Технологии производства микросхем не стоят на месте, ведущие концерны в борьбе за рынок штурмуют наномир и объявляют о грандиозных планах развития уже не микро-, а наноэлектроники. Одно из ключевых составляющих любого компьютерного устройства – память, а в частности, энергонезависимая память, которая на сегодняшний день является основой всех коммуникаторов, нетбуков, телефонов и т.д. RRAM (резистивная память с произвольным доступом) – новое поколение энергонезависимой памяти, основанной на использовании двух устойчивых состояний диэлектрика: состояние с высоким сопротивлением и состояние с низким сопротивлением, переключение между которыми осуществляется путём приложения внешнего напряжения.
В недавно опубликованной работе, группа корейских учёных продемонстрировала, как с помощью пористой матрицы из анодированного оксида алюминия можно сформировать на проводящей графеновой подложке массив RRAM-памяти на основе оксида никеля. Для этого, на подложку допированного ниобием титаната стронция (Nb-SrTiO3) с атомарно гладкой поверхностью поместили лист графена и темплат из оксида алюминия, после чего внутри пор осадили оксид никеля и платину, а саму матрицу растворили. В результате чего сформировался строго упорядоченный массив RRAM-памяти (Рисунок 1-2), при этом размеры (диаметр и толщина) наноструктур на основе оксида никеля составляют ~30 нм. Стоит отметить, что отличительной особенностью данного массива является крайне низкие токи записи/стирания, которые меньше 1 нА, заметное влияние графеновой «подстилки» на соответствующие разности напряжений, а также великолепная устойчивость состояний с высоким и низким сопротивлением при циклировании (Рисунок 3).
Совершенствование уже имеющихся и создание новых технологий создания массивов RRAM-памяти позволит в скором будущем наладить их производство и тогда мы все сможем оценить достоинства и выявить недостатки данного вида памяти, например, купив ультрасовременный телефон или нетбук.
