Исследователи из Georgia Institute of Technology (США) разработали высокопроизводительный органический полевой транзистор (
OFET) на основе фуллеренов. Подвижность электронов варьируется от 2.7 до 5.0 см
2•В
-1•с
-1 в зависимости от геометрии.
Транзисторы изготавливаются по стандартной технологии физического осаждения из паровой фазы (
PVD) при комнатной температуре, что делает их совместимыми практически с любыми материалами (например, гибкими пластиками) и дает им большое преимущество по сравнению с аморфным кремнием, который обычно применяется для изготовления OFET.
Более того, транзисторы обладают отличным набором основных характеристик. Например, они имеют близкие к нулю пороговые напряжения, а отношение «включено/выключено» достигает 10
6.
Транзистор был получен при осаждении молекул C
60 из паровой фазы в виде тонкой пленки на поверхность полимерной подложки, к которой также был подведен управляющий электрод. Электроды стока и истока осаждались на пленку С
60. Такие транзисторы могут успешно применяться для создания недорогих электронных устройств на гибкой основе.
Работа была опубликована в журнале
Applied Physics Letters.
