств исходных компонентов.

А.В.Елецкий

1. Т. Ramanathan et al., Nature Nanotechnology 3, 327 (2008).

Заполнение углеродных нанотрубок графитовыми частицами

Как известно, внутри углеродной нанотрубки (УНТ) содержится цилиндрическая полость диаметром порядка нанометра, которая может быть заполнена различными веществами. Это придает нанотрубкам новые свойства, которые зависят от типа наполнителя. Процесс заполнения нанотрубки материалом, находящимся в твердофазном состоянии, может оказаться весьма сложным, поскольку не каждое вещество может быть непосредственно внедрено в полость УНТ. В этом случае более уместным представляется проведение синтеза такого вещества из жидкой фазы, помещаемой внутрь УНТ. Примером удачной реализации такого подхода может служить работа, выполненная в Пекинском университете, авторы которой осуществили синтез графитовых частиц внутри углеродной нанотрубки. Массив вертикально ориентированных многослойных УНТ длиной около 150 мкм и диаметром около 15 нм был выращен с плотностью (1,5–2,5)х1010 см-2 методом химического осаждения паров (CVD) на кремниевой подложке. Затем полученный массив УНТ погружали в концентрированный водный раствор (25%) глюкозы, используемой в качестве углеродосодержащего материала. Помимо этого, в раствор вводили небольшое количество (2,5%) Fe(NO3)3, который использовался в качестве источника катализатора на основе железа. После погружения массива УНТ в раствор глюкозы, он пропитывался раствором Na2S, что облегчало проникновение ионов железа внутрь УНТ. Высушенные образцы в течение часа отжигали в атмосфере азота при температуре 380оС, а затем исследовали с помощью сканирующего и просвечивающего электронных микроскопов, имеющих разрешающую способность 1 нм и 0,24 нм, соответственно. Эти исследования показывают, что в результате термокаталитического разложения глюкозы пространство между нанотрубками и внутри нанотрубок заполняется наночастицами графита. В результате заполнения образцов УНТ частицами графита наблюдается более чем трехкратное увеличение коэффициента теплопроводности материала – с 0,65 до 2 Вт/м К. Этот результат указывает на возможность эффективного улучшения теплофизических характеристик УНТ в результате проведения синтеза графитовых частиц.

А.В.Елецкий

1. H. Li., C. Liu, S. Fan, J. Phys. Chem. C 112, 5849 (2008).


Источник: Перст



Комментарии
Как всегда интересно

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Узоры древних майя
Узоры древних майя

Наносистемы: физика, химия, математика (2024, Т. 15, № 1)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume15/15-1
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2023, Т. 14, № 5)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume14/14-5
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2023, Т. 14, № 4)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume14/14-4
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2023 году
коллектив авторов
30 мая - 01 июня пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.