Нанотехнологическое сообщество Нанометр, все о нанотехнологиях
на первую страницу Новости Публикации Библиотека Галерея Сообщество Объявления Олимпиада ABC О проекте
 
  регистрация
помощь
 
Рисунок 1. Схема получения нанопроводов InGaN/GaN на поверхности LED.
Рисунок 2. Упорядоченные никелиевые островки на поверхности p-GaN.
Рисунок 3. Нанопровода InGaN/GaN после ICP-RIE травления.
Рисунок 4. Нанопровода InGaN/GaN после PEC окисления.

Нанопровода InGaN/GaN для светоизлучающих диодов

Ключевые слова:  LED, MOCVD, нанопровода, периодика, полупроводник

Опубликовал(а):  Андрей

21 октября 2007

Широкозонный полупроводник GaN, как и другие N(III)-полупроводники, привлекает внимание многих исследователей ввиду возможности создания на их синих, зеленых, ультрафиолетовых (УФ) светоизлучающих диодов (LED) и синих лазеров. К тому же создание различных наноструктур на поверхности таких диодов может существенно увеличить их характеристики за счет квантовых ограничений и эффектов напряжений. Ученые из Китая предложили новый метод создания нанопроводов InGaN/GaN на LED. При этом они объединили два метода – ионное травление с помощью индуктивно связанной плазмы (inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICO-RIE) и фотоусиленное химическое жидкостное травление (photo-enhanced chemical, PEC, wet oxidation).

Образцы светоизлучающих диодов на основе GaN были сделаны с помощью металлорганического химического осаждения из паровой фазы (metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD) в с-ориентации на сапфировой подложке (см. рис. 1). Они состояли из буферного слоя GaN толщиной 50 нм, высокопроводящего слоя GaN, допированного кремнием, толщиной в 3 мкм, пяти слоев In0.21Ga0.79N/GaN MQW (multiple quantum wells - множественные квантовые ямы) толщиной в 3/7 нм, 50 нм слоя AlGaN, легированного магнием, и, наконец, 0.25 мкм слоя GaN, также легированного магнием. Из этих образцов были получены диоды с нанопроводами как с помощью PEC - окисления, так и без него. На рис. 2 показаны размеры и плотность упорядоченных никелиевых островков на поверхности p-GaN, приблизительные значения которых – 200 нм и 3·109 см-2 соответственно. Плотность InGaN/GaN получилась порядка 3·109 см-2. Приблизительный диаметр нанопроводов составляет 140 нм, глубина травления – 0.5 мкм (рис. 3). На фотографии (рис. 4) изображены нанопровода InGaN/GaN после PEC окисления: на левой части фотографии показаны «PEC-окисленные» нанопровода, на правой – та же поверхность, но после ICP-RIE травления. Таким образом при PEC окислении диаметр нанопроводов получился около 140 нм, и без такого окисления – 155 нм. Элементный анализ показал большое количество кислорода, что, по мнению авторов, говорит о появлении тонкого слоя Ga2O3 во время PEC окисления. Было замечено, что при удалении оксида галлия диаметр нанопроводов уменьшается до 90 нм.

Смещение пика фотолюминесценции в сторону фиолетовой области спектра, наблюдаемое для образцов, полученных без PEC окисления, составило 8.6 нм, а для окисленных – 3.8 нм. Измерения показали высокие значения интенсивности фотолюминесценции для окисленных образцов (в 5-6 раз больше, чем для диодов без нанопроводов), а для «нанопроводковых» диодов было обнаружено 10.5 нм смещение пика электролюминесценции в сторону фиолетовой области по сравнению с обычными диодами. Таким образом, PEC окисление способствует не только формированию слоя изолятора на каждом нанопроводе, но так же уменьшает их диаметр, усиливая эффект релаксации напряжений.


Источник: Nanotechnology




Для того чтобы оставить комментарий или оценить данную публикацию Вам необходимо войти на сайт под своим логином и паролем. Зарегистрироваться можно здесь

 

Призмы
Призмы

Технологическое образование школьников для новой технологической эпохи
Самарский филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы (РАНХиГС) вместе с Фондом инфраструктурных и образовательных программ (ФИОП) провели 2–3 ноября 2020 году Международную научно-практическую конференцию «Технологическое образование школьников для новой технологической эпохи».

Нанотехнологии ужасные и могучие
В том, что касается осмысления новых технологий, научная фантастика отчетливо напоминает жертву БАР — очень модного сейчас биполярного аффективного расстройства. Писатели мечутся между двумя крайними состояниями, двумя полюсами: преувеличенным дофаминовым восторгом и тревожной депрессией, беспросветным ужасом перед грядущим. Чем больше ожиданий от технологии, тем глубже раскол, сильнее поляризация, реже «светлые промежутки» — и последние полвека нанотехнологии определенно входят в приоритетный список.

Кадровое сопровождение инновационный проектов
Фонд инфраструктурных и образовательных программ (ФИОП) Группы РОСНАНО приглашает 25 ноября 2020 года представителей высокотехнологичных компаний и технических вузов на Всероссийскую онлайн-конференцию «Кадровое сопровождение инновационных производств».

Зоологический подход и искусственное обоняние
Пресс-служба МГУ
Ученые химического факультета и НИИЯФ МГУ имени М.В. Ломоносова сумели повысить способность искусственного обоняния идентифицировать близкие по химическим свойствам газы - метан и пропан. Ключом к успеху стал подход к обработке данных химических сенсоров, ранее применявшийся для анализа эволюционного родства животных, ископаемых видов, а также предков человека.

Зоопарк в багаже нанотехнолога
Гудилин Е.А.
Серебро в форме наночастиц - это целый мир, их форма и размер, а также то, как они вместе сосуществуют, играют очень большую роль в области их практического применения. И до сих пор это огромное разнообразие важно, и до сих пор оно оправдывает себя, и это редкий пример, когда именно наночастицы, а не только консолидированные наноматериалы и наноструктуры нужны для практики.

Универсальная система анализа метаболитов
Пресс-служба МГУ
Сотрудники химического факультета МГУ разработали аналитическую схему, позволяющую по химическим «отпечаткам пальцев» делать заключения о протекающих в организме процессах. Схема пригодится и врачам, и фармакологам, и экологам, и даже пищевикам.

Технопредпринимательство в эпоху COVID-19

Небольшой опрос о том, как изменились подходы современного предпринимательства в контексте новых и возникающих форм ведения бизнеса, онлайн образования, дистанционных форм взаимодействия и коворкинга в эпоху пандемии COVID - 19.

Технонано

Технопредпринимательство - идея, которая принесет свои плоды при бережном культивировании и взращивании. И наша наноолимпиада, и Наноград от Школьной Лиги РОСНАНО, и проект Стемфорд, и другие замечательные инициативы - важные шаги на пути реализации этой и других идей, связанных с развитием новых высоких технологий в нашей стране и привлечением молодых талантов в эту вполне стратегическую область. Ниже приведен небольшой опрос, который позволит и нам, и вам понять, а что все же значит этот модный термин, и какова его суть.

Технопредпринимательство на марше

Мы традиционно просим вас высказать свои краткие суждения по вопросу технопредпринимательства и проектной деятельности школьников. Для нас очевидно, что под технопредпринимательством и под проектной деятельностью школьников каждый понимает свое, но нам интересно ваше мнение, заодно вы сможете увидеть по мере прохождения опроса, насколько оно совпадает или отличается от мнения остальных. Ждем ваших ответов!



 
Сайт создан в 2006 году совместными усилиями группы сотрудников и выпускников ФНМ МГУ.
Сайт модернизирован для ресурсной поддержки проектной деятельности учащихся в рамках ГК 16.647.12.2059 (МОН РФ)
Частичное или полное копирование материалов сайта возможно. Но прежде чем это делать ознакомьтесь с инструкцией.