Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рис. 1. Нанонити Ga2O3 (SEM)
Рис. 2. Короткие «щетинки»
Рис. 3. Длинные «иглы»
Рис. 4. TEM коротких «щетинок»
Рис. 5. TEM длинных «игл»
Рис. 6. Предполагаемые механизмы роста ZnO на нанонитях Ga2O3

Оксидные Ёжики

Ключевые слова:  наноструктура, оксид цинка

Опубликовал(а):  Гудилин Евгений Алексеевич

24 декабря 2010

Получение вертикально ориентированных наноструктур имеет важное значение, обычно используют эпитаксиальный рост наноструктур на подложке. Синтез, как правило, проводят при высоких температурах (более 800ºС), что приводит к образованию дефектов в структуре, а также в некоторых случаях (например, VLS-процесс, "пар - жижкость - кристалл") к наличию примеси катализатора в образце. Также часто для получения необходимых свойств требуется дальнейшая обработка. В данной статье авторы описывают метод получения высокосимметричных иерархических наноструктур ZnO - Ga2O3.

Первая стадия – синтез нанонитей оксида галлия Ga2O3 методом «пар – жидкость – кристалл» (рис. 1). Использовали подложку из кремния, в качестве катализатора – золото (слой 20 нм), источником галлия был металлический галлий, синтез проводили в атмосфере Ar + O2. Диаметр полученных нитей определён методами SEM и TEM и составляет 5-150 нм. Методом SAED установлено, что состав образца – монокл. β- Ga2O3, рост происходит преимущественно в направлениях [010] и [100].

Вторая стадия – рост ZnO на полученных нитях Ga2O3. Порошок цинка и нанонити Ga2O3 на подложке поместили в лодочке из оксида алюминия в печь с кварцевой трубкой, так, чтобы порошок цинка располагался в более горячей зоне. Трубку быстро нагрели до 560ºС, выдерживали при этой температуре в течение 1-2 часов, затем быстро охладили. Для исследования механизма роста кристаллов время второй стадии варьировали. В зависимости от времени роста образовывались структуры различной морфологии: за 1-1.5 часа образовывались короткие толстые «щетинки» (рис. 2) с общим диаметром структуры около 1 мкм; за 2 часа образовывались длинные «иглы» (рис. 3) с общим диаметром около 8 мкм. Для анализа полученных структур использовали различные методы: EDX в SEM (обнаружены только Zn и O), EDX в TEM («иглы» состоят из Zn и O; «стержни» - из Ga и О, содержат менее 2 вес.% Zn), TEM (рис. 4 и 5, рост ZnO происходит в направлении [0001]), а также SAED и ИК-спектроскопию. В ИК-спектрах образцов присутствуют полосы при 578 и 418 см-1, что может быть отнесено к ZnGa2O4. Другими методами эту фазу обнаружить не удалось. Авторами предложены различные механизмы образования высокосимметричных структур оксида цинка на оксиде галлия с низкой симметрией (рис. 6). Возможно как прямое образование центров нуклеации оксида цинка на стержнях оксида галлия, так и образование сначала промежуточного слоя ZnGa2O4 (на рис. 6 показан темно-синим цветом) со структурой шпинели и уже дальнейший рост нитей ZnO на нем.

Студенты 501 группы химического факультета МГУ Беззубов С.И., Воробьева Н.А., Ефимов А.А. по материалам статьи Lena Mazeina, Yoosuf N. Picard, and Sharka M. Prokes. Controlled Growth of Parallel Oriented ZnO Nanostructural Arrays on Ga2O3 Nanowires. // Crystal Growth & Design, Vol. 9, No. 2, 2009. P. 1164–1169.


Источник:



Комментарии
По дифракции с рис.5 - а чегой эт там рефлексы то такие круглые, с тех участков, ктороые показаны ("длинные иглы"), вроде, вытянутые должны б быть...
Мне кажется, что лучше названия методов, как SAED и т.д., расшифровывать. Все таки научно-популярный сайт.
круто

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Неорганическая чешуекрылая
Неорганическая чешуекрылая

Интервью с участниками, авторами задач и организаторами XIII Олимпиады
Предлагаем ознакомиться с подборкой видеороликов - миниинтервью, взятых в течение очного тура XIII Всероссийской Интернет-олимпиады по нанотехнологиям "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" (25 - 30 марта 2019 года).

Неделя Олега Лосева
Портал RSCI.RU и инициаторы проведения "Недель Олега Лосева" приглашают все вузы и факультеты физико-технологического и радиоэлектронного профиля к участию в первой Неделе Олега Лосева в Рунете, посвященной Олегу Владимировичу Лосеву - признанному пионеру полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.

Магистратура Московского университета по химической технологии
Химический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова объявляет о приеме в магистратуру "Химическая технология" для подготовки специалистов в области полимерных композиционных материалов, углеродных материалов, защитных покрытий.

Интервью с Константином Козловым - абсолютным победителем XIII Наноолимпиады
Семенова Анна Александровна
Школьник 11 класса Константин Козлов (г. Москва) стал абсолютным победителем Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" 2018/2019 по комплексу предметов "физика, химия, математика, биология". О своих впечатлениях, увлечениях и немного о планах на будущее Константин поделился с нами в интервью.

Микроэлементарно, Ватсон: как микроэлементы действуют на организм
Алексей Тиньков
Как на нас воздействуют кадмий, ртуть, цинк, медь и другие элементы таблицы Менделеева рассказал сотрудник кафедры медицинской элементологии РУДН Алексей Тиньков в интервью Indicator.Ru

Зимняя научная конференция студентов 4 курса ФНМ МГУ 22-23 января 2019 г.
Сафронова Т.В.
Настоящий сборник содержит тезисы докладов зимней научной студенческой конференции студентов 4-го курса ФНМ

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.