Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Научные группы: Проблемная научная группа "Физические основы нано- и оптоэлектроники"

Организация
Ключевые слова
Область деятельности
  • Полупроводниковая наноэлектроника
  • полупроводниковая оптоэлектроника
Научные интересы
  • Исследования возможностей создания новых эффективных приборов для электроники и оптоэлектроники
  • теоретическое исследование электронных, оптических и фотоэлектрических свойств различных полупроводниковых наноструктур, содержащих квантовые ямы, проволоки и точки
Контактная информация
Телефон +374 10 27-70-52
Факс +374 10 28-97-01
Электронная почта rectorat@rau.am
Индекс 375051
Адрес Армения, Ереван, ул. Овсепа Эмина 123
Страница научной группы в интернете
Научный коллектив
  • Есаян А.Э., научный сотрудник
  • Казарян Э.М., руководитель проекта, доктор наук
  • Петросян Л. С., кандидат наук
  • Петросян С.Г., руководитель, профессор, доктор наук
  • Саакян М., аспирант
Описание

Проблемная научная группа организована в октябре 2002 г. с целью проведения научных исследований по современным проблемам полупроводниковой опто- и наноэлектроники
Научные достижения группы:

  • Теоретическое исследование поперечного фотоэффекта в многослойной структуре с двумерными переходами

  • исследована вероятность фотоионизации квантовой точки вблизи порога фотоионизации

  • в параболических квантовых точках найдена энергия ионизации примесей и показана её существенная связь с граничными условиями

  • изучены электронные состояния в квантовых точках с сильно сплюснутой линзообразной поверхностью при наличии магнитного поля

  • вычислена низкочастотная емкость двумерных p-n- переходов с учетом их реальной структуры

  • рассчитана низкочастотная контактная ёмкость двумерного p-n перехода
Наиболее значимые публикации
Kazaryan, E.M., Kostanyan, A.A., Sarkisyan, H.A. , "Optical absorption in GaAs quantum wells caused by donor-acceptor pair transitions " // Journal of Physics Condensed Matter , 2007, 19 (4), art. no. 046212

Harutyunyan, V.A., Kazaryan, E.M., Kostanyan, A.A., Sarkisyan, H.A. , "Interband transitions in cylindrical layer quantum dot: Influence of magnetic and electric fields " // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures , 2007, 36 (1), 114 - 118

Kazaryan, E.M., Petrosyan, L.S., Sarkisyan, H.A. , "Hidden symmetry, excitonic transitions and two-dimensional Kane's exciton in the quantum well " // Electronic Journal of Theoretical Physics , 2007, 4 (15), 91 - 100

Djotyan, A.P., Avetisyan, A.A., Kazaryan, E.M., Monlopoulos, K. , "Exciton-donor complexes in a semiconductor quantum dot in a magnetic field " // Physica Status Solidi C: Conferences , 2006, 3 (4), 1087 - 1090

Juharyan, L.A., Kazaryan, E.M., Petrosyan, L.S. , "Electronic states and interband light absorption in semi-spherical quantum dot under the influence of strong magnetic field " // Solid State Communications , 2006, 139 (10), 537 - 540

Kazaryan, E.M., Atoyan, M.S., Sarkisyan, H.A. , "Optical transitions in parabolic quantum dot " // Physics of Atomic Nuclei , 2005, 68 (10), 1726 - 1729

S. Petrosyan, A.Yesayan, D.Reuter, A.Wieck, "The linearly graded two-dimensional p-n-junction" // Appl. Phys. Lett, 2004, 84, 3313 - 3315

V.Aroutiounian, S.Petrosyan, A.Khachatryan, "Photocurrent of quantum dot p-i-n solar cells. " // EuroSan Proc. 14 Intern. Sonnenforum, 2004, 59 - 64

E.M. Kazaryan, L.S. Petrosyan, H.A. Sarkisyan, "Electronic states in parabolic quantum dot taking into account boundary conditions" // Physics of Particles and Nuclei, 2003, 34

Э.М. Казарян, Л.С. Петросян, А.А. Саркисян, "Влияние границы перехода полупроводника-диэлектрика на электронные состояния в сферических квантовых точках" // Известия НАН Армении, Физика, 2002, 37, 120 - 128

E.M. Kazaryan, L.S. Petrosyan and H.A. Sarkisyan, "Electron states in spherical microcrystal with regard to boundary conditions" // Proc. of 23-th. International Colloquium on Group Theoretical Methods in Physics Dubna , 2002, 2, 502 - 506

Kazaryan, E.M., Petrosyan, L.S., Sarkisyan, H.A. , "Electronic states in a narrow band gap semiconductor microcrystal with parabolic confinement in magnetic field " // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures , 2001, 11 (4), 362 - 367

Червячки
Червячки

Перст-дайджест
В новом выпуске бюллетеня «ПерсТ»: Графеновые маски выходят на борьбу с Covid 19. Графен губит вирусы. Сенсор для противотуберкулезного препарата. Взаимодействие Дзялошинского-Мории и механическая деформация. Скирмионы займутся растяжкой?

Ученые разработали технологию трехмерной печати генно-инженерных конструкций для направленной регенерации костных тканей
Группа российских ученых разработала оригинальную технологию трехмерной печати персонализированных изделий из биоактивной керамики и создала персонализированные ген-активированные имплантаты. Проведен комплексный физико-химический и биохимический анализ экспериментальных образцов ген-активированных материалов и персонализированных имплантатов для инженерии и направленной регенерации костных тканей, полученных с использованием технологий трехмерной печати, включая доклинические исследования на крупных животных.

Ученые из ИОФ РАН осуществили лазерный перенос графена
Исследователи из Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН (ИОФ РАН) напечатали «смятый» графен на кремниевой подложке, используя метод лазерно-индуцированного прямого переноса. Этот относительно простой процесс может заменить трудоемкие литографические способы создания гарфеновых структур в перспективных устройствах микроэлектроники.

Академия - университетам
Е.А.Гудилин, Ю.Г.Горбунова, С.Н.Калмыков
Российская Академия Наук и Московский университет во время пандемии реализовали пилотную часть проекта "Академия – университетам: химия и науки о материалах в эпоху пандемии". За летний период планируется провести работу по подключению к проекту новых ВУЗов, институтов РАН, профессоров РАН, а также по взаимодействию с новыми уникальными лекторами для развития структурированного сетевого образовательного проекта "Академия - университетам".

Материалы к защитам выпускных квалификационных работ бакалавров ФНМ МГУ 2020
Коллектив авторов
Защиты выпускных квалификационных работ (квалификация – бакалавр материаловедения) по направлению 04.03.02 - «химия, физика и механика материалов» на Факультете наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова состоятся 16, 17, 18 и 19 июня 2020 г.

Материалы к защитам магистерских квалификационных работ на ФНМ МГУ в 2020 году
коллектив авторов
2 - 5 июня пройдут защиты магистерских диссертаций выпускниками Факультета наук о материалах МГУ имени М.В.Ломоносова.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.