Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
STE3N3. Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы
STE3N2. Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы
STE 3532. Установка МПЭ для выращивания классических соединений А3В5 и А2В6
STE EB48. Установка электронно-лучевого напыления
STE EB 65G. Установка электронно-лучевого напыления
STE EB 71. Установка электронно-лучевого напыления
STE MS46. Установка магнетронного распыления
Установка нанесения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме
Установка термического отжига в управляемой газовой среде
Организация
Ключевые слова
Область деятельности
    Наноэлектроника
Контактная информация
Телефон +7 812 702-13-08
Факс +7 812 320-43-94
Электронная почта info@semiteq.ru
Индекс 194156
Адрес Санкт-Петербург, пр. Энгельса, 27, корп. 5, литер "А"
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Алексеев Алексей Николаевич, Исполнительный директор, кандидат наук
  • Погорельский Юрий Васильевич, Генеральный директор, кандидат наук
  • Филаретов Алексей Гелиевич, За. директора по маркетингу, кандидат наук
Описание

В начале 2000-х гг. в Санкт-Петербурге компания ЗАО "Научное и технологическо еоборудование" приступила к разработке современных российских установок молекулярно-пучковой эпитаксии. Компания была основана группой технологов из Физико-технического института им. Иоффе, которые многие годы занимались разработкой технологий выращивания эпитаксиальных гетероструктур, а с организацией компании "Научное и технологическое оборудование" и модернизацией серийного отечественного технологического оборудования. На начальном этапе для выполнения поставленной задачи к разработке были также подключены разработчики первых серийных отечественных установок МПЭ из НТО Академии наук СССР, Санкт-Петербург, и Научно-исследовательского технологического института города Рязань. Успешность разработок уже в 2003 году дала возможность зарегистрировать торговый знак «SemiTEq».

На сегодняшний день «SemiTEq» - единственный в России брэнд, под которым производится законченный комплекс высоковакуумного и сверхвысоковакуумного оборудования мирового уровня и для эпитаксиального выращивания полупроводниковых наногетероструктур, и для проведения ключевых технологических операций планарного цикла при проведении опытно-конструкторских разработок, мелкосерийного и серийного производства приборов наноэлектроники, полупроводниковой микро- и оптоэлектроники.

Установки МПЭ для различных систем полупроводниковых материалов являются центральным продуктом компании. Ведь выращивание эпитаксиальных гетероструктур является одной из ключевых, критических технологий, лежащей в основе производства большинства современных полупроводниковых приборов. Обеспечение успешного выполнения данной задачи требует от разработчиков сочетания глубокого понимания как технических, так и физических основ метода МПЭ – именно такие специалисты стоят у истоков создания торговой марки «SemiTEq».

К тому же, для постоянной оптимизации требований к разрабатываемому и модернизируемому технологическому оборудованию, в рамках стратегического партнерства осуществляется тесное сотрудничество с ЗАО «Светлана-Рост» – российским лидером в области производства эпитаксиальных гетероструктур А3В5. Поэтому совместно с ЗАО «Светлана-Рост» проводятся регулярные технологические НИОКР в области полупроводниковых технологий, чтобы обеспечивать эффективную обратную связь по линии «технолог-разработчик».

Мы ничего не возрождаем, мы создаем заново - утверждают специалисты компании. Именно здесь 2002 - 2003 годах при выполнении коммерческого контракта была создана первая в России специализированная установка молекулярно-пучковой эпитаксии ЭПН3, рассчитанная на подложки диаметром до 100 мм и ориентированная на сложную специфику нитридов третьей группы. В ходе её разработки были учтены как особенности технологии выращивания соединений нитридов галлия и алюминия, так и передовые тенденции развития оборудования для молекулярно-пучковой эпитаксии ведущих мировых производителей.

Опытная эксплуатация головного образца установки ЭПН3 оказался успешным и позволил в короткий срок получить результаты мирового уровня по выращиванию нитридных гетероструктур для СВЧ-микроэлектроники. Основные особенности установки это:

• Продолжительной рост с вращением подложки диаметром 2-4 дюйма с вращением при температурах эпитаксиальной поверхности 1200-1250°С;

• Конструкция криопанелей, обеспечивающая длительную круглосуточную работу в режимах больших потоков аммиака (до 400 станд. см3 в мин);

• Специальная конструкция источников галлия и алюминия, обеспечивающая их высокий ресурс в сочетании с высокими скоростями роста (>2 мкм/час)

В 2005-2006 гг. на основе опыта, полученного при эксплуатации прототипа, был начат серийный выпуск нитридных установок МПЭ серии STE3N, по ключевым техническим параметрам превосходящих существующие на сегодня аналоги ведущих мировых производителей. Параллельно была проведена разработка и начато серийное производство семейства установок МПЭ STE35 для традиционных полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6, а также комплекта вакуумно-технологического оборудования для планарного процессинга полупроводниковых пластин (установки электронно-лучевого и магнетронного напыления, плазмохимического травления, нанесения диэлектриков, быстрого температурного отжига).

Технологические результаты мирового уровня, получаемые на нитридных установках МПЭ, выпускаемых под торговым знаком «SemiTEq», а также достигнутый на сегодня высокий уровень их надёжности позволяет прогнозировать высокий экспортный потенциал.
Уникальное оборудование
  • Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE ICPe68
  • Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE ICPe68L
  • Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE RIE84
  • Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE RTA70H
  • Установка магнетронного распыления STE MS46
  • Установка молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) для выращивания нитридов металлов III группы STE3N3
  • Установка МПЭ для выращивания классических соединений А3В5 и А2В6 STE3532
  • Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы STE3N2
  • Установка нанесения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме STE ICPd81
  • Установка термического отжига в управляемой газовой среде STE RTA79
  • Установка электронно-лучевого напыления STE EB 48
  • Установка электронно-лучевого напыления STE EB 65G
  • Установка электронно-лучевого напыления STE EB 71
Дефекты в SiC
Дефекты в SiC

Графен помог ученым МГУ понять механизм работы литиевых аккумуляторов нового типа
Сотрудники МГУ запатентовали электрохимическую ячейку, позволяющую с помощью высокочувствительных методов анализа поверхности изучать химические процессы в материалах аккумуляторов. Разработка позволит понять процессы, возникающие при использовании литий-воздушных аккумуляторов. Этот тип аккумуляторов при одинаковой массе обладает в 5 раз большей ёмкостью, чем широко распространённые литий-ионные.

ФИОП и еНано открыли прием заявок на IV конкурс молодежных проектов по инновационному развитию бизнеса «Технократ»
Фонд инфраструктурных и образовательных программ и компания еНано открыли прием заявок на IV конкурс молодежных проектов по инновационному развитию бизнеса «Технократ», который проводится в рамках программы «УМНИК» Фонда содействия инновациям.

NT-MDT S.I. на ближайших конференциях.
Дорогие коллеги, NT-MDT S.I. в ближайшее время будет представлена на двух конференциях.

Эксперт: Ингредиенты готовы к началу реакции
Вера Колерова
Малотоннажная химия по-прежнему не в фаворе у бизнеса и власти. Первый не идет в этот сектор из-за больших вложений и долгих сроков окупаемости. А правительство приняло всего лишь дорожную карту развития этой подотрасли. Но предпосылки для ее подъема все-таки есть. Важно не упустить момент ...

Оптическая жизнь дисульфидных нанотрубок
А.Ю.Поляков, Е.А.Гудилин
Недавно полученные экспериментальные результаты позволяют рассматривать нанотрубки дисульфида вольфрама в качестве основы для новых фотонных устройств, элементов оптических схем. Кроме того, знания о нетривиальных оптических особенностях данных наноструктур позволят по-новому взглянуть на свойства композитов плазмонных наночастиц золота и серебра с дисульфидными нанотрубками.

Наноматериалы в ядерных технологиях
Тананаев И.Г.
Сегодня активное развитие ядерных технологий – мировая тенденция, связанная с обеспечением устойчивого развития мирового сообщества. Решение энергетических проблем путем строительства новых атомных станций, формирование персонифицированной высокотехнологической медицины за счет внедрения ядерной медицины, освоение Арктики и космического пространства – основы ядерных технологий, не говоря об обеспечении государственной безопасности и удержания паритета ядерных вооружений.

Инновационные системы: достижения и проблемы
Олег Фиговский, Валерий Гумаров

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!

Проектная работа

Сегодня становится все более популярной так называемая проектная работа школьников, однако на этот счет есть очень разные мнения. Мы были бы признательны, если бы Вы высказали кратко свое мнение по этому поводу путем голосования. Заранее благодарны!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.