Синтез наноразмерных структур с помощью литографии – дело достаточно перспективное, но очень трудоемкое. Создание протяженных массивов объектов необходимой формы требует огромных временных и материальных затрат. В настоящее время наиболее широко используется оптическая фотолитография, которая, однако, имеет ряд существенных ограничений, связанных с большой длинной волны излучения и, как следствие, низким разрешением. В связи с этим пристальное внимание ученых привлекают другие частицы с меньшей длинной волны (электроны, ионы и нейтральные атомы). К преимуществам последних можно отнести бережное отношение к субстрату (он не разрушается из-за низкой энергии частиц) и возможность прямой литографии, т.е. создание структур непосредственно из облучающих атомов.
Простой и эффективный метод атомной литографии реализован в работе отечественных ученых. Русские «умельцы» использовали для создания наноструктур камеру с малым отверстием (pinhole camera). Схема эксперимента проиллюстрирована на рисунке 1. Пучок атомов (в работе использовали атомы индия), проходя через маску и мембрану с точечными отверстиями, формирует на субстрате (кремниевая пластинка) уменьшенное изображение заданного объекта. Использование тонкой мембраны из нитрида кремния с множеством отверстий позволяет без особых хлопот создавать массивы наноструктур. Коэффициент уменьшения данного устройства достигает десятков тысяч раз. Таким образом, для формирования изображений размером в десятки нанометров требуется маска с изображением в несколько миллиметров.
К вышеперечисленным достоинствам нового устройства можно также отнести возможность создания с его помощью структур самой сложной произвольной формы используя различные виды атомов и молекул. Кроме того, данный метод не требует химического селективного травления и не приводит к разрушению поверхности субстрата.






Способны делать alignment. Наверно в каждом суперотверстии засунута особая атомная линза. А иначе надо делать сложную процедуру alignment'а источника атомов, маски и мембраны с дырками при каждом шаге экпонирования.