Полевой транзистор из многостенной УНТ и его ВАХ. Толщина трубки ~40 нм, получена методом PECVP. Вах снят при комнатной температуре при различных приложенных потенциалах на затворе. Для получения чипа на структуру SiO2/Si с контактными полщадками "высаживались" нанотрубки из спиртовой суспензии. Затем при помощи ионностимулированного осаждения платины на установке Strata FIB 201 создавались контакты.
p. S. Автору фотографии спасибо за неё.
',%20'editor');а вот ВАХ - нет. Это Передаточная характеристика или Выходная? При обратном смещении на затворе
транзистор превращается в резистор?javascript:insertsmile('
',%20'editor');У простого МОП транзистора есть электроды к истоку, стоку, затвору и подложке. А у нанотрубчатого как?



