Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Вышел 1–2 номер журнала «Российские нанотехнологии»

Ключевые слова:  журнал, нано, наноматериалы, нанотехнологии, Российские Нанотехнологии

Автор(ы): 

24 февраля 2014

Из печати вышел 1–2 номер журнала «Российские нанотехнологии» за 2014 год

В номере опубликована работа О.А. Агеева и др., где представлены результаты разработки математической модели расчета двумерного рельефа поверхности подложки при травлении фокусированным ионным пучком. Проведен вычислительный эксперимент по расчету двумерного рельефа подложки при воздействии фокусированного ионного пучка. Разработаны алгоритм расчета рельефа поверхности при травлении с учетом эффекта переосаждения распыленного материала и программное обеспечение, позволяющее прогнозировать параметры рельефа поверхности подложки в зависимости от параметров ионного пучка и сканирующей системы. Адекватность разработанной модели подтверждена сравнением с результатами экспериментальных исследований.

Процессы переключения поляризации и создания поляризованного состояния в тонких сегнетоэлектрических пленках толщиной меньше 100 нм по-прежнему остаются малоисследованными. В статье В.М. Мухортова и др. исследовано переключение поляризации сегнетоэлектрических тонких пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 толщиной 2–150 нм, осажденных на Si(111) с Pt подслоем. Критическим параметром при переключении поляризации является площадь сегнетоэлектрического кристаллита. Пленки толщиной 2 нм обладают сегнетоэлектрическими свойствами.

В работе Г.Л. Пахомова и др. получены прототипы органических фотовольтаических ячеек на основе планарного гетероперехода «субфталоцианин/фуллерен» на гибких полимерных подложках. Измерены вольт-амперные характеристики в темноте и при освещении, рассчитаны основные параметры фотопреобразования. Показано, что введение верхнего (подкатодного) ультратонкого барьерного слоя, образованного молекулами Alq3, позволяет значительно уменьшить паразитные сопротивления в ячейке, что приводит к росту коэффициента заполнения до 55 %. При осаждении буферного слоя InClPc на поверхность анода (ITO) э.д.с. холостого хода ячеек увеличивается с 0.47 до 0.83 В. Наибольшая эффективность фотопреобразования достигнута в ячейках с двумя интерфейсными слоями (~1 %).

Загружайте приложение журнала для iPad и Android.

Архив за 2006–2010 годы теперь в открытом доступе.

 

Прикрепленные файлы:
обложка.jpg (37.95 КБ.)

 

 
Средний балл: 10.0 (голосов 1)

 



Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Ну что, Данила-мастер, не выходит каменный цветок ?
Ну что, Данила-мастер, не выходит каменный цветок ?

Научно-популярный лекторий РНФ на Международном молодежном научном форуме «Ломоносов-2019»
С 9 по 11 апреля российские ученые рассказывают о своих научных исследованиях, которые выполняются по грантам Российского научного фонда. Лекции проходят в рамках Лектория РНФ во время проведения Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2019».

Фестивали «От Винта!» и NAUKA 0+ представили инновационные проекты на выставке Hannover Messe 2019
Ганновер (Германия) 5 апреля 2019 года. – Объединённая экспозиция Фестиваля детского и молодежного научно-технического творчества “От Винта!” и Всероссийского фестиваля NAUKA 0+ была представлена на крупнейшей выставке промышленных технологий Hannover Messe 2019 в Германии в составе стенда Российской Федерации, организованного Российским экспортным центром при поддержке Министерства промышленности и торговли РФ.

Стань магистрантом в области светодиодных технологий без экзаменов
От бакалавриата к магистратуре без вступительных экзаменов уже сейчас? С портфолио возможно все! Участвуйте в конкурсе «Науке нужен ты!» и получайте бюджетный билет в первую в России магистерскую программу в области светодиодных технологий и оптоэлектроники Университета ИТМО!

Интервью с Константином Козловым - абсолютным победителем XIII Наноолимпиады
А.А.Семенова
Школьник 11 класса Константин Козлов (г. Москва) стал абсолютным победителем Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" 2018/2019 по комплексу предметов "физика, химия, математика, биология". О своих впечатлениях, увлечениях и немного о планах на будущее Константин поделился с нами в интервью.

Микроэлементарно, Ватсон: как микроэлементы действуют на организм
Алексей Тиньков
Как на нас воздействуют кадмий, ртуть, цинк, медь и другие элементы таблицы Менделеева рассказал сотрудник кафедры медицинской элементологии РУДН Алексей Тиньков в интервью Indicator.Ru

Зимняя научная конференция студентов 4 курса ФНМ МГУ 22-23 января 2019 г.
Сафронова Т.В.
Настоящий сборник содержит тезисы докладов зимней научной студенческой конференции студентов 4-го курса ФНМ

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.