Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Исследователи из Nokia и МГУ впервые показали возможность создания гибкого материала, обладающего мемристивными характеристиками

Ключевые слова:  двумерные материалы, дисульфид вольфрама, дисульфид молибдена, мемристор, сопротивление

Опубликовал(а):  Чеканова Анастасия Евгеньевна

15 ноября 2014

Мемристор - элемент электрической цепи, способен изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда, был теоретически предсказан в 1971 году профессором Леоном Чуа. Однако первый лабораторный образец мемристора был создан лишь в 2008 году исследователями компании Hewlett-Packard на основе дефектного пяти нанометрового слоя диоксида титана.

Благодаря наличию у мемристоров эффекта памяти с возможностью хранения нескольких уровней информации в одной ячейке, такие структуры рассматривают в качестве перспективной замены существующим элементам флэш-памяти, оперативной памяти или же жестких дисков. Кроме того, мемристор рассматривается в качестве основы, так называемой, нейроморфной электроники.

Исследователи использовали для создания мемристоров слоистые частицы дисульфида молибдена и дисульфида вольфрама, состоящие из нескольких атомных слоев. Данные частицы принадлежат к классу двумерных материалов и по свойствам схожи с графеном. За счет слабых связей между слоями MoS2 и WS2 можно получить частицы толщиной в несколько атомных слоев. Однако в отличии от графена данные частицы обладают полупроводниковыми свойствами.

Для создания мемристора частицы дисульфидов были нанесены растворными мемтодами на серебряный электрод, предварительно напечатанный на полимерной подложке из полиэтилен-нафталата (PEN). Затем обработаны специальным образом – окислены под действием УФ-излучения или же путем термической обработки. После чего на верхней поверхности был напечатан второй серебряный контакт. При окислении дисульфидных частиц в тонком приповерхностном слое (толщина <3 нм) возникают дефекты кристаллической структуры, которые и определяют мемристивные свойства. Под действием приложенного напряжения 0.1-0.2В дефекты выстраиваются определенным образом в результате чего происходит переключение мемристора из низкопроводящего состояния в высокопроводящее состояние. Диапазон переключения сопротивления составляет 6 порядков величины.

Фотография массива перекрестных точек мемристра-а), схематическое изображение Ag/MoOx/MoS2/Ag мемристра-b), микрофотография сечения AgNW/MoOx/MoS2 переключающего элемента-с).

Созданный авторами мемристор за счет того, что он сконструирован на гибкой полимерной подложке, сможет найти свое применение в различных гибких устройствах, которые уже и сейчас представлены на рынке (электронные браслеты, считывающие биометрические данные) или находятся в разработке (например, гибкие мобильные телефоны и др.).

Источник: http://www.nature.com/nmat/journal/vaop/ncurrent/full/nmat4135.html


Источник: Nature Materials



Комментарии
Шуваев Сергей Викторович, 27 ноября 2014 20:48 
Дима - большой молодец, так держать!

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Няшечки
Няшечки

VIII Международная Конференция «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов»
VIII Международная Конференция «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов» (http://dfmn.imetran.ru/) пройдет в Москве (ИМЕТ РАН) с 19 по 22 ноября 2019 г. В рамках Конференции пройдет Молодежная школа-конференция.

Более 770 площадок пожелали присоединиться к Всероссийскому химическому диктанту с международным участием 18 мая
Более 770 площадок подали заявки на участие во II Всероссийском химическом диктанте, который в этом году пройдет с международным участием 18 мая в 13:00. Мероприятие организовано Московским государственным университетом имени М.В. Ломоносова, Химическим факультетом МГУ и корпорацией «Российский учебник» при поддержке Ассоциации учителей и преподавателей химии.

Найдены превращающие свет в электричество камни
Ученые обнаружили возникновение электрического тока в неорганических системах, что напоминает первые этапы усваивания энергии Солнца бактериями и растениями в процессе фотосинтеза. Открытое явление протекает в различных минералах и почвах. В отличие от обычного фотосинтеза, в данном случае участвуют только неорганические соединения, которые не имеют отношения к деятельности живых форм.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2019 году
Семенова Анна Александровна
21-24 мая 2019 года в лабораторном корпусе Б пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками ФНМ МГУ.

«Наука открывает огромные просторы для творчества»
Яна Хлюстова, Екатерина Мищенко
Об олимпиадах школьников и начале научного пути в интервью Indicator.Ru рассказала Екатерина Жигилева, студентка второго курса химического факультета МГУ им. Ломоносова.

Интервью с Константином Козловым - абсолютным победителем XIII Наноолимпиады
Семенова Анна Александровна
Школьник 11 класса Константин Козлов (г. Москва) стал абсолютным победителем Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" 2018/2019 по комплексу предметов "физика, химия, математика, биология". О своих впечатлениях, увлечениях и немного о планах на будущее Константин поделился с нами в интервью.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.