Рисунок 1. Обратимое изменение удельного сопротивления при приложении потенциала к тонкой плёнке LSMO, что соответствует процессу записи и стирания.
Рисунок 2. Вольтамперные характеристики тонких плёнок LSMO при развёртке потенциала от -10 до +10 В. На рисунке (с) представлены 100 из 500 ВАХ, полученные при циклировании.
Рисунок 3. Обратимое многоуровневое резистивное устройство хранения данных.
Рисунок 4. Распределение химических элементов, полученных с помощью фотоэмиссионной электронной микроскопии: (a, d, g) M-линия La 837,8 эВ, (b, e, h) L-линия Mn 641,0 эВ и (c, f, i) K-линия O 529,0 эВ.
Энергонезависимая тонкоплёночная память на основе манганита лантана-стронция
Создание резистивной RAM (ReRAM) памяти с возможностью перезаписи является
на сегодняшний день одним из перспективных направлений развития нанотехнологий,
так как позволит заменить существующие Flash и EEPROM память, а также значительно снизить
размер элемента памяти (до 30 нм и ниже). За последние 40 лет, что ведутся
работы в этой области, было перепробовано множество материалов от
полупроводников до мультиферроиков, а также множество методов создания
контактов металл-изолятор-металл (MIM), однако только к настоящему моменту
с развитием атомно-силовой и туннельной микроскопий, появилась возможность проводить
работы, связанные с созданием ReRAM на наноуровне.
Так группа учёных из Испании и
Германии опубликовала работу по созданию энергонезависимой резистивной RAM на основе тонких плёнок La0,7Sr0,3MnO3 (LSMO). Получение такой плёнки не составляет большого труда:LSMO «выращивается» с помощью метода
химического осаждения из раствора (CSD )
на подложке из SrTiO3(100), которая является изолятором. Свойства полученной плёнки изучались с
помощью сканирующей силовой микроскопии (С-SFM ) и метода зонда Кельвина (KPM). Выяснилось, что полученные плёнки
обратимо меняют тип проводимости, т.е. переключаются между состояниями с низким
и высоким сопротивлением, при приложении потенциала в несколько вольт: ~+5В для
записи и ~-8В для стирания информации (Рисунок 1-2). Данные полученные методом
зонда Кельвина (Рисунок 3) свидетельствуют о том, что подобные изменения в
свойствах электропроводности происходят не просто обратимо, но при этом ещё и зависят
от последовательности и величины приложенного напряжения. Изучение химического
состава плёнок показало, что для состояния с высоким сопротивлением характерно
15% избыток La, тогда как для состояния с низким сопротивлением – 6% избыток, при этом Mn3+/4+, как полагают учёные, восстанавливается
до Mn2+, что требует дальнейшего изучения (Рисунок
4).
Авторы надеются, что в скором времени
удастся создать полноценно работающий прототип резистивной памяти на основе
тонких плёнок La0,7Sr0,3MnO3, а также в полной мере изучить механизм, лежащий в
основе обратимого «переключения» между состояниями с высоким и низким удельными
сопротивлениями.
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
