В последние десятилетия ученым удалось получить целый ряд двумерных материалов, например, графен, двумерный сульфид молибдена и нитрид бора - все эти материалы обладают упорядоченной "кристаллической" структурой. Однако особый интерес для ученых представляет получение аморфных двумерных материалов. Во-первых, с теоретической точки зрения, получение одномерной аморфной структуры интересно для определения структуры аморфных материалов в целом методами просвечивающей электронной микроскопии (с последующим обобщением на случай трехмерной структуры). Во-вторых, такие материалы представляют особый интерес для перспективной микроэлектроники.
Как это часто бывает, многие научные открытия происходят неожиданно. Столь же неожиданно международному коллективу ученых удалось получить одномерный слой аморфного диоксида кремния на поверхности графена, когда получали последний методом CVD (напыление из газовой фазы) на медной подложке (по всей видимости, из-за загрязнения реактора).
Структура полученного материала варьируется от преимущественно "кристаллической" до аморфной, что вкупе с существенным несоответствием между параметром "решетки" графена и диоскида кремния свидетельствует о нековалентном связывании между графеновой подложкой и SiO2. Однако точную структуру полученного слоя авторам статьи удалось получить только с использованием спектроскопии характеристических потерь энергии электронами. Оказалось, что полученный слой построен из битетраэдров (тетраэдров, соединенных вершинами), которые соединены в кольца Si-O-Si-...-O-Si различного размера (от 3 до 10 тетраэдров в кольце). Таким образом, данный материал уникален еще и тем, что фактически является аморфным в двух измерениях (вдоль подложки) и упорядоченным в другом (перпендикулярно подложке).
