Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Отследить движение дислокаций в графене? Легко!

Ключевые слова:  графен, дефект , краевая дислокация , пластичность, ПЭМ

Опубликовал(а):  Поверенная Мария

24 июля 2012

Используя метод просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), исследователи Великобритании и Японии достигли больших успехов в работах по определению скоплений дислокаций в графене с беспрецедентным до этого разрешением. Эта работа может помочь ученым понять, как меняется пластичность двумерных структур, а также как движение дислокаций влияет на их механические свойства.

Движение дислокаций в кристалле является ключевым механизмом в пластической деформации. Прочность и форма, в которую материал переходит при приложении нагрузки, часто связаны с тем, как дислокации – линейные дефекты, представляющие собой дополнительные («лишние») полуплоскости атомов, - движутся через материал.

Схема краевой дислокации в трёхмерном объекте

Схема движения 2 краевых дислокаций в графене// Авт.: J. Warner

Благодаря использованию просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (HR TEM) дислокации в трехмерных материалах изучены достаточно хорошо, однако, исследование с помощью этого метода двумерных объектов, таких как графен, представляет для ученых значительно более сложную задачу. Это связано с тем, что высокоэнергетический электронный пучок, используемый для построения изображений ПЭМ, быстро разрушает наноматериалы на основе углерода (графен и др.). Во избежание этого ученые вынуждены уменьшать разность потенциалов, обеспечивающую ускорение электронов в просвечивающем электронном микроскопе, до относительно низкого значения - около 80 кВ (минимально требуемого напряжения).

Однако, это не является идеальным решением, так как использование низкоэнергетического электронного пучка приводит к появлению сферической и хроматической аберрациям, которые существенно смазывают получаемое изображение и уменьшают их пространственную разрешающую способность. Несмотря на то, что новейшие электронные микроскопы содержат встроенное оборудование, корректирующее сферические аберрации, разрешение, достигаемое на них, является все-таки недостаточным: в "действии" все равно остаются хроматические аберрации.

В настоящее время Джэйми Уорнер (Jamie Warner) и его коллеги из Оксфордского университета (the University of Oxford) и Японской лаборатории оптоэлектроники (the Japan Electron Optics Laboratory) в Токио нашли способ уменьшить влияние хроматических аберраций, используя специально разработанный монохроматор, через который проходят электроны до того, как они «ударяются» об образец.

«Разработанная нами технология с использованием напряжения 80 кВ и монохроматора обеспечивает разрешение на суб-ангстремном уровне, что позволяет точно указать положение каждого конкретного атома углерода внутри решетки графена», - заявил Уорнер. «Мы применили улучшенную разрешающую способность ПЭМ для изучения краевых дислокаций (единственной формы дефектов, искажающей решетчатую структуру) в решетке графена. Подобные исследования впервые выполнены на атомарном уровне».

Разработка группы ученых под руководством Уорнера также позволяет измерить относительное изменение длины связей С-С внутри дислокаций, а с использованием специального метода обработки изображений - геометрического фазового анализа (GPA) - строить «карту напряжений», вызванных дислокациями.

«Во время исследований мы обнаружили, что можем не только строить карту тензора деформаций с чувствительностью до 1 атома, но и видеть, как эти области деформации движутся - дислокации «поднимаются» над плоскостью графенового листа внутри решетки», - сообщил ученый в интервью порталу nanotechweb.org. По словам Уорнера, экспериментальные «карты дислокаций», полученные ими, хорошо коррелируют с теоретическими расчетами, описанными в модели дислокаций Формена и Мейкина.

По мнению исследователей, описание динамики дислокационных пар на атомарном уровне поможет ученым лучше понять причины возникновения пластичности материала. Сейчас группа Уорнера занимается изучением влияния отдельных примесных атомов на деформации внутри графена и составлением специального атласа дефектов и примесных атомов в углеродных материалах.

«Мы установили, что в решетчатой структуре графена устойчивы только несколько дефектных структур», - сказал Уорнер. «Мы легко можем создавать высоко разупорядоченные области внутри графена, однако в большинстве случаев они «раскручиваются» и возвращаются в исходное состояние решетки», - добавил он.

Результаты данных исследований были опубликованы в Science в июле 2012 г.

Автор: Belle Dumé


Источник: nanotechweb.org



Комментарии
Раньше монохроматор электронов для уменьшения хроматических аберраций разработали в ИПТМ РАН (Черноголовка) совместно с Delft University of Technology. В качестве монохроматора использовали тонкие фольги. После прохождения сквозь них электроны обладали только одной энергией: http://www.s...0289800017X
http://arxiv...05.0495.pdf
http://repos...e9e9912a10/
Поверенная Мария, 24 июля 2012 18:33 
О! спасибо большое за такие полезные сссылки!
а о точечных дефектах - в статье Graphene re-knits its holes
Dusha, 27 июля 2012 17:14 
Ужос....
Европейская наука постепенно превращается в искусство самопиара.
Ничего из того, что они пишут "мы ... впервые ..." на самом деле не они и не впервые.
Монохроматоры известны полвека, лет десять как продают их, 80кВ для графена тоже лет 10 публикуют, GPA лет 15 как используют и по графену работа была пару лет назад. А уж про то что дефекты в графене исследуют на атомарном уровне с 1812г известно всем.
Стыдно должно быть господам оксфордцам
сылочки замечательные
а с появлением сайта Graphene Тimes - легко отследить новые публикации о графене в arXiv.org и журналах: J. of the American Chemical Society; Nano Letters; ACS Nano; J. Physical Ch emistry-B; Applied Physics Letters; APS journals (Physical Review Letters, Physical Review B, Reviews of Modern Physics, etc.); Carbon; Solid State Communications; IEEE: Transactions on Electron Devices, Electron Device Letters, Transactions on Nanotechnology; Proceedings of the National Academy of Sciences of the USA; Nature; Nature Chemistry; Nature Materials; Nature Nanotechnology; Nature Photonics; Nature Physics; and Science.

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Непослушные цифры
Непослушные цифры

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Пластырь по мотивам колючек кактуса быстро и эффективно собирает капли пота для анализа. Как нож сквозь масло, или секреты резки полимеров. Алмазное стекло из фуллеренов. Есть только миг: метаморфозы антиферромагнитного кристалла в терагерцовом импульсе. Лазерная нарезка струи или оптофлюидный резонанс.

С Новым годом!
Мы надеемся, что Новый год принесет всем удачи, новые достижения, откроет перспективы и сделает мир лучше. Поздравляем всех с Новым годом!

Наносистемы: физика, химия, математика (2021, Т. 12, № 6)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume12/12-6
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Электронные материалы Заочной Научно - Технологической Школы - 2021
А.А.Семенова, Е.А.Гудилин, коллектив авторов
С 15 ноября по 15 декабря 2021 в рамках XVI Всероссийской Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" проведено подготовительное мероприятие для потенциальных участников Олимпиады - Заочная Научно-Технологическая Школа (ЗНТШ'2021). В этой статье собраны основные факты и сборник электронных материалов ЗНТШ.

Десять лет перовскитной солнечной энергетики
Е.А.Гудилин , Mend Comm, А.Б.Тарасов, Н.Н.Удалова, А.А.Петров, другие авторы
Журнал Mendeleev Communications опубликовал виртуальный специальный выпуск «Ten years of hybrid perovskite photovoltaics and optoelectronics in the mirror of MAPPIC 2020 meeting»

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2021
Коллектив авторов
Защиты выпускных квалификационных работ (квалификация – бакалавр материаловедения) по направлению 04.03.02 - «химия, физика и механика материалов» на Факультете наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова состоятся 8, 9, 10 и 11 июня 2021 г. Начало защит в 11.00. Защиты пройдут с использованием дистанционных образовательных технологий.

Эра технопредпринимательства

В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.