Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 

Дефекты в SiC

Ключевые слова:  SiC, ПЭМ

Автор(ы):  Dusha, Ute Kaiser (Uni Jena)

03 ноября 2007

Два встречных дефекта упаковки в 4H-SiC. Изображение получено на микроскопе JEM-3010 в зоне [2 -1 -1 0] карбида.





 

 

Средний балл: 9.4 (голосов 13)

 


Комментарии
Трусов Л. А., 06 ноября 2007 02:38 
прикольно
Не очень понимаю, что значит 4H-SiC
Модификаций карбида кремния больше сотни.
Концентрация дефектов и характер структуры имеют очень большое значение для электроники.
Пытаюсь различить Si и C. Получается, что попарное чередование слоёв - норма. Видно, что для углерода возможны 3 и 4 слоя, причём слой углерода раздваивается, а слой кремния переходит в два слоя углерода. Жаль, что по горизонтали картинка ограничена
Владимир Владимирович, 29 ноября 2008 21:16 
4H -технический термин от "4-inch wafer"
Гуляев Павел Юрьевич, 08 февраля 2012 01:08 
Не надо так шутить над нашими любопытными белорусскими друзьями! "4-inch wafer" - действительно термин применяемый для обозначения пластин кремния ("вафель")диаметром 100 мм, нарезанных из монокристаллических слитков, получаемых по методу Яна Чохральского. Но "4H-SiC" - это просто обозначение политипов на основе плотноупакованного слоя по системе Л. С. Рамсделла. В ней цифрой указывается число слоёв или пакетов в одной элементарной ячейке, а буквой C (кубическая), H (гексагональная), R (ромбоэдрическая) или T (тригональная)- обозначается симметрия решётки. Таким образом: 4H-SiC четырехслойный гексагональный политип для SiC, хотя кроме него основными являются трехслойный кубический(3C) и шестислойный гексагональный(6H) политипы.
Прекрасная работа, просто здорово!

Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Ну что, Данила-мастер, не выходит каменный цветок ?
Ну что, Данила-мастер, не выходит каменный цветок ?

Приглашение на международную конференцию «Сканирующая зондовая микроскопия для биологических систем»
НТ-МДТ Спектрум Инструментс совместно с НИТУ «МИСиС» и компанией ICAPPIC рады пригласить Вас на международную школу-конференцию «Сканирующая зондовая микроскопия для биологических систем» 27-28 ноября 2019 года

Наносистемы: физика, химия, математика (2019, том 10, № 5)
Опубликован новый номер журнала "Наносистемы: физика, химия, математика". Ознакомиться с его содержанием, а также скачать необходимые Вам статьи можно по адресу: http://nanojournal.ifmo.ru/articles/volume10/10-5
Там же можно скачать номер журнала целиком.

Заочный тур по комплексу предметов наноолимпиады открыт
Опубликованы задания заочного тура для школьников 7 - 11 классов по комплексу предметов "химия, физика, математика, биология" XIV Всероссийской Интернет-олимпиады по нанотехнологиям "Нанотехнологии - прорыв в будущее!".

Лекция про Дмитрия Ивановича и Наномир на Фестивале науки
Е.А.Гудилин и др., Фестиваль науки
В дни Фестиваля науки «NAUKA 0+» на Химическом факультете МГУ ведущие ученые познакомили слушателей с самыми современными достижениями химии. Ниже приводится небольшой фоторепортаж 1 дня и расписание лекций.

Как правильно заряжать аккумулятор?
Д. М. Иткис
Химик Даниил Иткис о том, как правильно заряжать аккумуляторы гаджетов и почему телефон выключается на холоде

Постлитийионные аккумуляторы
В. А. Кривченко
Физик Виктор Кривченко о перспективных видах аккумуляторов, фундаментальных проблемах в производстве литий-серных источников тока и преимуществах постлитийионных аккумуляторов

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!

О наноолимпиаде замолвите слово...

Прошла XII Всероссийская олимпиада "Нанотехнологии - прорыв в Будущее!" Мы надеемся, что нам для улучшения организации последующих наноолимпиад поможет электронное анкетирование. Мы ждем Ваших замечаний, пожеланий, предложений. Спасибо заранее!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.