Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Плотнее, быстрее, лучше

Ключевые слова:  MRAM, магнитные материалы, периодика, тонкие пленки

Опубликовал(а):  Трусов Л. А.

08 декабря 2006

Физики из университетов Бата, Бристоля и Лидса (Universities Bath, Bristol and Leeds) нашли способ, как контролировать картину распределения магнитных полей в тонких магнитных пленках. Открытие может быть использовано для создания магнитных носителей информации, что может иметь важные последствия для IT индустрии. Нынешние технологии хранения информации постепенно приближаются к фундаментальным пределам плотности записи, связанным непосредственно с размерами используемых магнитных частиц.

Разработка основана на применении высокоэнергетичных пучков ионов галлия для искусственного контроля направления намагниченности различных участков пленок кобальта, имеющих толщину всего нескольких атомных слоев.
Собственно, направление поля и используется для хранения цифровой информации: «0» и «1» соответствуют направлениям «вверх» и «вниз».

Исследователи продемонстрировали, что информация с этих намагниченных областей может быть считана путем измерения электрического сопротивления, что может быть выполнено значительно быстрее, чем это происходит в современных жестких дисках. Переключение направлений «вверх»/«вниз» можно осуществлять при помощи коротких импульсов тока. Таким образом, предложенный метод удовлетворяет всем условиям, необходимым для создания быстрых магнитных ячеек памяти.

Кроме того, устройство является энергонезависимым – при отключении питания не происходит потери данных.

Исследования предоставляют новый тип устройств хранения информации высокой плотности, в которых запись и чтение данных осуществляется посредством только электрических токов.

Другим решением проблемы быстрой энергонезависимой памяти является технология MRAM (magnetic random access memory, магнеторезистивная память с произвольным доступом). Принцип работы такой памяти основан на ячейках, в которых слой магнеторезистивного материала помещен между двумя слоями ферромагнетика. Таким образом, электрическое сопротивление ячейки зависит от ориентации магнитных моментов ферромагнитных слоев, что позволяет задавать «0» и «1». MRAM также является энергонезависимой, т.к. изменить направление намагниченности ячейки можно только при помощи внешнего воздействия. Запись в такие ячейки производится при помощи магнитных полей, создаваемых большими электрическими токами, т.е. плотность записи существенно лимитируется размерами считывающих МОП-транзисторов и подводящих цепей. Также на производительности MRAM-памяти сказывается величина магнеторезистивного эффекта (а обычно она мала) и неоднородность электрических свойств ячеек (правда, постоянно совершенствующийся техпроцесс, быть может, сможет решить эту проблему). Технология MRAM в настоящий момент активно развивается, а микросхемы уже поступили в продажу.

Метод, разработанный исследователями из Бата, Бристоля и Лидса и описанный выше, может быть лишен недостатков MRAM и использован для производства быстрых элементов памяти высокой плотности.

Работа была опубликована в Physical Review Letters и называется «Angular Dependence of Domain Wall Resistivity in Artificial Magnetic Domain Structures».




Источник: NanoTechWire.com




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Планетарный разлом
Планетарный разлом

4 февраля объявили лауреатов V Всероссийской премии «За верность науке»
4 февраля в здании Минобрнауки РФ состоялась торжественное награждение лауреатов V Всероссийской премии «За верность науке». 11 научно-просветительских проектов были отмечены престижной наградой.

Всероссийский съезд учителей и преподавателей химии
5 февраля в Московском университете в Шуваловском корпусе МГУ состоится Всероссийский съезд учителей и преподавателей химии, посвященный Международному году Периодической таблицы химических элементов, начало - 10 часов.

II Всероссийский химический диктант пройдет 18 мая 2019 года
В 2019 году периодическому закону Дмитрия Менделеева исполнится 150 лет! В честь великого открытия этот год объявлен Международным годом Периодической таблицы химических элементов. Одним из наиболее ярких событий, приуроченных к этому году, станет II Всероссийский химический диктант, который пройдет 18 мая и который в этом году выходит на международный уровень. Мероприятие было анонсировано в рамках церемонии открытия Международного года Периодической таблицы химических элементов 29 января 2019 года в Париже, в штаб-квартире ЮНЕСКО.

Самые необычные таблицы Менделеева на выставке Международного года Периодической таблицы химических элементов

6-8 февраля в Российской академии наук состоялось торжественное открытие Международного года периодической таблицы химических элементов в России и приуроченная к этому масштабная интерактивная выставка

Почувствовать живое...
Е.А.Гудилин, А.А.Семенова, Н.А.Браже
Неразрушающее исследование живых клеток и клеточных структур является в настоящее время важным направлением научных изысканий, которые во многих зарубежных и российских научных группах направлены на достижение вполне прагматической цели – разработку новых принципов биомедицинской диагностики и эффективных подходов в нарождающейся персональной медицине.

Российская газета: Перевернуть пирамиду. Президент РАН: как повысить наши шансы на Нобеля
Юрий Медведев
Почему Россия по числу Нобелей отстает от ведущих стран мира, уступая, например, даже маленькой Швейцарии? Замалчиваются ли достижения отечественных ученых? Почему без привлечения в науку российского бизнеса мы не сможем успешно конкурировать в борьбе за престижную научную премию? Об этом корреспондент "РГ" беседует с президентом РАН Александром Сергеевым, который побывал в Стокгольме на вручении Нобелевских премий и поделился своими впечатлениями.

Инновационные системы: достижения и проблемы
Олег Фиговский, Валерий Гумаров

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.