Объявлены результаты конкурса Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам. Один из лучших патентов - способ получения композитного материала на основе фотонных кристаллов из оксида кремния. Среди разработчиков - к.х.н.А.С.Синицкий (ФНМ МГУ, Rice University), магистранты В.Абрамова (ФНМ МГУ), А.Слесарев (ФНМ МГУ), П.Хохлов (ФНМ МГУ), к.ф.м.н. С.О.Климонский (ФНМ МГУ) и студенты. Патент подготовлен в рамках выполнения федеральной целевой научно-технической программы ("критические технологии").
Изображения фотонных кристаллов публиковались в нашей галлерее.







