Трудность
получения идеально сфокусированного пучка рентгеновских лучей с высокой
интенсивностью заставляет учёных придумывать всё новые и новые подходы для
решения самых трудных задач: сканирование малых площадей и получение
высококачественных рентгенограмм. Проблема заключается в том, что фактически не
существует такого вещества, которое бы смогло выступить в виде линзы для
рентгеновских лучей и сфокусировать их на небольшой площади. Остаётся только
один метод – отражение пучка на искривлённых поверхностях, однако этот подход
требует достаточно точного «вытачивания» подобного рода «линз». Следовательно,
стоимость рентгеновского оборудования и его эксплуатации становится всё выше и
выше, тогда как учёные по всему миру нуждаются в качественном XRD-анализе тех материалов, которые
они синтезируют.
Авторы
работы, опубликованной в “Applied Physics Letters”
совместили XRD высокого
разрешения (в обратном пространстве) с субмикронным пространственным
разрешением (в реальном пространстве). Объектами для изучения были «островки» SiGe на
подложке Si(001),
по методу Странски-Крастанова посредством жидкофазной эпитаксии. При этом
интенсивность излучения была сопоставима с интенсивностью излучения при «обычной»
съёмке.
На
рисунках 1-3 представлены основные результаты проведённого исследования. Эти
экспериментальные данные говорят о том, что сканирование (рис.2) позволяет
выделить и точно распознать ориентацию отдельных граней образца.
Учёные
надеются, что данная методика войдёт в повседневную практику нанотехнологов и
позволит детально изучать рентгенограммы отдельных частей различных
нанообъектов.