Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Рис. 1. Схема предлагаемого устройства (а) и данные просвечивающей электронной микроскопии (b). Крупное изображение вольфрамовой частицы (с) после рекристаллизационного отжига.

Рис. 2. Зависимость относительной емкости устройства на основе W наноточек от затворного напряжения при различных частотах.

Рис. 3. Характеристики записи/стирания для нового устройства на свету (синий) и в темноте (красный). На графике представлена зависимость напряжения, соответствующего плоским зонам от длительности импульса при напряжении затвора 12 В.

Рис. 4. Продолжительность хранения заряда тестируемым устройством. Ширина окна памяти уменьшается за 10 лет на 15%.

Новое поколение энергонезависимой памяти

Ключевые слова:  микроэлектроника, хранение информации

Опубликовал(а):  Росляков Илья Владимирович

04 октября 2008

На сегодняшний день большую часть рынка энергонезависимой памяти (Non-volatile memory) занимают флэш-карты. Но в ближайшее время этот тип носителей неизбежно столкнется с рядом функциональных ограничений. В связи с бурным развитием информационных технологий, к надежности и длительности хранения информации, а также к низкому энергопотреблению устройств предъявляются все более жесткие требования. Разработка новых типов носителей для энергонезависимой памяти идет полным ходом. В качестве основных кандидатов рассматриваются полупроводниковые и металлические наноточки (nanodots). Последние гораздо более надежны, по сравнению с полупроводниками, и уже практически готовы потеснить флэш-память (flash-memory) с рынка.

В своей работе японские ученые спроектировали плавающий затвор (Floating-gate) для нового типа запоминающих устройств на основе W наноточек, изолированных в матрице из нитрида кремния (рис. 1). Выбор инертной матрицы позволил предотвратить окисление вольфрама при синтезе, так как данный процесс негативно влияет на время хранения информации. Внедрение металлической фазы осуществлялось путем самосборки наноточек при осаждении. После высокочастотного распыления под вакуумом частицы вольфрама равномерно распределялись в нитриде кремния, который, в свою очередь, помещался между двумя слоями оксида кремния. Последующий отжиг при температуре 900°С в атмосфере азота в течение 30 минут позволили получить хорошо закристаллизованные сферические частицы с диаметром около 5 нм. В качестве контактов выступали кремниевая подложка и напыленный сверху 0,3 мм слой алюминия.

Образцы были изучены с помощью просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (рис 1 b,с). Полученные данные подтверждают равномерное распределение металлических частиц в матрице и кристаллическую структуру наноточек. Кривые зависимости емкости от прикладываемого напряжения (рис 2.) показывают четкий гистерезис, не зависящий от используемой частоты процесса зарядки-разрядки устройства. Ширина гистерезиса (окна памяти) достигает максимума в 4,1 В, что соответствует плотности накопленного заряда порядка 8×1012 cm-2. Таким образом, каждая вольфрамовая наноточка может удерживать от двух до трех электронов. Кроме того, в работе исследованы характеристики записи/стирания нового устройства (рис 3) и продолжительность хранения заряда. По расчетам, после 10 лет использования (рис. 4) потеря заряда составляет менее 15%, а ширина окна памяти уменьшается до значения 3,4 В.

Подводя итог своей работы, японские нанотехнологи пророчат вольфрамовые точки на место следующего поколения энергонезависимой памяти.

Работа «Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride» опубликована в журнале Applied Physics Letters.


Источник: APPLIED PHYSICS LETTERS



Комментарии
Владимир Владимирович, 05 октября 2008 16:38 
Вы так строги, Александр!
Речь, вроде как, лишь о "готова потеснить" (под свист возвышенных членистоногих), плюс неизбежные искажения оттенков смысла при переводе
Трусов Л. А., 05 октября 2008 20:27 
а почему бы и не потеснить? во флеш-память 10 лет назад тоже никто не верил.
Владимир Владимирович, 06 октября 2008 00:50 
Что-то мне подсказывает, что в статьях про технологии, которые уже готовы что-то откуда-то потеснить, всякие материаловедческие штучки типа рентгенов и эсиэмок уже не показывают

А если статья написана и послана уже после того, как технология надежно запатентована и отлажена?
Владимир Владимирович, 06 октября 2008 03:26 
Про "пропасть" немного в курсе

Но ведь может быть так, что ученые открыли что-то по контракту с Кингстоном, итд. Те запустили в ход все, что нужно, и дали отмашку на публикацию науки (?)

Хотя, на мой не шибко компетентный взгляд, не очень похоже на предтечу рабочей технологии...
Трусов Л. А., 06 октября 2008 11:19 
не видал ни одной японской статьи, чтоб там не было написано про прорыв, потеснение конкурентов и спасение человечества.
Владимир Владимирович, 07 октября 2008 03:23 
А ведь есть еще и японские патенты - тоже самое плюс вся грандиозность, не подвергнутая цензуре журнальных публикаций.
Popov A N, 07 октября 2008 16:56 
+ по расходам на ниокр японтия занимает 3 место в мире или уже нет?
Трусов Л. А., 07 октября 2008 20:07 
мне кажется, что японцы просто очень впечатлительные и искренне радуются своим результатам.
Владимир Владимирович, 08 октября 2008 05:56 
А в значительной части японских патентов нет реальных результатов, и тогда получается, что они радуются и мечтам

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Грибок
Грибок

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Акустическая волна как смазка – звук гасит трение. Новый фуллерит из неклассического C32. Правила устойчивости для азота. Уроки природы. Глаз дрозофилы показал, как синтезировать многофункциональные нанопокрытия. Переключение долинной поляризации с помощью электрического поля.

Отборочный этап конкурса детских инженерных команд «Кванториада 2020»
С 20 ноября по 24 декабря проводится международный конкурс детских инженерных команд «Кванториада 2020».

Технологическое образование школьников для новой технологической эпохи
Самарский филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы (РАНХиГС) вместе с Фондом инфраструктурных и образовательных программ (ФИОП) провели 2–3 ноября 2020 году Международную научно-практическую конференцию «Технологическое образование школьников для новой технологической эпохи».

Новый материал для выращивания стволовых клеток
Коллектив авторов
Исследователи из Института регенеративной медицины Медицинского научно-образовательного центра МГУ разработали новый способ получения каркаса для стволовых клеток, который можно будет имплантировать пациенту для наращивания у него недостающих тканей и даже органов.

Новая база данных поможет в поиске антивирусных и противоопухолевых препаратов
Коллектив авторов
Исследователи Московского государственного университета создали базу данных веществ, подавляющих белковый синтез — потенциальных лекарств для борьбы с раком и вирусными инфекциями.

Курс экспресс - подготовки к теоретическому туру XV наноолимпиады
коллектив авторов
В кратком экспресс - курсе подготовки к успешному прохождению заочного отборочного теоретического тура XV Всероссийской Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" собраны самые необходимые материалы для наиболее активных и мотивированных участников.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.