Ученые из Дании сообщили о получении интересных наноструктур – нанопластинок арсенида индия InAs, стоящих на подложке из GaAs. Такие структуры были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием наночастиц золота в качестве катализатора.
Пластинки близки к треугольной форме, они имеют наночастицу золота на вершине и атомно-плоские развитые грани. Толщина пластинок, которая определяется диаметром частицы золота, составляет 30-80 нм, а высота достигает нескольких микрометров. Индивидуальные пластинки могут быть легко отделены от подложки, что позволяет измерить их физические характеристики.
Механизм образования пластинок выглядит следующим образом. Всё начинается с образования наностержня с квадратным сечением. Далее он преобразуется в пластинку, разрастаясь вширь благодаря наличию высокоэнергетических боковых граней {133}. По мере роста пластинки вверх, что катализируется золотом, эти грани постепенно переходят в вертикальные низкоэнергетические грани {011}, и рост в ширину прекращается. Таким образом, рост пластинок обусловлен двумя механизмами: вертикальный рост катализирован частицами золота, а горизонтальный рост осуществляется за счет осаждения из газовой фазы.
Работа «Molecular beam epitaxy growth of freestanding plane-parallel InAs nanoplates» опубликована в журнале Nature Nanotechnology.
