Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Исследователи из Nokia и МГУ впервые показали возможность создания гибкого материала, обладающего мемристивными характеристиками

Ключевые слова:  двумерные материалы, дисульфид вольфрама, дисульфид молибдена, мемристор, сопротивление

Опубликовал(а):  Чеканова Анастасия Евгеньевна

15 ноября 2014

Мемристор - элемент электрической цепи, способен изменять своё сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда, был теоретически предсказан в 1971 году профессором Леоном Чуа. Однако первый лабораторный образец мемристора был создан лишь в 2008 году исследователями компании Hewlett-Packard на основе дефектного пяти нанометрового слоя диоксида титана.

Благодаря наличию у мемристоров эффекта памяти с возможностью хранения нескольких уровней информации в одной ячейке, такие структуры рассматривают в качестве перспективной замены существующим элементам флэш-памяти, оперативной памяти или же жестких дисков. Кроме того, мемристор рассматривается в качестве основы, так называемой, нейроморфной электроники.

Исследователи использовали для создания мемристоров слоистые частицы дисульфида молибдена и дисульфида вольфрама, состоящие из нескольких атомных слоев. Данные частицы принадлежат к классу двумерных материалов и по свойствам схожи с графеном. За счет слабых связей между слоями MoS2 и WS2 можно получить частицы толщиной в несколько атомных слоев. Однако в отличии от графена данные частицы обладают полупроводниковыми свойствами.

Для создания мемристора частицы дисульфидов были нанесены растворными мемтодами на серебряный электрод, предварительно напечатанный на полимерной подложке из полиэтилен-нафталата (PEN). Затем обработаны специальным образом – окислены под действием УФ-излучения или же путем термической обработки. После чего на верхней поверхности был напечатан второй серебряный контакт. При окислении дисульфидных частиц в тонком приповерхностном слое (толщина <3 нм) возникают дефекты кристаллической структуры, которые и определяют мемристивные свойства. Под действием приложенного напряжения 0.1-0.2В дефекты выстраиваются определенным образом в результате чего происходит переключение мемристора из низкопроводящего состояния в высокопроводящее состояние. Диапазон переключения сопротивления составляет 6 порядков величины.

Фотография массива перекрестных точек мемристра-а), схематическое изображение Ag/MoOx/MoS2/Ag мемристра-b), микрофотография сечения AgNW/MoOx/MoS2 переключающего элемента-с).

Созданный авторами мемристор за счет того, что он сконструирован на гибкой полимерной подложке, сможет найти свое применение в различных гибких устройствах, которые уже и сейчас представлены на рынке (электронные браслеты, считывающие биометрические данные) или находятся в разработке (например, гибкие мобильные телефоны и др.).

Источник: http://www.nature.com/nmat/journal/vaop/ncurrent/full/nmat4135.html


Источник: Nature Materials



Комментарии
Шуваев Сергей Викторович, 27 ноября 2014 20:48 
Дима - большой молодец, так держать!

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Горы на Марсе
Горы на Марсе

Наносистемы: физика, химия, математика (2024, Т. 15, № 1)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume15/15-1
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2023, Т. 14, № 5)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume14/14-5
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Наносистемы: физика, химия, математика (2023, Т. 14, № 4)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume14/14-4
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2023 году
коллектив авторов
30 мая - 01 июня пройдут защиты магистерских квалификационных работ выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.