Изучение закономерностей ионно-лучевого образования люминесцирующих наноструктур типа «квантовые точки кремния в матрице диоксида кремния (SiO2:nc-Si)» и модификация их свойств с применением ионной имплантации
изучены закономерности выращивания эпитаксиальных слоев кремния и кремний-германий, легированных эрбием и солегированных кислородом
исследование процессов формирования наноструктур и их люминесцентных свойств при ионном облучении кремния
исследованы особенности молекулярно-лучевой эпитаксии кремния при наличии потока примесных атомов и стимулирующего влияния ионного облучения при низких энергиях
Бачурин Владимир Иванович, научный сотрудник, кандидат наук
Белов Алексей Иванович, инженер
Боброва Марина Константиновна, научный сотрудник, кандидат наук
Васильев Валерий Константинович, ведущий инженер
Денисов Сергей Александрович, инженер
Дягилев Валерий Михайлович, инженер
Менделева Юлия Алексеевна, младший научный сотрудник
Михайлов Алексей Николаевич, младший научный сотрудник
Мосунов Александр Сергеевич, научный сотрудник, доктор наук
Тетельбаум Давид Исаакович, ведущий научный сотрудник, доктор наук
Трушин Сергей Александрович, младший научный сотрудник, кандидат наук
Чалков Вадим Юрьевич, научный сотрудник
Шаргель Валерий Львович, инженер
Шенгуров Владимир Геннадьевич, заведующий лабораторией, доктор наук
Описание
Лаборатория была организована в 1961 году на базе лаборатории ядерной физики. С 1965 по 1994 гг. научным руководителем ее был чл.-корр. РАН, профессор П.В. Павлов. С момента образования основной темой научной деятельности лаборатории являлась физика и техника ионной имплантации. В своей научной и научно-педагогической работе лаборатория тесно связана с кафедрой электроники твердого тела, а также рядом других кафедр физического факультета ННГУ и лабораториями НИФТИ. С 1995 года в лаборатории выполняются исследования в области ионно-лучевого синтеза и модификации полупроводниковых наноструктур, модификации свойств твердых тел ионными и фотонными пучками, а также в области молекулярно-лучевой эпитаксии кремния.
Исследования в области ионной имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии проводятся с использованием двух ионно-лучевых установок ИЛУ-3 и ИЛУ-200, а также специально сконструированных и изготовленных в НИФТИ ННГУ сверхвысоковауумных установок для эпитаксиального роста полупроводников (Si, Si1-xGex). Установка ИЛУ-200 оснащена комплексом узлов и измерительных систем для исследования ионно-индуцированного характеристического рентгеновского излучения, что позволяет выполнять уникальные исследования процессов при взаимодействии ионов с кристаллами. Научные исследования коллектива ведутся с применение современного измерительного оборудования, имеющегося в НИФТИ, а также используемого в кооперации с другими научными организациями Нижнего Новгорода, Москвы, С. Петербурга, Воронежа, Ижевска и других городов. Используемые методы включают в себя исследования оптических свойств (фото- и электролюминесценция, рамановское рассеяние, оптическое пропускание, эллипсометрия), электрических свойств полупроводников, электронного парамагнитного резонанса, химического состава и профилей распределения, характера химических связей (вторичная ионная масс-спектрометрия, рентгеновская электронная спектроскопия, обратное резерфордовское рассеяние), электронных спектров (спектроскопия электронных энергетических потерь, Оже-спектроскопия).
Научные связи
B-P-E International Dr. Hornig GmbH, R&D-department , Eckental, Germany
Bar-Ilan University, Department of Chemistry , Israel
Max-Planck Institute of Plasmaphysics , Garshing, Germany
Middle East Technical University , Ankara, Turkey
University of Oslo, Department of Physics , Oslo, Norway
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности , Москва
Институт металлофизики НАНУ , Киев, Украина
Институт физики микроструктур РАН, Н.Новгород
Институт физики полупроводников СО РАН , Новосибирск
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.Б. Бербекова , Нальчик
Московский государственный институт стали и сплавов , Москва
Московский государственный институт электронной технологии , Москва
Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Н.Новгород
Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт “Кварц”, Н.Новгород
Самаркандский государственный университет , Самарканд, Республика Узбекистан
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет , С.-Петербург
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН , С.-Петербург
Физико-технический институт УрО РАН , Ижевск
Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии, ООО «Поверхность» , Москва
Наиболее значимые публикации
В.А. Бурдов, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.М. Гапонова, "Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2:Si." // Известия РАН. Серия физическая, 2003, 67 (2), 186 - 188
Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, "Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2" // ФТП, 2003, 37 (B6), 738 - 742
D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, A.Yu. Azov, A.K. Mukhamatullin, S.E. Akis, D.M. Gaponova, "The room temperature photoluminescence of Si nanocrystals in a-Si matrix composite system produced by the irradiation of silicon with ions of high and medium masses" // Material Science and Engineering, 2003, 101 (1-3), 279 - 282
D.I. Tetelbaum, A.Yu. Azov, E.V. Kuril’chik, V.Ya. Bayankin, F.Z. Gilmutdinov, Yu.A. Mendeleva., "long-range influence of the ion and photon irradiation on the mechanical properties and on the composition of the permalloy-79" // Vacuum, 2003, 70 (2-3), 169 - 173
S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, D.G. Revin, D.M. Gaponova, "The optimization of photoluminescence properties of ion-implantation-produced nanostructures on the base of Si inclusions in SiO2 matrix" // Surface and Coatings Technology, 2002, 158-159, 717 - 719
D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova, "The influence of phosphorus and hydrogen ion implantation on the photoluminescence of SiO2 with Si nanoinclusions" // Nucl. Instr. Meth., 2001, 174, 123 - 129
Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022
Коллектив авторов Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2022 содержат следующую информацию:
• Подготовка бакалавров на факультете наук о материалах МГУ
• Состав Государственной Экзаменационной Комиссии
• Расписание защит выпускных квалификационных работ бакалавров
• Аннотации квалификационных работ бакалавров
В эпоху коронавируса и борьбы с ним в существенной степени меняется парадигма выполнения творческих работ и ведения бизнеса, в той или иной мере касаясь привлечения новых типов дистанционного взаимодействия, использования виртуальной реальности и элементов искусственного интеллекта, продвинутого сетевого маркетинга, использования современных информационных технологий и инновационных подходов. В этих условиях важным является, насколько само общество готово к использованию этих новых технологий и как оно их воспринимает. Данной проблеме и посвящен этот небольшой опрос, мы будет рады, если Вы уделите ему пару минут и ответите на наши вопросы.
Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.
Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся
в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.
