Физика и технология выращивания (МПЭ и ГФЭМОС) полупроводниковых гетероструктур
Оптическая и структурная характеризация полупроводниковых структур
Оптоэлектроника и наноэлектроника (низкоразмерные гетероструктуры - квантовые точки, квантовые ямы)
Полупроводниковые лазерные диоды, фотодетекторы, мощные и высокочастотные полупроводниковые приборы
Постростовая обработка полупроводниковых приборов
Наиболее значимые публикации
Shchukin, V.A., Ledentsov, N.N., Karachinsky, L.Ya., Novikov, I.I., Shernyakov, Yu.M., Gordeev, N.Yu., Maximov, M.V., (...), Bimberg, D. , "A high-power 975 nm tilted cavity laser with a 0.13 nm K-1 thermal shift of the lasing wavelength " // Semiconductor Science and Technology , 2007, 22 (9 art. no. 014), 1061 - 1065
Ledentsov, N.N., Shchukin, V.A., Kettler, T., Posilovic, K., Bimberg, D., Karachinsky, L.Ya., Gladyshev, A.Yu., (...), Kovsh, A.R. , "MBE-grown metamorphic lasers for applications at telecom wavelengths " // Journal of Crystal Growth , 2007, 301-302, 914 - 922
Ledentsov, N.N., Bimberg, D., Hopfer, F., Mutig, A., Shchukin, V.A., Savel'Ev, A.V., Fiol, G., (...), Werner, P. , "Submonolayer quantum dots for high speed surface emitting lasers " // Nanoscale Research Letters , 2007, 2 (9), 417 - 429
Kuzmenkov, A.G., Blokhin, S.A., Maleev, N.A., Sakharov, A.V., Tikhomirov, V.G., Maksimov, M.V., Ustinov, V.M., (...), Chi, J.Y. , "The use of spatially ordered arrays of etched holes for fabrication of single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots" // Semiconductors , 2007, 41 (10), 1224 - 1229
Karachinsky, L.Ya., Kuntz, M., Fiol, G., Shchukin, V.A., Ledentsov, N.N., Bimberg, D., Kovsh, A.R., (...), Maximov, M.V. , "High-power wavelength stabilized 970 nm tilted cavity laser with a 41.3 dB side mode suppression ratio " // Applied Physics Letters , 2007, 91(24) (art. no. 241112 )
Zhukov, A.E., Kovsh, A.R., Nikitina, E.V., Ustinov, V.M., Alferov, Zh.I. , "Injection lasers with a broad emission spectrum on the basis of self-assembled quantum dots " // Semiconductors , 2007, 41 (5), 606 - 611
Gubenko, A., Krestnikov, I., Livshtis, D., Mikhrin, S., Kovsh, A., West, L., Bornholdt, C., (...), Zhukov, A. , "Error-free 10 Gbit/s transmission using individual Fabry-Perot modes of low-noise quantum-dot laser
" // Electronics Letters , 2007, 43 (25), 1430 - 1431
Bimberg, D., Fiol, G., Kuntz, M., Meuer, C., Lämmlin, M., Ledentsov, N.N., Kovsh, A.R. , "High speed nanophotonic devices based on quantum dots " // Physica Status Solidi , 2006, (A) Applications and Materials 203 (14), 3523 - 3532
Gerschütz, F., Fischer, M., Koeth, J., Chacinski, M., Schatz, R., Kjebon, O., Kovsh, A., (...), Forchel, A. , "Temperature insensitive 1.3m InGaAs/GaAs quantum dot distributed feedback lasers for 10Gbit/s transmission over 21km
" // Electronics Letters , 2006, 42 (25), 1457 - 1458
A. A. Tonkikh, G. E. Tsyrlin, V. G. Talalaev, B. V. Novikov, V. A. Egorov, N. K. Polyakov, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, N. D. Zakharov, P. Werner, "Room-temperature 1.5-1.6 µm photoluminescence from InGaAs/GaAs heterostructures grown at low substrate temperature
" // Semiconductors, 2003, 37 (12), 1406 - 1410
N. V Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, A. R. Kovsh, I. P. Soshnikov, A. F. Tsatsul'nikov, H. Kirmse, W. Neumann, J. Y. Chi, J. S. Wang, L. Wei, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov , "Optical properties of MBE-Grown ultrathin GaAsN insertions in GaAs matrix
" // Semiconductors, 2003, 37 (11), 1326 - 1330
D. V. Denisov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, G. E. Cirlin, V. M. Ustinov, "Molecular-beam epitaxy and properties of heterostructures with InAs nanoclusters in an Si matrix
" // Physics of the Solid State, 2003, 45 (11), 2194 - 2202
I. L. Krestnikov, R. Heitz, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, A. M. Mintairov, T. H. Kosel, J. L. Merz, I. P. Soshnikov, V. M. Ustinov, "Inherent nature of localized states in highly planar monolayer InAs/GaAsN pseudo-alloys
" // Appl. Phys. Lett. , 2003, 83 (18), 3728 - 3730
A. R. Kovsh, J. S. Wang, R. S. Hsiao, L. P. Chen, D. A. Livshits, G Lin, V. M. Ustinov, J. Y. Chi , "High-power (200 mW) singlemode operation of InGaAsN/GaAs ridge waveguide lasers with wavelength around 1.3 µm
" // Electronics Lett., 2003, 39 (24), 1726 - 1728
A. E. Zhukov, A. P. Vasil'ev, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, E. S. Semenova, A. Yu. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. A. Maleev, E. V. Nikitina, N. V. Kryjanovskaya, A. G. Gladyshev, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov , "Lasing at 1.5 µm in quantum dot structures on GaAs substrates
" // Semiconductors, 2003, 37 (12), 1411 - 1413
A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, D. A. Livshits, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, N. A. Pihtin, I. S. Tarasov, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, J. S. Wang, L. Wei, G Lin, J. Y. Chi, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, "High power lasers based on submonolayer InAs-GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells
" // Microelectronics Journal, 2003, 34 (5-8), 491 - 493
Rae, A.R., Thompson, M.G., Penty, R.V., White, I.H., Kovsh, A.R., Mikhrin, S.S., Livshits, D.A., Krestnikov, I.L. , "Absorber length optimisation for sub-picosecond pulse generation in passively mode-locked 1.3μm quantum-dot laser diodes " // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 6184 (art. no. 61841F )
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
