Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рисунок 1. а) изображение TEM сетки с нанесенным на нее графеном, сделанное сканирующим электронным микроскопом. Масштаб 5 мкм. b) Фрагмент графена без дефектов. Изображение получено с помощью темнопольной растровой просвечивающей микроскопии. c) два зерна, прилегающих друг к другу и разориентированных под углом 270. d) показаны многоугольники из атомов углерода, образующие межзеренную границу. Масштаб на рисунках b-d 5 А.
Рисунок 2. Процесс получения изображения темнопольной просвечивающей микроскопии. Масштаб 500 нм.
Рисунок 3. а) распределение бездефектных областей в графене по размерам. Средний размер домена составляет 250 нм. b) распределение границ раздела по углам разориентации. Данные получены из анализа 238 граница. c,d) дифракция с большой области и DF-TEM изображение малого масштаба.
Рисунок 4. a,b) AFM изображение до и после тестирования на прочность. Масштаб 200 нм. с) определение удельного сопротивления межзеренной границы в пленке графена.

Лоскутное одеяло из графена

Ключевые слова:  CVD, графен

Опубликовал(а):  Дё Виктор Владимирович

15 февраля 2011

Свойства поликристаллических материалов часто определяются размером зерен и строением межзеренных границ. Особенно это проявляется в двумерных материалах, в которых даже линейный дефект может привести к разрушению кристалла. Ярким примером подобных систем является очень популярный в последнее время графен. Согласно теоретическим работам границы между бездефектными областями в графене имеют определенные электронные, магнитные, химические и механические свойства, которые могут существенно влиять на свойства материала в целом.

В работе, опубликованной в Nature, подробно охарактеризовали домены (в оригинальной статье их называют зернами-grains) в однослойных пленках графена и границы между ними. Полученные данные являются значительным шагом в понимании того, как мембраны толщиной в атомный слой могут применяться в электронных и механических устройствах.

Исследователи сначала синтезировали монослои графена методом химического осаждения из газовой фазы в таких количествах, чтобы можно было наблюдать поликристалличность. Для характеризации полученных мембран на атомном уровне использовали темнопольную растровую просвечивающую электронную микроскопию (ADF-STEM). На рисунке 1 показана граница между двумя зернами. Они разориентированы относительно друг друга под углом 270, а их граница представляет собой последовательность пятиугольников, семиугольников и искаженных шестиугольников. Согласно анализу интенсивностей атомного рассеивания границы полностью состоят из атомов углерода.

С использованием темнопольной просвечивающей микроскопии была построена карта распределения нескольких сотен доменов по положению, ориентации и форме. На полученных изображениях можно видеть, что кристаллиты имеют очень сложную форму и различную ориентацию. Интересно, что в работе показаны центры, из которых радиально расходятся зерна (рисунок 2, е). Авторы предполагают, что эти центры являются центрами зародышеобразования. Средний размер кристаллитов составляет 250 нм, кристаллиты разориентированы друг относительно друга в пределах от 0 до 300, но преимущественно 7 и 300 (рисунок 3).

Также в работе изучено влияние межзеренных границ на механические свойства однослойной пленки графена. Было показано, что при приложении механической нагрузки иглой атомно-силового микроскопа пленка раскалывается по границе раздела зерен (рисунок 4). Для этого достаточно 100 нН. Таким образом, механическая прочность графена определяется его межзеренными границами.

Для изучения влияния границ раздела на электрические свойства поликристаллического графена определяли удельное сопротивление отдельной линии раздела. Контактной литографией осажденный на медной подложке графен «нарезали» полосками шириной 3 мкм и переносили на предварительно приготовленную подложку. На подложку перед этим наносили золотые контакты и создавали выемку, благодаря которой графеновая полоска находилась в подвешенном состоянии. Готовое устройство схематически изображено на рисунке 4,с. Наличие границ раздела по идее должно приводить к резким падениям потенциала. Однако никаких падений обнаружено не было. Это свидетельствует о том, что линии раздела практически не влияют на сопротивление всего материала. Столь слабое влияние сильно контрастирует с тем, что часто наблюдают в других материалах, таких как комплексные оксиды, где наличие межзеренных границ в монокристаллах может приводить к увеличению сопротивления в миллион раз.


Источник: Nature



Комментарии
И как же он будет работать в трубке, если при нагузке "рассыпается"?
Это при механических нагрузках. А электричество проводить продолжает. Может быть не так?
Бороненко Сергей Юрьевич, 17 февраля 2011 13:50 
мне кажется это просто чуть чуть не доделанная работа!(

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Композит
Композит

Интервью с участниками, авторами задач и организаторами XIII Олимпиады
Предлагаем ознакомиться с подборкой видеороликов - миниинтервью, взятых в течение очного тура XIII Всероссийской Интернет-олимпиады по нанотехнологиям "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" (25 - 30 марта 2019 года).

Неделя Олега Лосева
Портал RSCI.RU и инициаторы проведения "Недель Олега Лосева" приглашают все вузы и факультеты физико-технологического и радиоэлектронного профиля к участию в первой Неделе Олега Лосева в Рунете, посвященной Олегу Владимировичу Лосеву - признанному пионеру полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.

Магистратура Московского университета по химической технологии
Химический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова объявляет о приеме в магистратуру "Химическая технология" для подготовки специалистов в области полимерных композиционных материалов, углеродных материалов, защитных покрытий.

Интервью с Константином Козловым - абсолютным победителем XIII Наноолимпиады
Семенова Анна Александровна
Школьник 11 класса Константин Козлов (г. Москва) стал абсолютным победителем Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" 2018/2019 по комплексу предметов "физика, химия, математика, биология". О своих впечатлениях, увлечениях и немного о планах на будущее Константин поделился с нами в интервью.

Микроэлементарно, Ватсон: как микроэлементы действуют на организм
Алексей Тиньков
Как на нас воздействуют кадмий, ртуть, цинк, медь и другие элементы таблицы Менделеева рассказал сотрудник кафедры медицинской элементологии РУДН Алексей Тиньков в интервью Indicator.Ru

Зимняя научная конференция студентов 4 курса ФНМ МГУ 22-23 января 2019 г.
Сафронова Т.В.
Настоящий сборник содержит тезисы докладов зимней научной студенческой конференции студентов 4-го курса ФНМ

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.