В начале 2000-х гг. в Санкт-Петербурге компания ЗАО "Научное и технологическо еоборудование" приступила к разработке современных российских установок молекулярно-пучковой эпитаксии. Компания была основана группой технологов из Физико-технического института им. Иоффе, которые многие годы занимались разработкой технологий выращивания эпитаксиальных гетероструктур, а с организацией компании "Научное и технологическое оборудование" и модернизацией серийного отечественного технологического оборудования. На начальном этапе для выполнения поставленной задачи к разработке были также подключены разработчики первых серийных отечественных установок МПЭ из НТО Академии наук СССР, Санкт-Петербург, и Научно-исследовательского технологического института города Рязань. Успешность разработок уже в 2003 году дала возможность зарегистрировать торговый знак «SemiTEq».
На сегодняшний день «SemiTEq» - единственный в России брэнд, под которым производится законченный комплекс высоковакуумного и сверхвысоковакуумного оборудования мирового уровня и для эпитаксиального выращивания полупроводниковых наногетероструктур, и для проведения ключевых технологических операций планарного цикла при проведении опытно-конструкторских разработок, мелкосерийного и серийного производства приборов наноэлектроники, полупроводниковой микро- и оптоэлектроники.
Установки МПЭ для различных систем полупроводниковых материалов являются центральным продуктом компании. Ведь выращивание эпитаксиальных гетероструктур является одной из ключевых, критических технологий, лежащей в основе производства большинства современных полупроводниковых приборов. Обеспечение успешного выполнения данной задачи требует от разработчиков сочетания глубокого понимания как технических, так и физических основ метода МПЭ – именно такие специалисты стоят у истоков создания торговой марки «SemiTEq».
К тому же, для постоянной оптимизации требований к разрабатываемому и модернизируемому технологическому оборудованию, в рамках стратегического партнерства осуществляется тесное сотрудничество с ЗАО «Светлана-Рост» – российским лидером в области производства эпитаксиальных гетероструктур А3В5. Поэтому совместно с ЗАО «Светлана-Рост» проводятся регулярные технологические НИОКР в области полупроводниковых технологий, чтобы обеспечивать эффективную обратную связь по линии «технолог-разработчик».
Мы ничего не возрождаем, мы создаем заново - утверждают специалисты компании. Именно здесь 2002 - 2003 годах при выполнении коммерческого контракта была создана первая в России специализированная установка молекулярно-пучковой эпитаксии ЭПН3, рассчитанная на подложки диаметром до 100 мм и ориентированная на сложную специфику нитридов третьей группы. В ходе её разработки были учтены как особенности технологии выращивания соединений нитридов галлия и алюминия, так и передовые тенденции развития оборудования для молекулярно-пучковой эпитаксии ведущих мировых производителей.
Опытная эксплуатация головного образца установки ЭПН3 оказался успешным и позволил в короткий срок получить результаты мирового уровня по выращиванию нитридных гетероструктур для СВЧ-микроэлектроники. Основные особенности установки это:
• Продолжительной рост с вращением подложки диаметром 2-4 дюйма с вращением при температурах эпитаксиальной поверхности 1200-1250°С;
• Конструкция криопанелей, обеспечивающая длительную круглосуточную работу в режимах больших потоков аммиака (до 400 станд. см3 в мин);
• Специальная конструкция источников галлия и алюминия, обеспечивающая их высокий ресурс в сочетании с высокими скоростями роста (>2 мкм/час)
В 2005-2006 гг. на основе опыта, полученного при эксплуатации прототипа, был начат серийный выпуск нитридных установок МПЭ серии STE3N, по ключевым техническим параметрам превосходящих существующие на сегодня аналоги ведущих мировых производителей. Параллельно была проведена разработка и начато серийное производство семейства установок МПЭ STE35 для традиционных полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6, а также комплекта вакуумно-технологического оборудования для планарного процессинга полупроводниковых пластин (установки электронно-лучевого и магнетронного напыления, плазмохимического травления, нанесения диэлектриков, быстрого температурного отжига).
Технологические результаты мирового уровня, получаемые на нитридных установках МПЭ, выпускаемых под торговым знаком «SemiTEq», а также достигнутый на сегодня высокий уровень их надёжности позволяет прогнозировать высокий экспортный потенциал.
