Два встречных дефекта упаковки в 4H-SiC. Изображение получено на микроскопе JEM-3010 в зоне [2 -1 -1 0] карбида.
 |
Средний балл: 9.4 (голосов 13)
Комментарии
Трусов Л. А.,
06 ноября 2007 02:38
прикольно
Курилин Сергей Леонидович,
29 ноября 2008 20:57
Не очень понимаю, что значит 4H-SiC
Модификаций карбида кремния больше сотни.
Концентрация дефектов и характер структуры имеют очень большое значение для электроники.
Пытаюсь различить Si и C. Получается, что попарное чередование слоёв - норма. Видно, что для углерода возможны 3 и 4 слоя, причём слой углерода раздваивается, а слой кремния переходит в два слоя углерода. Жаль, что по горизонтали картинка ограничена
Модификаций карбида кремния больше сотни.
Концентрация дефектов и характер структуры имеют очень большое значение для электроники.
Пытаюсь различить Si и C. Получается, что попарное чередование слоёв - норма. Видно, что для углерода возможны 3 и 4 слоя, причём слой углерода раздваивается, а слой кремния переходит в два слоя углерода. Жаль, что по горизонтали картинка ограничена
Владимир Владимирович,
29 ноября 2008 21:16
4H -технический термин от "4-inch wafer"
Гуляев Павел Юрьевич,
08 февраля 2012 01:08
Не надо так шутить над нашими любопытными белорусскими друзьями! "4-inch wafer" - действительно термин применяемый для обозначения пластин кремния ("вафель")диаметром 100 мм, нарезанных из монокристаллических слитков, получаемых по методу Яна Чохральского. Но "4H-SiC" - это просто обозначение политипов на основе плотноупакованного слоя по системе Л. С. Рамсделла. В ней цифрой указывается число слоёв или пакетов в одной элементарной ячейке, а буквой C (кубическая), H (гексагональная), R (ромбоэдрическая) или T (тригональная)- обозначается симметрия решётки. Таким образом: 4H-SiC четырехслойный гексагональный политип для SiC, хотя кроме него основными являются трехслойный кубический(3C) и шестислойный гексагональный(6H) политипы.
Палии Наталия Алексеевна,
12 июня 2013 18:27
Прекрасная работа, просто здорово!
Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь
