Исследователи из университета штата Пенсильвания (США) создали 100 мм - графеновую подложку
Ученые из Electro-Optics Center (EOC) Materials Division в Pennsylvania State University создали
Графен представляет собой слой атомов углерода толщиной в один атом, упакованных в двумерную гексогональную кристаллическую решетку. Из-за своих необычных электронных свойств, графен позволяет увеличить скорость обработки информации в террагерцовом диапазоне на 2-3 порядка, по сравнению с кремнием. Получение
Впервые технология была разработана в Техническом университете штата Джорджия. «Сначала субстрат карбида кремния помещают в печь и нагревают до температуры от 1500С до 1700С», - говорит Робинсон. «При таких температурах поверхностные атомы кремния испаряются, оставляя тонкие пленки углерода в одни или два атома толщиной, которые впоследствии реорганизуются в графеновую структуру».
При поддержке исследователей из Naval Surface Warfare Center ученые EOC создали полевой транзистор на графеновой подложке. Основной задачей является увеличение подвижности электронов, так чтобы повысить скорость передачи информации по сравнению с уже существующей на основе кремния в 100 раз. «Это требует определенного совершенствования в дизайне устройства и корректировки качества материала, однако мы выигрываем в скорости обработки информации», - говорит Робинсон. Производство графеновых подложек не потребует замены оборудования, достаточно иметь стандартное оборудование для обработки кремния. В настоящее время графен обладает одной из самых высоких подвижностей собственных носителей заряда.
Так как свойства графена прекрасно известны, то качество реализации задуманного зависит лишь от материального обеспечения проекта и внимания со стороны участников.
