Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Исследователи из Nokia и МГУ впервые показали возможность создания гибкого материала, обладающего мемристивными характеристиками

Ключевые слова:  двумерные материалы, дисульфид вольфрама, дисульфид молибдена, мемристор, сопротивление

Опубликовал(а):  Чеканова Анастасия Евгеньевна

15 ноября 2014

Мемристор - элемент электрической цепи, способен изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда, был теоретически предсказан в 1971 году профессором Леоном Чуа. Однако первый лабораторный образец мемристора был создан лишь в 2008 году исследователями компании Hewlett-Packard на основе дефектного пяти нанометрового слоя диоксида титана.

Благодаря наличию у мемристоров эффекта памяти с возможностью хранения нескольких уровней информации в одной ячейке, такие структуры рассматривают в качестве перспективной замены существующим элементам флэш-памяти, оперативной памяти или же жестких дисков. Кроме того, мемристор рассматривается в качестве основы, так называемой, нейроморфной электроники.

Исследователи использовали для создания мемристоров слоистые частицы дисульфида молибдена и дисульфида вольфрама, состоящие из нескольких атомных слоев. Данные частицы принадлежат к классу двумерных материалов и по свойствам схожи с графеном. За счет слабых связей между слоями MoS2 и WS2 можно получить частицы толщиной в несколько атомных слоев. Однако в отличии от графена данные частицы обладают полупроводниковыми свойствами.

Для создания мемристора частицы дисульфидов были нанесены растворными мемтодами на серебряный электрод, предварительно напечатанный на полимерной подложке из полиэтилен-нафталата (PEN). Затем обработаны специальным образом – окислены под действием УФ-излучения или же путем термической обработки. После чего на верхней поверхности был напечатан второй серебряный контакт. При окислении дисульфидных частиц в тонком приповерхностном слое (толщина <3 нм) возникают дефекты кристаллической структуры, которые и определяют мемристивные свойства. Под действием приложенного напряжения 0.1-0.2В дефекты выстраиваются определенным образом в результате чего происходит переключение мемристора из низкопроводящего состояния в высокопроводящее состояние. Диапазон переключения сопротивления составляет 6 порядков величины.

Фотография массива перекрестных точек мемристра-а), схематическое изображение Ag/MoOx/MoS2/Ag мемристра-b), микрофотография сечения AgNW/MoOx/MoS2 переключающего элемента-с).

Созданный авторами мемристор за счет того, что он сконструирован на гибкой полимерной подложке, сможет найти свое применение в различных гибких устройствах, которые уже и сейчас представлены на рынке (электронные браслеты, считывающие биометрические данные) или находятся в разработке (например, гибкие мобильные телефоны и др.).

Источник: http://www.nature.com/nmat/journal/vaop/ncurrent/full/nmat4135.html


Источник: Nature Materials



Комментарии
Шуваев Сергей Викторович, 27 ноября 2014 20:48 
Дима - большой молодец, так держать!

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Неорганические водоросли
Неорганические водоросли

Участие НТ-МДТ Cпектрум Инструментс в конференции “ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D КРИСТАЛЛ”
Участие НТ-МДТ Cпектрум Инструментс в конференции “ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D КРИСТАЛЛ” 5-9 августа 2019 года в Новосибирске

I МОСКОВСКАЯ ОСЕННЯЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ПЕРОВСКИТНОЙ ФОТОВОЛЬТАИКЕ
14-15 октября 2019 года состоится школа - конференция молодых ученых - I Московская осенняя международная конференция по перовскитной фотовольтаике (Moscow Autumn Perovskite Photovoltaics International Conference – MAPPIC-2019).

Золото России на Международной Химической Олимпиаде
30 июля в Париже завершилась 51-я Международная химическая олимпиада. Она была рекордной по числу участников - 309 школьников из более, чем 80 стран. Олимпиада прошла под девизом "Двигаем науку вместе" ("Make the science together"). Сборная России на олимпиаде завоевала 4 золотые медали и в медальном зачете поделила 1-2 место с командой Кореи. Победителями стали Михаил Матвеев (Вологда) и три москвича - Даниил Бардонов, Алексей Шишкин и Никита Чернов.

3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве
И.В.Яминский
Материалы лекции проф. МГУ, д.ф.-м.н., генерального директора Центра Перспективных технологий И.В.Яминского "3D нанотехнологии в физике, химии, биологии, медицине и инженерном искусстве". 3D принтер, сканирующий зондовый микроскоп и фрезерный станок. Что общего между ними? Как конструировать их своими руками? Небольшой экскурс в практические нанотехнологии. Поучительная история о создании сканирующего туннельного микроскопа. От идеи до нобелевской премии за 5 лет. Взгляд в микромир – от атомов и молекул до живых клеток. Как взвесить массу одного атома? Вирусы и бактерии – наши друзья или враги? Медицинские приложения нанотехнологий – нанобиосенсоры для обнаружения биологических агентов.

Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники
В.А.Кецко
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. В сообщении даны материалы лекции д.х.н., в.н.с. ИОНХ РАН В.А.Кецко "Материалы и пленочные структуры спинтроники и стрейнтроники".

Лекции и семинары от ФНМ МГУ на Нанограде
Е.А.Гудилин
Девятый Наноград, проходивший в Ханты - Мансийске, собрал талантливых школьников, интересных лекторов и преподавателей в области наноматериалов, нанотехнологий и технопредпринимательства. Ниже даны материалы лекций и семинаров представителя ФНМ МГУ проф., д.х.н. Е.А.Гудилина.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.