Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур

Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • наноэлектроника
  • Оптоэлектроника
Научные интересы
  • Оптическая и структурная характеризация полупроводниковых структур
  • Полупроводниковые лазерные диоды, фотодетекторы, мощные и высокочастотные полупроводниковые приборы
  • Постростовая обработка полупроводниковых приборов
  • Физика и технология выращивания (МПЭ и ГФЭМОС) полупроводниковых гетероструктур
Контактная информация
Телефон +7 812 247-3182
Факс +7 812 247-3178
Индекс 194021
Адрес Санкт-Петербург,ул. Политехническая,26
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Алферов Жорес Иванович, заведующий лабораторией
  • Бекман Юлия Германовна , секретарь-экономист
  • Леденцов Николай Николаевич, зам.заведующего лабораторией
  • Лундин Всеволод , ученый секретарь
  • Устинов Виктор Михайлович, зам.заведующего лабораторией
Описание

Лаборатория организована в 2000 году в Физико-техническом институте им Иоффе РАН.

Структура лаборатории:

Область исследований:

  • Физика и технология выращивания (МПЭ и ГФЭМОС) полупроводниковых гетероструктур
  • Оптическая и структурная характеризация полупроводниковых структур
  • Оптоэлектроника и наноэлектроника (низкоразмерные гетероструктуры - квантовые точки, квантовые ямы)
  • Полупроводниковые лазерные диоды, фотодетекторы, мощные и высокочастотные полупроводниковые приборы
  • Постростовая обработка полупроводниковых приборов
Наиболее значимые публикации
Shchukin, V.A., Ledentsov, N.N., Karachinsky, L.Ya., Novikov, I.I., Shernyakov, Yu.M., Gordeev, N.Yu., Maximov, M.V., (...), Bimberg, D. , "A high-power 975 nm tilted cavity laser with a 0.13 nm K-1 thermal shift of the lasing wavelength " // Semiconductor Science and Technology , 2007, 22 (9 art. no. 014), 1061 - 1065

Ledentsov, N.N., Shchukin, V.A., Kettler, T., Posilovic, K., Bimberg, D., Karachinsky, L.Ya., Gladyshev, A.Yu., (...), Kovsh, A.R. , "MBE-grown metamorphic lasers for applications at telecom wavelengths " // Journal of Crystal Growth , 2007, 301-302, 914 - 922

Ledentsov, N.N., Bimberg, D., Hopfer, F., Mutig, A., Shchukin, V.A., Savel'Ev, A.V., Fiol, G., (...), Werner, P. , "Submonolayer quantum dots for high speed surface emitting lasers " // Nanoscale Research Letters , 2007, 2 (9), 417 - 429

Kuzmenkov, A.G., Blokhin, S.A., Maleev, N.A., Sakharov, A.V., Tikhomirov, V.G., Maksimov, M.V., Ustinov, V.M., (...), Chi, J.Y. , "The use of spatially ordered arrays of etched holes for fabrication of single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots" // Semiconductors , 2007, 41 (10), 1224 - 1229

Karachinsky, L.Ya., Kuntz, M., Fiol, G., Shchukin, V.A., Ledentsov, N.N., Bimberg, D., Kovsh, A.R., (...), Maximov, M.V. , "High-power wavelength stabilized 970 nm tilted cavity laser with a 41.3 dB side mode suppression ratio " // Applied Physics Letters , 2007, 91(24) (art. no. 241112 )

Zhukov, A.E., Kovsh, A.R., Nikitina, E.V., Ustinov, V.M., Alferov, Zh.I. , "Injection lasers with a broad emission spectrum on the basis of self-assembled quantum dots " // Semiconductors , 2007, 41 (5), 606 - 611

Gubenko, A., Krestnikov, I., Livshtis, D., Mikhrin, S., Kovsh, A., West, L., Bornholdt, C., (...), Zhukov, A. , "Error-free 10 Gbit/s transmission using individual Fabry-Perot modes of low-noise quantum-dot laser " // Electronics Letters , 2007, 43 (25), 1430 - 1431

Bimberg, D., Fiol, G., Kuntz, M., Meuer, C., Lämmlin, M., Ledentsov, N.N., Kovsh, A.R. , "High speed nanophotonic devices based on quantum dots " // Physica Status Solidi , 2006, (A) Applications and Materials 203 (14), 3523 - 3532

Gerschütz, F., Fischer, M., Koeth, J., Chacinski, M., Schatz, R., Kjebon, O., Kovsh, A., (...), Forchel, A. , "Temperature insensitive 1.3m InGaAs/GaAs quantum dot distributed feedback lasers for 10Gbit/s transmission over 21km " // Electronics Letters , 2006, 42 (25), 1457 - 1458

A. A. Tonkikh, G. E. Tsyrlin, V. G. Talalaev, B. V. Novikov, V. A. Egorov, N. K. Polyakov, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, N. D. Zakharov, P. Werner, "Room-temperature 1.5-1.6 µm photoluminescence from InGaAs/GaAs heterostructures grown at low substrate temperature " // Semiconductors, 2003, 37 (12), 1406 - 1410

N. V Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, A. R. Kovsh, I. P. Soshnikov, A. F. Tsatsul'nikov, H. Kirmse, W. Neumann, J. Y. Chi, J. S. Wang, L. Wei, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov , "Optical properties of MBE-Grown ultrathin GaAsN insertions in GaAs matrix " // Semiconductors, 2003, 37 (11), 1326 - 1330

D. V. Denisov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, G. E. Cirlin, V. M. Ustinov, "Molecular-beam epitaxy and properties of heterostructures with InAs nanoclusters in an Si matrix " // Physics of the Solid State, 2003, 45 (11), 2194 - 2202

I. L. Krestnikov, R. Heitz, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, A. M. Mintairov, T. H. Kosel, J. L. Merz, I. P. Soshnikov, V. M. Ustinov, "Inherent nature of localized states in highly planar monolayer InAs/GaAsN pseudo-alloys " // Appl. Phys. Lett. , 2003, 83 (18), 3728 - 3730

A. R. Kovsh, J. S. Wang, R. S. Hsiao, L. P. Chen, D. A. Livshits, G Lin, V. M. Ustinov, J. Y. Chi , "High-power (200 mW) singlemode operation of InGaAsN/GaAs ridge waveguide lasers with wavelength around 1.3 µm " // Electronics Lett., 2003, 39 (24), 1726 - 1728

A. E. Zhukov, A. P. Vasil'ev, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, E. S. Semenova, A. Yu. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. A. Maleev, E. V. Nikitina, N. V. Kryjanovskaya, A. G. Gladyshev, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov , "Lasing at 1.5 µm in quantum dot structures on GaAs substrates " // Semiconductors, 2003, 37 (12), 1411 - 1413

A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, D. A. Livshits, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, N. A. Pihtin, I. S. Tarasov, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, J. S. Wang, L. Wei, G Lin, J. Y. Chi, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, "High power lasers based on submonolayer InAs-GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells " // Microelectronics Journal, 2003, 34 (5-8), 491 - 493

Rae, A.R., Thompson, M.G., Penty, R.V., White, I.H., Kovsh, A.R., Mikhrin, S.S., Livshits, D.A., Krestnikov, I.L. , "Absorber length optimisation for sub-picosecond pulse generation in passively mode-locked 1.3μm quantum-dot laser diodes " // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 6184 (art. no. 61841F )

Бездна Наномира
Бездна Наномира

MAPPIC 2019. Первый день
14 октября 2019 года успешно открылась I Московская осенняя международная конференция по перовскитной фотовольтаике (Moscow Autumn Perovskite Photovoltaics International Conference – MAPPIC-2019). В сообщении приведены темы докладов и небольшой фоторепортаж.

В Москве начинается MAPPIC - 2019
14-15 октября 2019 года состоится I Московская осенняя международная конференция по перовскитной фотовольтаике (Moscow Autumn Perovskite Photovoltaics International Conference – MAPPIC-2019)

РИА Новости: Нобелевскую премию по химии присудили за разработку литий-ионных батарей
РИА Новости: Джон Гуденаф, Стенли Уиттингхем и Акира Йошино стали лауреатами Нобелевской премии в области химии за 2019 год за разработку литий-ионных батарей.

Лекция про Дмитрия Ивановича и Наномир на Фестивале науки
Е.А.Гудилин и др., Фестиваль науки
В дни Фестиваля науки «NAUKA 0+» на Химическом факультете МГУ ведущие ученые познакомили слушателей с самыми современными достижениями химии. Ниже приводится небольшой фоторепортаж 1 дня и расписание лекций.

Как правильно заряжать аккумулятор?
Д. М. Иткис
Химик Даниил Иткис о том, как правильно заряжать аккумуляторы гаджетов и почему телефон выключается на холоде

Постлитийионные аккумуляторы
В. А. Кривченко
Физик Виктор Кривченко о перспективных видах аккумуляторов, фундаментальных проблемах в производстве литий-серных источников тока и преимуществах постлитийионных аккумуляторов

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.