Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Исследователи из Nokia и МГУ впервые показали возможность создания гибкого материала, обладающего мемристивными характеристиками

Ключевые слова:  двумерные материалы, дисульфид вольфрама, дисульфид молибдена, мемристор, сопротивление

Опубликовал(а):  Чеканова Анастасия Евгеньевна

15 ноября 2014

Мемристор - элемент электрической цепи, способен изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда, был теоретически предсказан в 1971 году профессором Леоном Чуа. Однако первый лабораторный образец мемристора был создан лишь в 2008 году исследователями компании Hewlett-Packard на основе дефектного пяти нанометрового слоя диоксида титана.

Благодаря наличию у мемристоров эффекта памяти с возможностью хранения нескольких уровней информации в одной ячейке, такие структуры рассматривают в качестве перспективной замены существующим элементам флэш-памяти, оперативной памяти или же жестких дисков. Кроме того, мемристор рассматривается в качестве основы, так называемой, нейроморфной электроники.

Исследователи использовали для создания мемристоров слоистые частицы дисульфида молибдена и дисульфида вольфрама, состоящие из нескольких атомных слоев. Данные частицы принадлежат к классу двумерных материалов и по свойствам схожи с графеном. За счет слабых связей между слоями MoS2 и WS2 можно получить частицы толщиной в несколько атомных слоев. Однако в отличии от графена данные частицы обладают полупроводниковыми свойствами.

Для создания мемристора частицы дисульфидов были нанесены растворными мемтодами на серебряный электрод, предварительно напечатанный на полимерной подложке из полиэтилен-нафталата (PEN). Затем обработаны специальным образом – окислены под действием УФ-излучения или же путем термической обработки. После чего на верхней поверхности был напечатан второй серебряный контакт. При окислении дисульфидных частиц в тонком приповерхностном слое (толщина <3 нм) возникают дефекты кристаллической структуры, которые и определяют мемристивные свойства. Под действием приложенного напряжения 0.1-0.2В дефекты выстраиваются определенным образом в результате чего происходит переключение мемристора из низкопроводящего состояния в высокопроводящее состояние. Диапазон переключения сопротивления составляет 6 порядков величины.

Фотография массива перекрестных точек мемристра-а), схематическое изображение Ag/MoOx/MoS2/Ag мемристра-b), микрофотография сечения AgNW/MoOx/MoS2 переключающего элемента-с).

Созданный авторами мемристор за счет того, что он сконструирован на гибкой полимерной подложке, сможет найти свое применение в различных гибких устройствах, которые уже и сейчас представлены на рынке (электронные браслеты, считывающие биометрические данные) или находятся в разработке (например, гибкие мобильные телефоны и др.).

Источник: http://www.nature.com/nmat/journal/vaop/ncurrent/full/nmat4135.html


Источник: Nature Materials



Комментарии
Шуваев Сергей Викторович, 27 ноября 2014 20:48 
Дима - большой молодец, так держать!

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

алмазы Юпитера
алмазы Юпитера

Премии Правительства Москвы молодым ученым за 2019 год
Объявлены лауреаты премии Правительства Москвы молодым ученым за 2019 год. Премией отмечены 50 работ молодых столичных ученых. Среди лауреатов 12 сотрудников МГУ имени М.В.Ломоносова. Конкурс на получение премий Правительства Москвы молодым ученым проводится с 2013 года. Торжественное награждение победителей состоится 7 февраля 2020 года в Государственном Кремлевском дворце.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Перерождение кремния: от полупроводника к металлу. Морская губка – основа для создания новых наноструктурных композитов. Нитрид-борные аналоги углеродных колец. Лучшие научные сюжеты года по версии APS. Сверхпроводимость ставит новый температурный рекорд. Звук переносит массу? Всяко-разно.

Наносистемы: физика, химия, математика (2019, том 10, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume10/10-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Да пребудет с вами сила плазмонов!
А.А.Семенова, Э.Н.Никельшпарг, Е.А.Гудилин, Н.А.Браже
Ученые Московского университета приблизились к решению проблем современной медицинской диагностики с использованием единичных клеток и их органелл путем разработки новых неинвазивных оптических методов анализа.

Юрий Добровольский: «Через 50 лет вся энергия будет вырабатываться биоорганизмами»
Андрей Бабицкий, Юрий Добровольский
Главный редактор ПостНауки Андрей Бабицкий побеседовал с химиком Юрием Добровольским о науке о материалах, будущем энергетики и новых аккумуляторах

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.