Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
STE3N3. Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы
STE3N2. Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы
STE 3532. Установка МПЭ для выращивания классических соединений А3В5 и А2В6
STE EB48. Установка электронно-лучевого напыления
STE EB 65G. Установка электронно-лучевого напыления
STE EB 71. Установка электронно-лучевого напыления
STE MS46. Установка магнетронного распыления
Установка нанесения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме
Установка термического отжига в управляемой газовой среде
Организация
Ключевые слова
Область деятельности
    Наноэлектроника
Контактная информация
Телефон +7 812 702-13-08
Факс +7 812 320-43-94
Электронная почта info@semiteq.ru
Индекс 194156
Адрес Санкт-Петербург, пр. Энгельса, 27, корп. 5, литер "А"
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Алексеев Алексей Николаевич, Исполнительный директор, кандидат наук
  • Погорельский Юрий Васильевич, Генеральный директор, кандидат наук
  • Филаретов Алексей Гелиевич, За. директора по маркетингу, кандидат наук
Описание

В начале 2000-х гг. в Санкт-Петербурге компания ЗАО "Научное и технологическо еоборудование" приступила к разработке современных российских установок молекулярно-пучковой эпитаксии. Компания была основана группой технологов из Физико-технического института им. Иоффе, которые многие годы занимались разработкой технологий выращивания эпитаксиальных гетероструктур, а с организацией компании "Научное и технологическое оборудование" и модернизацией серийного отечественного технологического оборудования. На начальном этапе для выполнения поставленной задачи к разработке были также подключены разработчики первых серийных отечественных установок МПЭ из НТО Академии наук СССР, Санкт-Петербург, и Научно-исследовательского технологического института города Рязань. Успешность разработок уже в 2003 году дала возможность зарегистрировать торговый знак «SemiTEq».

На сегодняшний день «SemiTEq» - единственный в России брэнд, под которым производится законченный комплекс высоковакуумного и сверхвысоковакуумного оборудования мирового уровня и для эпитаксиального выращивания полупроводниковых наногетероструктур, и для проведения ключевых технологических операций планарного цикла при проведении опытно-конструкторских разработок, мелкосерийного и серийного производства приборов наноэлектроники, полупроводниковой микро- и оптоэлектроники.

Установки МПЭ для различных систем полупроводниковых материалов являются центральным продуктом компании. Ведь выращивание эпитаксиальных гетероструктур является одной из ключевых, критических технологий, лежащей в основе производства большинства современных полупроводниковых приборов. Обеспечение успешного выполнения данной задачи требует от разработчиков сочетания глубокого понимания как технических, так и физических основ метода МПЭ – именно такие специалисты стоят у истоков создания торговой марки «SemiTEq».

К тому же, для постоянной оптимизации требований к разрабатываемому и модернизируемому технологическому оборудованию, в рамках стратегического партнерства осуществляется тесное сотрудничество с ЗАО «Светлана-Рост» – российским лидером в области производства эпитаксиальных гетероструктур А3В5. Поэтому совместно с ЗАО «Светлана-Рост» проводятся регулярные технологические НИОКР в области полупроводниковых технологий, чтобы обеспечивать эффективную обратную связь по линии «технолог-разработчик».

Мы ничего не возрождаем, мы создаем заново - утверждают специалисты компании. Именно здесь 2002 - 2003 годах при выполнении коммерческого контракта была создана первая в России специализированная установка молекулярно-пучковой эпитаксии ЭПН3, рассчитанная на подложки диаметром до 100 мм и ориентированная на сложную специфику нитридов третьей группы. В ходе её разработки были учтены как особенности технологии выращивания соединений нитридов галлия и алюминия, так и передовые тенденции развития оборудования для молекулярно-пучковой эпитаксии ведущих мировых производителей.

Опытная эксплуатация головного образца установки ЭПН3 оказался успешным и позволил в короткий срок получить результаты мирового уровня по выращиванию нитридных гетероструктур для СВЧ-микроэлектроники. Основные особенности установки это:

• Продолжительной рост с вращением подложки диаметром 2-4 дюйма с вращением при температурах эпитаксиальной поверхности 1200-1250°С;

• Конструкция криопанелей, обеспечивающая длительную круглосуточную работу в режимах больших потоков аммиака (до 400 станд. см3 в мин);

• Специальная конструкция источников галлия и алюминия, обеспечивающая их высокий ресурс в сочетании с высокими скоростями роста (>2 мкм/час)

В 2005-2006 гг. на основе опыта, полученного при эксплуатации прототипа, был начат серийный выпуск нитридных установок МПЭ серии STE3N, по ключевым техническим параметрам превосходящих существующие на сегодня аналоги ведущих мировых производителей. Параллельно была проведена разработка и начато серийное производство семейства установок МПЭ STE35 для традиционных полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6, а также комплекта вакуумно-технологического оборудования для планарного процессинга полупроводниковых пластин (установки электронно-лучевого и магнетронного напыления, плазмохимического травления, нанесения диэлектриков, быстрого температурного отжига).

Технологические результаты мирового уровня, получаемые на нитридных установках МПЭ, выпускаемых под торговым знаком «SemiTEq», а также достигнутый на сегодня высокий уровень их надёжности позволяет прогнозировать высокий экспортный потенциал.
Уникальное оборудование
  • Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE ICPe68
  • Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE ICPe68L
  • Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE RIE84
  • Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE RTA70H
  • Установка магнетронного распыления STE MS46
  • Установка молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) для выращивания нитридов металлов III группы STE3N3
  • Установка МПЭ для выращивания классических соединений А3В5 и А2В6 STE3532
  • Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы STE3N2
  • Установка нанесения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме STE ICPd81
  • Установка термического отжига в управляемой газовой среде STE RTA79
  • Установка электронно-лучевого напыления STE EB 48
  • Установка электронно-лучевого напыления STE EB 65G
  • Установка электронно-лучевого напыления STE EB 71
Медь с дорожки микросхемы
Медь с дорожки микросхемы

Крабовый панцирь побеждает грязную нефть
Химики МГУ разработали уникальную люминесцентную методику определения маркеров «грязной нефти» (дибензотиофенов) с использованием селективной сорбции в оптически прозрачных материалах на основе сшитых гелей хитозана.

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Броуновское движение скирмионов.Растягиваем графен правильно. Красное вино, кофе и чай помогают создавать материалы для гибкой носимой электроники. Металлическая природа кремния и углерода.

К 2023 году российские химики могут занять 4-е место в мире
Эксперты отметили рост числа научных публикаций отечественных ученых и сообщили, что к 2023 году российские химики могут занять 4-е место в мире по публикационной активности.
27 – 29 ноября в рамках юбилейных мероприятий Химического факультета МГУ и торжественной церемонии закрытия Международного года Периодической таблицы химических элементов эксперты подвели итоги 2019 г.

Константин Жижин, член-корреспондент РАН: «Бор безграничен»
Наталия Лескова
Беседа с К.Ю. Жижиным, заместителем директора Института общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова по научной работе, главным научным сотрудником лаборатории химии легких элементов и кластеров.

Мембраны правят миром
Коллектив авторов, Гудилин Е.А.
Ученые МГУ за счет детального изучения структурных и морфологических характеристик материалов на основе оксида графена и 2D-карбидов титана, а также моделирования их свойств, улучшили методы создания мембран для широкого круга практических применений.

Лекция про Дмитрия Ивановича и Наномир на Фестивале науки
Е.А.Гудилин и др., Фестиваль науки
В дни Фестиваля науки «NAUKA 0+» на Химическом факультете МГУ ведущие ученые познакомили слушателей с самыми современными достижениями химии. Ниже приводится небольшой фоторепортаж 1 дня и расписание лекций.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.