Два встречных дефекта упаковки в 4H-SiC. Изображение получено на микроскопе JEM-3010 в зоне [2 -1 -1 0] карбида.

Модификаций карбида кремния больше сотни.
Концентрация дефектов и характер структуры имеют очень большое значение для электроники.
Пытаюсь различить Si и C. Получается, что попарное чередование слоёв - норма. Видно, что для углерода возможны 3 и 4 слоя, причём слой углерода раздваивается, а слой кремния переходит в два слоя углерода. Жаль, что по горизонтали картинка ограничена

