Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рис. 1. Изображение поверхности Ru(0001) с однослойными листами графена (РЭМ). На вставке данные сканирующей Оже-микроскопии (СKLL 260.6 эВ).
Рис. 2. Формирование однослойного листа графена. Точкой отмечен исходный зародыш. Направление роста определяется ступеньками на поверхности рутения.
Рис. 3. Модель эпитаксиального графена.
Рис. 4. Измерение сопротивления между слоями графена. G1 и G2 – первый и второй слой графена соответственно.

Эпитаксиальный графен на рутении

Ключевые слова:  графен, наноэлектроника, эпитаксия

Опубликовал(а):  Трусов Л. А.

11 апреля 2008

С графеном связано множество надежд о будущем электроники. Однако существующие методы его получения обладают значительными недостатками. В частности, расщепление графита на слои выглядит трудно масштабируемым. Альтернативой является эпитаксиальный рост графена, однако в этом случае трудно добиться получения достаточно крупных листов, обладающих равномерной толщиной. Кроме того, сильные взаимодействия с подложкой могут искажать свойства графена.

Исследователи из Brookhaven National Laboratory (США) показали, что при эпитаксиальном росте графена на поверхности Ru(0001) формируются макроскопические графеновые области. При этом рост протекает послойно, и, хотя первый слой сильно связан с подложкой, второй практически с ней не взаимодействует и сохраняет все уникальные свойства графена.

Синтез основан на том, что растворимость углерода в рутении сильно зависит от температуры. При 1150 °С рутений насыщается углеродом, а при снижении температуры до 825 °С углерод выходит на поверхность, в результате чего формируются островки графена размером более 100 мкм. Островки разрастаются и объединяются, после чего начинается рост второго слоя.

Расстояние между первым слоем графена и рутением составило около 1.45 Å, а между слоями графена близко к таковому для графита (3.34 Å). Были проведены измерения электрического сопротивления в слоях графена и между ними. Оказалось, что сопротивление между слоями в 1000 раз больше, т.е. электронное взаимодействие между слоями слабо.

Работа «Epitaxial graphene on ruthenium» опубликована в журнале Nature Materials.


Источник: Nature Materials



Комментарии
Палии Наталия, 11 апреля 2008 18:01 
Наверное, это дорогой метод получения графена - эпитаксиальный рост на рутении.
Dusha, 14 апреля 2008 14:48 
На никеле растет точно так же
Проблема потом избавиться от металла.
B A A, 21 апреля 2008 20:41 
Класс. Т.е. второй слой графита получается практически таким же, как верхний слой любого куска графита? И анизотропия проводимости такая же. Объясните смысл этих извращений, pls!
Трусов Л. А., 22 апреля 2008 01:48 
графен вообще вне области моего понимания... наверняка, если б не "графен-бум", статья б называлась "рост эпитаксиального графита на рутении."
и все-таки не понятно, как интегрировать "верхний слой любого куска графита" в электронику.
B A A, 22 апреля 2008 19:29 
A takoe zhe bespontovoe zanjatie, kak i dlja epitaxial'nogo :)
Трусов Л. А., 22 апреля 2008 20:05 

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Магические кластеры
Магические кластеры

В Москве начинается MAPPIC - 2019
14-15 октября 2019 года состоится I Московская осенняя международная конференция по перовскитной фотовольтаике (Moscow Autumn Perovskite Photovoltaics International Conference – MAPPIC-2019)

РИА Новости: Нобелевскую премию по химии присудили за разработку литий-ионных батарей
РИА Новости: Джон Гуденаф, Стенли Уиттингхем и Акира Йошино стали лауреатами Нобелевской премии в области химии за 2019 год за разработку литий-ионных батарей.

РИА Новости: Названы лауреаты Нобелевской премии по физике
РИА Новости: Джеймс Пиблз из США и швейцарцы Дидье Кело и Мишель Майор стали лауреатами Нобелевской премии по физике за 2019 год.

Лекция про Дмитрия Ивановича и Наномир на Фестивале науки
Е.А.Гудилин и др., Фестиваль науки
В дни Фестиваля науки «NAUKA 0+» на Химическом факультете МГУ ведущие ученые познакомили слушателей с самыми современными достижениями химии. Ниже приводится небольшой фоторепортаж 1 дня и расписание лекций.

Как правильно заряжать аккумулятор?
Д. М. Иткис
Химик Даниил Иткис о том, как правильно заряжать аккумуляторы гаджетов и почему телефон выключается на холоде

Постлитийионные аккумуляторы
В. А. Кривченко
Физик Виктор Кривченко о перспективных видах аккумуляторов, фундаментальных проблемах в производстве литий-серных источников тока и преимуществах постлитийионных аккумуляторов

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.