Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур

Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • наноэлектроника
  • Оптоэлектроника
Научные интересы
  • Оптическая и структурная характеризация полупроводниковых структур
  • Полупроводниковые лазерные диоды, фотодетекторы, мощные и высокочастотные полупроводниковые приборы
  • Постростовая обработка полупроводниковых приборов
  • Физика и технология выращивания (МПЭ и ГФЭМОС) полупроводниковых гетероструктур
Контактная информация
Телефон +7 812 247-3182
Факс +7 812 247-3178
Индекс 194021
Адрес Санкт-Петербург,ул. Политехническая,26
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Алферов Жорес Иванович, заведующий лабораторией
  • Бекман Юлия Германовна , секретарь-экономист
  • Леденцов Николай Николаевич, зам.заведующего лабораторией
  • Лундин Всеволод , ученый секретарь
  • Устинов Виктор Михайлович, зам.заведующего лабораторией
Описание

Лаборатория организована в 2000 году в Физико-техническом институте им Иоффе РАН.

Структура лаборатории:

Область исследований:

  • Физика и технология выращивания (МПЭ и ГФЭМОС) полупроводниковых гетероструктур
  • Оптическая и структурная характеризация полупроводниковых структур
  • Оптоэлектроника и наноэлектроника (низкоразмерные гетероструктуры - квантовые точки, квантовые ямы)
  • Полупроводниковые лазерные диоды, фотодетекторы, мощные и высокочастотные полупроводниковые приборы
  • Постростовая обработка полупроводниковых приборов
Наиболее значимые публикации
Shchukin, V.A., Ledentsov, N.N., Karachinsky, L.Ya., Novikov, I.I., Shernyakov, Yu.M., Gordeev, N.Yu., Maximov, M.V., (...), Bimberg, D. , "A high-power 975 nm tilted cavity laser with a 0.13 nm K-1 thermal shift of the lasing wavelength " // Semiconductor Science and Technology , 2007, 22 (9 art. no. 014), 1061 - 1065

Ledentsov, N.N., Shchukin, V.A., Kettler, T., Posilovic, K., Bimberg, D., Karachinsky, L.Ya., Gladyshev, A.Yu., (...), Kovsh, A.R. , "MBE-grown metamorphic lasers for applications at telecom wavelengths " // Journal of Crystal Growth , 2007, 301-302, 914 - 922

Ledentsov, N.N., Bimberg, D., Hopfer, F., Mutig, A., Shchukin, V.A., Savel'Ev, A.V., Fiol, G., (...), Werner, P. , "Submonolayer quantum dots for high speed surface emitting lasers " // Nanoscale Research Letters , 2007, 2 (9), 417 - 429

Kuzmenkov, A.G., Blokhin, S.A., Maleev, N.A., Sakharov, A.V., Tikhomirov, V.G., Maksimov, M.V., Ustinov, V.M., (...), Chi, J.Y. , "The use of spatially ordered arrays of etched holes for fabrication of single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots" // Semiconductors , 2007, 41 (10), 1224 - 1229

Karachinsky, L.Ya., Kuntz, M., Fiol, G., Shchukin, V.A., Ledentsov, N.N., Bimberg, D., Kovsh, A.R., (...), Maximov, M.V. , "High-power wavelength stabilized 970 nm tilted cavity laser with a 41.3 dB side mode suppression ratio " // Applied Physics Letters , 2007, 91(24) (art. no. 241112 )

Zhukov, A.E., Kovsh, A.R., Nikitina, E.V., Ustinov, V.M., Alferov, Zh.I. , "Injection lasers with a broad emission spectrum on the basis of self-assembled quantum dots " // Semiconductors , 2007, 41 (5), 606 - 611

Gubenko, A., Krestnikov, I., Livshtis, D., Mikhrin, S., Kovsh, A., West, L., Bornholdt, C., (...), Zhukov, A. , "Error-free 10 Gbit/s transmission using individual Fabry-Perot modes of low-noise quantum-dot laser " // Electronics Letters , 2007, 43 (25), 1430 - 1431

Bimberg, D., Fiol, G., Kuntz, M., Meuer, C., Lämmlin, M., Ledentsov, N.N., Kovsh, A.R. , "High speed nanophotonic devices based on quantum dots " // Physica Status Solidi , 2006, (A) Applications and Materials 203 (14), 3523 - 3532

Gerschütz, F., Fischer, M., Koeth, J., Chacinski, M., Schatz, R., Kjebon, O., Kovsh, A., (...), Forchel, A. , "Temperature insensitive 1.3m InGaAs/GaAs quantum dot distributed feedback lasers for 10Gbit/s transmission over 21km " // Electronics Letters , 2006, 42 (25), 1457 - 1458

A. A. Tonkikh, G. E. Tsyrlin, V. G. Talalaev, B. V. Novikov, V. A. Egorov, N. K. Polyakov, Yu. B. Samsonenko, V. M. Ustinov, N. D. Zakharov, P. Werner, "Room-temperature 1.5-1.6 µm photoluminescence from InGaAs/GaAs heterostructures grown at low substrate temperature " // Semiconductors, 2003, 37 (12), 1406 - 1410

N. V Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, A. R. Kovsh, I. P. Soshnikov, A. F. Tsatsul'nikov, H. Kirmse, W. Neumann, J. Y. Chi, J. S. Wang, L. Wei, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov , "Optical properties of MBE-Grown ultrathin GaAsN insertions in GaAs matrix " // Semiconductors, 2003, 37 (11), 1326 - 1330

D. V. Denisov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, G. E. Cirlin, V. M. Ustinov, "Molecular-beam epitaxy and properties of heterostructures with InAs nanoclusters in an Si matrix " // Physics of the Solid State, 2003, 45 (11), 2194 - 2202

I. L. Krestnikov, R. Heitz, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, A. M. Mintairov, T. H. Kosel, J. L. Merz, I. P. Soshnikov, V. M. Ustinov, "Inherent nature of localized states in highly planar monolayer InAs/GaAsN pseudo-alloys " // Appl. Phys. Lett. , 2003, 83 (18), 3728 - 3730

A. R. Kovsh, J. S. Wang, R. S. Hsiao, L. P. Chen, D. A. Livshits, G Lin, V. M. Ustinov, J. Y. Chi , "High-power (200 mW) singlemode operation of InGaAsN/GaAs ridge waveguide lasers with wavelength around 1.3 µm " // Electronics Lett., 2003, 39 (24), 1726 - 1728

A. E. Zhukov, A. P. Vasil'ev, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, E. S. Semenova, A. Yu. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. A. Maleev, E. V. Nikitina, N. V. Kryjanovskaya, A. G. Gladyshev, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov , "Lasing at 1.5 µm in quantum dot structures on GaAs substrates " // Semiconductors, 2003, 37 (12), 1411 - 1413

A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, D. A. Livshits, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, N. A. Pihtin, I. S. Tarasov, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, J. S. Wang, L. Wei, G Lin, J. Y. Chi, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, "High power lasers based on submonolayer InAs-GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells " // Microelectronics Journal, 2003, 34 (5-8), 491 - 493

Rae, A.R., Thompson, M.G., Penty, R.V., White, I.H., Kovsh, A.R., Mikhrin, S.S., Livshits, D.A., Krestnikov, I.L. , "Absorber length optimisation for sub-picosecond pulse generation in passively mode-locked 1.3μm quantum-dot laser diodes " // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 6184 (art. no. 61841F )

Поры в InP
Поры в InP

Интервью с участниками, авторами задач и организаторами XIII Олимпиады
Предлагаем ознакомиться с подборкой видеороликов - миниинтервью, взятых в течение очного тура XIII Всероссийской Интернет-олимпиады по нанотехнологиям "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" (25 - 30 марта 2019 года).

Неделя Олега Лосева
Портал RSCI.RU и инициаторы проведения "Недель Олега Лосева" приглашают все вузы и факультеты физико-технологического и радиоэлектронного профиля к участию в первой Неделе Олега Лосева в Рунете, посвященной Олегу Владимировичу Лосеву - признанному пионеру полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.

Магистратура Московского университета по химической технологии
Химический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова объявляет о приеме в магистратуру "Химическая технология" для подготовки специалистов в области полимерных композиционных материалов, углеродных материалов, защитных покрытий.

Интервью с Константином Козловым - абсолютным победителем XIII Наноолимпиады
Семенова Анна Александровна
Школьник 11 класса Константин Козлов (г. Москва) стал абсолютным победителем Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" 2018/2019 по комплексу предметов "физика, химия, математика, биология". О своих впечатлениях, увлечениях и немного о планах на будущее Константин поделился с нами в интервью.

Микроэлементарно, Ватсон: как микроэлементы действуют на организм
Алексей Тиньков
Как на нас воздействуют кадмий, ртуть, цинк, медь и другие элементы таблицы Менделеева рассказал сотрудник кафедры медицинской элементологии РУДН Алексей Тиньков в интервью Indicator.Ru

Зимняя научная конференция студентов 4 курса ФНМ МГУ 22-23 января 2019 г.
Сафронова Т.В.
Настоящий сборник содержит тезисы докладов зимней научной студенческой конференции студентов 4-го курса ФНМ

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.