Оксид цинка, полупроводник с шириной запрещенной зоны 3,4 эВ, являющийся нетоксичным, химически стабильным и относительно недорогим соединением, сейчас широко используется для производства красок и входит в состав солнцезащитных кремов. Кроме того, ZnO считается перспективным материалом для применения в устройствах, превращающих световую энергию в электрическую. Относительно большая ширина запрещенной зоны ZnO позволяет использовать в устройствах на основе этого полупроводника свет с длиной волны меньше 390 нм (ультрафиолетовый диапазон спектра).
Ученые из калифорнийского университета исследовали оптические свойства гетероструктур на основе частиц ZnO, покрытых оболочками ZnS и ZnTe. Использование в качестве оболочек для ZnO таких полупроводников позволяет существенно уменьшить ширину запрещенной зоны оксида цинка, и, следовательно, использовать в устройствах для превращения энергии на основе гетероструктур солнечный свет. На рис. 1 приведены значения разностей энергий валентной зоны и зоны проводимости в ZnO и ZnS (а) и ZnO и ZnTe (b). Следует отметить, что вычисления проведенные учеными, свидетельствуют о том, что при уменьшении ширины запрещенной зоны уровень оптической абсорбции увеличивается. Было вычислено, что пределы эффективности поглощения света для ZnO/ZnS и ZnO/ZnTe составляют соответственно 19% и 23%, что является существенно выше эффективности чистого ZnO (7%). Кроме того, было установлено, что в гетероструктурах ZnO/ZnS и ZnO/ZnTe увеличивается число свободных носителей заряда в результате снижения их рекомбинации.
Работа “Optical properties of ZnO/ZnS and ZnO/ZnTe heterostructures for photovoltaic applications” была опубликована в журнале Nanoletters.
Как раз недавно почитывал книжку про микроэлементозы. 
