Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

В свободном доступе декабрьский выпуск журнала Materials Today, посвященный материалам для электроники

Ключевые слова:  запоминающие устройства, наноматериалы, оптоэлектроника

15 декабря 2011

В свободном доступе декабрьский выпуск журнала Materials Today, посвященный материалам для электроники, в частности, для запонимающих устройств и компьютерной памяти:

Lead story
Memory materials: a unifying description Massimiliano Di Ventra and Yuriy V. Pershin
Di Ventra and Pershin show that the majority of two-terminal electronic devices based on memory materials and systems behave simply as, or as a combination of, memristors,
memcapacitors, and meminductors. This unifying description opens up new venues for digital and analog applications ranging from information storage to biologically-inspired circuits.


Reviews
Organic ferroelectric opto - electronic memories Kamal Asadi, Mengyuan Li, Paul W. M. Blom, Martijn Kemerink, and Dago M. de Leeuw
Memory is a prerequisite for many electronic devices. Organic non-volatile memory devices based on ferroelectricity are a promising approach towards the development of a low-cost
memory technology based on a simple cross-bar array. In this review, de Leeuw et al. discuss the latest developments in this area with a focus on bistable rectifying diodes.

Phase change materials and non - volatile storage Daniele Ielmini and Andrea L. Lacaita
The success of phase change materials in electronic storage is mostly due to the unique properties of the amorphous state where carrier transport phenomena and thermally-induced phase change cooperate to make high-speed, low-voltage operation and stable data retention possible within the same material. Ielmini and Lacaita discuss the key physical properties that make this phase so special and the future perspectives of phase-change memory devices.

Developments in nanocrystal memory Ting-Chang Chang, Fu-Yen Jian, Shih-Cheng Chen, and Yu-Ting Tsai
Traditional flash memory is expected to reach its physical limit as the dimensions are scaled down. In order to solve this problem, discrete nanocrystal memory has been proposed as a promising candidate for the next generation of nonvolatile memory due to its high operation speed, good scalability, and superior reliability. Chang et al. review the
current status of research in nanocrystal memory.

Тетрапод ZnO
Тетрапод ZnO

Светодиодные технологии и оптоэлектроника: магистратура на стыке образования и индустрии
Открыт набор на первую в России индустриальную программу «Светодиодные технологии и оптоэлектроника» Университета ИТМО

Международная онлайн-дискуссия «Квант будущего»
Фонд Росконгресс, Госкорпорация «Росатом», Российский квантовый центр и научно-популярное издание N+1 завершают серию международных онлайн-дискуссий «Квант будущего», где лидеры индустрии и ведущие мировые ученые обсуждают, как квантовые технологии уже изменили наш мир, и с какими вызовами помогут справиться в будущем.
Заключительная дискуссия «Квантовая революция: профессии будущего и трансформация образования» состоится 8 июля в 17:00 по московскому времени.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Супергибридный материал для хранения водорода. Двумерная соль. Существование виртуальных мультиферроиков подтверждено. Чёрные бабочки. Служение науке и немного поэзии.

Академия - университетам
Е.А.Гудилин, Ю.Г.Горбунова, С.Н.Калмыков
Российская Академия Наук и Московский университет во время пандемии реализовали пилотную часть проекта "Академия – университетам: химия и науки о материалах в эпоху пандемии". За летний период планируется провести работу по подключению к проекту новых ВУЗов, институтов РАН, профессоров РАН, а также по взаимодействию с новыми уникальными лекторами для развития структурированного сетевого образовательного проекта "Академия - университетам".

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2020
Коллектив авторов
Защиты выпускных квалификационных работ (квалификация – бакалавр материаловедения) по направлению 04.03.02 - «химия, физика и механика материалов» на Факультете наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова состоятся 16, 17, 18 и 19 июня 2020 г.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2020 году
коллектив авторов
2 - 5 июня пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.