Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Лаборатория электроники твердого тела

Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • Физика формирования и модификации наноструктур
  • Электроника твердого тела
Научные интересы
  • Изучение закономерностей ионно-лучевого образования люминесцирующих наноструктур типа «квантовые точки кремния в матрице диоксида кремния (SiO2:nc-Si)» и модификация их свойств с применением ионной имплантации
  • изучены закономерности выращивания эпитаксиальных слоев кремния и кремний-германий, легированных эрбием и солегированных кислородом
  • исследование процессов формирования наноструктур и их люминесцентных свойств при ионном облучении кремния
  • исследованы особенности молекулярно-лучевой эпитаксии кремния при наличии потока примесных атомов и стимулирующего влияния ионного облучения при низких энергиях
Контактная информация
Телефон +7 8312 656914
Факс +7 8312 659366
Индекс 603950
Адрес Нижний Новгород, пр. Гагарина 23/3
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Азов Алексей Юрьевич, научный сотрудник
  • Бачурин Владимир Иванович, научный сотрудник, кандидат наук
  • Белов Алексей Иванович, инженер
  • Боброва Марина Константиновна, научный сотрудник, кандидат наук
  • Васильев Валерий Константинович, ведущий инженер
  • Денисов Сергей Александрович, инженер
  • Дягилев Валерий Михайлович, инженер
  • Менделева Юлия Алексеевна, младший научный сотрудник
  • Михайлов Алексей Николаевич, младший научный сотрудник
  • Мосунов Александр Сергеевич, научный сотрудник, доктор наук
  • Тетельбаум Давид Исаакович, ведущий научный сотрудник, доктор наук
  • Трушин Сергей Александрович, младший научный сотрудник, кандидат наук
  • Чалков Вадим Юрьевич, научный сотрудник
  • Шаргель Валерий Львович, инженер
  • Шенгуров Владимир Геннадьевич, заведующий лабораторией, доктор наук
Описание

Лаборатория была организована в 1961 году на базе лаборатории ядерной физики. С 1965 по 1994 гг. научным руководителем ее был чл.-корр. РАН, профессор П.В. Павлов. С момента образования основной темой научной деятельности лаборатории являлась физика и техника ионной имплантации. В своей научной и научно-педагогической работе лаборатория тесно связана с кафедрой электроники твердого тела, а также рядом других кафедр физического факультета ННГУ и лабораториями НИФТИ. С 1995 года в лаборатории выполняются исследования в области ионно-лучевого синтеза и модификации полупроводниковых наноструктур, модификации свойств твердых тел ионными и фотонными пучками, а также в области молекулярно-лучевой эпитаксии кремния.

Исследования в области ионной имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии проводятся с использованием двух ионно-лучевых установок ИЛУ-3 и ИЛУ-200, а также специально сконструированных и изготовленных в НИФТИ ННГУ сверхвысоковауумных установок для эпитаксиального роста полупроводников (Si, Si1-xGex). Установка ИЛУ-200 оснащена комплексом узлов и измерительных систем для исследования ионно-индуцированного характеристического рентгеновского излучения, что позволяет выполнять уникальные исследования процессов при взаимодействии ионов с кристаллами. Научные исследования коллектива ведутся с применение современного измерительного оборудования, имеющегося в НИФТИ, а также используемого в кооперации с другими научными организациями Нижнего Новгорода, Москвы, С. Петербурга, Воронежа, Ижевска и других городов. Используемые методы включают в себя исследования оптических свойств (фото- и электролюминесценция, рамановское рассеяние, оптическое пропускание, эллипсометрия), электрических свойств полупроводников, электронного парамагнитного резонанса, химического состава и профилей распределения, характера химических связей (вторичная ионная масс-спектрометрия, рентгеновская электронная спектроскопия, обратное резерфордовское рассеяние), электронных спектров (спектроскопия электронных энергетических потерь, Оже-спектроскопия).
Научные связи
  • B-P-E International Dr. Hornig GmbH, R&D-department , Eckental, Germany
  • Bar-Ilan University, Department of Chemistry , Israel
  • Max-Planck Institute of Plasmaphysics , Garshing, Germany
  • Middle East Technical University , Ankara, Turkey
  • University of Oslo, Department of Physics , Oslo, Norway
  • Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности , Москва
  • Институт металлофизики НАНУ , Киев, Украина
  • Институт физики микроструктур РАН, Н.Новгород
  • Институт физики полупроводников СО РАН , Новосибирск
  • Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.Б. Бербекова , Нальчик
  • Московский государственный институт стали и сплавов , Москва
  • Московский государственный институт электронной технологии , Москва
  • Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Н.Новгород
  • Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт “Кварц”, Н.Новгород
  • Самаркандский государственный университет , Самарканд, Республика Узбекистан
  • Санкт-Петербургский государственный политехнический университет , С.-Петербург
  • Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН , С.-Петербург
  • Физико-технический институт УрО РАН , Ижевск
  • Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии, ООО «Поверхность» , Москва
Наиболее значимые публикации
В.А. Бурдов, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.М. Гапонова, "Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2:Si." // Известия РАН. Серия физическая, 2003, 67 (2), 186 - 188

Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, А.Х. Мухаматуллин, Д.М. Гапонова, "Фотолюминесценция кремния, облученного ионами, при комнатной температуре" // Известия РАН. Серия физическая, 2003, 67 (2), 189 - 190

Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, "Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2" // ФТП, 2003, 37 (B6), 738 - 742

D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, A.Yu. Azov, A.K. Mukhamatullin, S.E. Akis, D.M. Gaponova, "The room temperature photoluminescence of Si nanocrystals in a-Si matrix composite system produced by the irradiation of silicon with ions of high and medium masses" // Material Science and Engineering, 2003, 101 (1-3), 279 - 282

D.I. Tetelbaum, A.Yu. Azov, E.V. Kuril’chik, V.Ya. Bayankin, F.Z. Gilmutdinov, Yu.A. Mendeleva., "long-range influence of the ion and photon irradiation on the mechanical properties and on the composition of the permalloy-79" // Vacuum, 2003, 70 (2-3), 169 - 173

S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, D.G. Revin, D.M. Gaponova, "The optimization of photoluminescence properties of ion-implantation-produced nanostructures on the base of Si inclusions in SiO2 matrix" // Surface and Coatings Technology, 2002, 158-159, 717 - 719

D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova, "The influence of phosphorus and hydrogen ion implantation on the photoluminescence of SiO2 with Si nanoinclusions" // Nucl. Instr. Meth., 2001, 174, 123 - 129

алмазы Юпитера
алмазы Юпитера

Интервью с участниками, авторами задач и организаторами XIII Олимпиады
Предлагаем ознакомиться с подборкой видеороликов - миниинтервью, взятых в течение очного тура XIII Всероссийской Интернет-олимпиады по нанотехнологиям "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" (25 - 30 марта 2019 года).

Неделя Олега Лосева
Портал RSCI.RU и инициаторы проведения "Недель Олега Лосева" приглашают все вузы и факультеты физико-технологического и радиоэлектронного профиля к участию в первой Неделе Олега Лосева в Рунете, посвященной Олегу Владимировичу Лосеву - признанному пионеру полупроводниковой электроники и оптоэлектроники.

Магистратура Московского университета по химической технологии
Химический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова объявляет о приеме в магистратуру "Химическая технология" для подготовки специалистов в области полимерных композиционных материалов, углеродных материалов, защитных покрытий.

Интервью с Константином Козловым - абсолютным победителем XIII Наноолимпиады
Семенова Анна Александровна
Школьник 11 класса Константин Козлов (г. Москва) стал абсолютным победителем Олимпиады "Нанотехнологии - прорыв в будущее!" 2018/2019 по комплексу предметов "физика, химия, математика, биология". О своих впечатлениях, увлечениях и немного о планах на будущее Константин поделился с нами в интервью.

Микроэлементарно, Ватсон: как микроэлементы действуют на организм
Алексей Тиньков
Как на нас воздействуют кадмий, ртуть, цинк, медь и другие элементы таблицы Менделеева рассказал сотрудник кафедры медицинской элементологии РУДН Алексей Тиньков в интервью Indicator.Ru

Зимняя научная конференция студентов 4 курса ФНМ МГУ 22-23 января 2019 г.
Сафронова Т.В.
Настоящий сборник содержит тезисы докладов зимней научной студенческой конференции студентов 4-го курса ФНМ

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!

Опыт обучения в области нанотехнологического технопредпринимательства

В этом опросе мы просим поделиться опытом и Вашим отношением к нанотехнологическому технопредпринимательству и смежным областям. Заранее спасибо за Ваше неравнодушие!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.